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1. 发明授权

KR100696200B1 능동 구동 표시 장치 및 그 제조방법 失效
标题翻译：主动矩阵驱动显示装置和制造方法相同
公开(公告)号：KR100696200B1
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020050096772
申请日：2005-10-14
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김용해 , 정중희 , 이진호
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/133305 , G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L27/1281 , H01L27/3244 , H01L29/78603 , H01L51/52 , H01L51/5237 , H01L51/5253 , H01L2251/5338
摘要： An active driving type display device and a method for manufacturing the same are provided to prevent the deformation of a plastic substrate even when an amorphous silicon layer is crystallized using various crystallizing apparatuses, by forming an absorption layer for absorbing light or heat between plural buffer layers. A first buffer layer(211) is formed on a substrate consisting of a plastic material, wherein the first buffer layer prevents the deformation of the substrate due to heat or light applied to the substrate. An absorption layer(212) is formed on the first buffer layer, and absorbs the heat or light. A second buffer layer(213) is formed on the absorption layer, wherein the second buffer layer prevents the light or heat from being transferred to the substrate. An active layer(221) is formed on the second buffer layer. A thin film transistor(220) is formed on the active layer, wherein the thin film transistor has a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode. A capacitor(230) and an organic electroluminescent element are electrically connected to the thin film transistor.
摘要翻译：提供一种主动式驱动型显示装置及其制造方法，即使当使用各种结晶装置使非晶硅层结晶化时，也可以通过在多个缓冲层之间形成吸收光或热的吸收层来防止塑料基板的变形。在由塑料材料构成的基板上形成第一缓冲层（211），其中第一缓冲层防止由于施加到基板上的热或光引起的基板的变形。在第一缓冲层上形成吸收层（212），吸收热量或光。在吸收层上形成第二缓冲层（213），其中第二缓冲层防止光或热被转移到衬底。在第二缓冲层上形成有源层（221）。薄膜晶体管（220）形成在有源层上，其中薄膜晶体管具有栅电极，源电极和漏电极。电容器（230）和有机电致发光元件电连接到薄膜晶体管。

2. 发明授权

KR100504347B1 순차측면고상화 폴리실리콘층의 표면평탄화 방법 失效
标题翻译：顺序横向凝固结晶多晶硅薄膜的表面平面化方法
公开(公告)号：KR100504347B1
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：KR1020030097258
申请日：2003-12-26
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 손충용 , 김용해 , 이진호 , 고영욱 , 정중희 , 황치선 , 송윤호
IPC分类号： H01L21/268
CPC分类号： H01L21/0268 , H01L21/2026 , H01L21/268
摘要： 본 발명은 순차측면 결정성장 방법으로 성장시킨 폴리실리콘 표면을 평탄화하는 방법에 관한 것으로, 기판 상에 소정 두께로 형성된 비정질 실리콘층을 폴리실리콘층으로 순차측면고상화 방법을 이용하여 결정화하는 단계와, 폴리실리콘층을 부분용융에서 완전용융으로 전환되는 에너지 밀도를 가지는 레이저를 이용하여 상기 폴리실리콘층을 평탄화하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의한 평탄화 공정을 사용하여 폴리실리콘 박막트랜지스터를 제작하면 소자의 전기적 특성이 향상될 수 있는 효과가 있다.

3. 发明公开

KR1020050066057A 순차측면고상화 폴리실리콘층의 표면평탄화 방법 失效
标题翻译：顺序固溶化的聚硅氧烷薄膜的表面平面化方法
公开(公告)号：KR1020050066057A
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：KR1020030097258
申请日：2003-12-26
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 손충용 , 김용해 , 이진호 , 고영욱 , 정중희 , 황치선 , 송윤호
IPC分类号： H01L21/268
CPC分类号： H01L21/0268 , H01L21/2026 , H01L21/268
摘要： Provided is a method for planarizing a polysilicon surface grown by means of a sequential lateral solidification method, which comprises the steps of: crystallizing an amorphous silicon having a predetermined thickness formed on a substrate into the polysilicon layer by means of the sequential lateral solidification method; and planarizing the polysilicon layer by means of a laser having an energy density for converting partially melted polysilicon into fully melted polysilicon, so that electrical characteristics of element may be improved when the polysilicon thin film transistor is fabricated using the planarization process.

4. 发明授权

KR100450754B1 고휘도 전계 방출 디스플레이 失效
标题翻译： 고휘도전계방출디스플레이
公开(公告)号：KR100450754B1
公开(公告)日：2004-10-01
申请号：KR1020020002738
申请日：2002-01-17
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 정중희 , 송윤호 , 황치선 , 이진호 , 조경익
IPC分类号： H01J1/30
摘要： PURPOSE: A high brightness field emission display is provided to achieve improved field emission characteristics by lowering the drive voltage of field emitter and lengthening the scanning time. CONSTITUTION: A field emission display comprises pixels arranged into a matrix shape on a glass substrate. Each of pixels includes a ferroelectric transistor(200) formed on the glass substrate; and a thin film type field emitter(100) formed in the vicinity of the ferroelectric transistor. The ferroelectric transistor includes a band type gate; a ferroelectric film formed on the gate; a floating gate formed in parallel with the gate; an amorphous silicon channel formed by inserting an insulation film on the floating gate; a source and a drain formed on the amorphous silicon channel; and a source electrode and a drain electrode for connecting the source and the drain to an external terminal.
摘要翻译：目的：提供高亮度场发射显示器，通过降低场发射器的驱动电压和延长扫描时间来实现改善的场发射特性。构成：场发射显示器包括在玻璃基板上排列成矩阵形状的像素。每个像素包括形成在玻璃基板上的铁电晶体管（200）以及形成在铁电晶体管附近的薄膜型场致发射体（100）。该铁电晶体管包括一个带型门; 在栅极上形成的铁电薄膜; 与栅极平行形成的浮动栅极; 通过在浮置栅极上插入绝缘膜而形成的非晶硅沟道; 形成在非晶硅沟道上的源极和漏极; 以及用于将源极和漏极连接到外部端子的源极和漏极。

5. 发明公开

KR1020040057866A 게이트 판을 구비하는 전계 방출 디스플레이 失效
标题翻译：具有闸板的场发射显示
公开(公告)号：KR1020040057866A
公开(公告)日：2004-07-02
申请号：KR1020030020781
申请日：2003-04-02
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 송윤호 , 황치선 , 정중희 , 이진호
IPC分类号： H01J1/30 , C01B31/02
摘要： PURPOSE: A field emission display is provided to reduce a driving voltage by inputting scan and data signals to control elements of each pixel, and achieve improved luminance by applying a high voltage to an anode plate. CONSTITUTION: A field emission display comprises an anode plate(300) having a transparent electrode and a phosphor formed in a region of the transparent electrode; a cathode plate(100) having matrix signal lines for matrix addressing and pixels defined by the column and row signal lines of the matrix signal lines, wherein each of the pixels has a field emitter and a field emitter control element; a gate plate(200) having a gate hole penetrating through the gate plate, and a gate electrode arranged around the gate hole; and a spacer(400) for supporting the gate plate between the cathode plate and the anode plate. The field emitter of the cathode plate is opposed to the phosphor of the anode plate through the gate hole, and vacuum packaged.
摘要翻译：目的：提供场致发射显示器，通过将扫描和数据信号输入到每个像素的控制元件来降低驱动电压，并通过向阳极板施加高电压来实现改善的亮度。构成：场致发射显示器包括具有透明电极的阳极板（300）和形成在透明电极的区域中的荧光体; 具有用于矩阵寻址的矩阵信号线和由矩阵信号线的列和行信号线限定的像素的阴极板（100），其中每个像素具有场发射器和场发射器控制元件; 具有穿过所述栅极板的栅极孔的栅极板（200）和围绕所述栅极孔布置的栅电极; 以及用于在所述阴极板和所述阳极板之间支撑所述栅极板的间隔件（400）。阴极板的场发射体通过栅极孔与阳极板的荧光体相对，并进行真空封装。

6. 发明授权

KR100550005B1 표면 발광형 유기 이엘 다이오드 디스플레이 장치 및 그제조 방법 失效
标题翻译：发光型有机电致发光二极管显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR100550005B1
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：KR1020030058500
申请日：2003-08-23
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 정중희 , 고영욱 , 추혜용
IPC分类号： H05B33/26
摘要： 표면 발광형 유기 이엘((EL) 다이오드 디스플레이 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 관점에 따르면, 픽셀(pixel)을 구분하게 상호 간에 이격된 다수의 하부 전극들과, 하부 전극 상에 형성된 유기 발광층과, 유기 발광층 상에 도입되어 발광부를 이루는 투명 음극 전극, 투명 음극 전극의 외부에 도입된 접지 단자, 및 접지 단자에 전기적으로 연결되고 투명 음극 전극의 가장 자리를 따라 형성된 투명 음극 전극 가장 자리 모두에 접촉하게 연장된 연결 도선을 포함하여 구성되는 유기 이엘 다이오드 디스플레이 장치를 제공한다.
유기 이엘.

7. 发明授权

KR100450761B1 능동 구동형 유기 이엘 다이오드 디스플레이 패널 회로 失效
标题翻译： 능동구동형유기이엘다이오드디스플레이패널회로
公开(公告)号：KR100450761B1
公开(公告)日：2004-10-01
申请号：KR1020020055995
申请日：2002-09-14
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 정중희 , 황치선 , 송윤호 , 이진호
IPC分类号： G09G3/30
CPC分类号： G09G3/3233 , G09G2300/0465 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2320/0233 , G09G2320/043
摘要： An active matrix organic light emitting diode display panel circuit capable of reducing current and brightness nonuniformities between pixels by including a threshold voltage compensation circuit block between a data line and the pixels is provided. The threshold voltage of a video signal loaded in a data line is compensated for while the video signal passes through the threshold voltage compensation circuit block and then provided to a driving transistor of the pixels. One threshold voltage compensation circuit block is connected commonly to a plurality of pixels, rather than be connected to every pixel, so that threshold voltage compensation can be achieved for high-quality, large-sized displays, without increasing the number of transistors for the pixels.
摘要翻译：提供了一种有源矩阵有机发光二极管显示面板电路，其通过在数据线和像素之间包括阈值电压补偿电路块能够减小像素之间的电流和亮度不均匀性。加载在数据线中的视频信号的阈值电压在视频信号通过阈值电压补偿电路块时被补偿，然后被提供给像素的驱动晶体管。一个阈值电压补偿电路块被共同连接到多个像素，而不是连接到每个像素，使得可以实现用于高质量大尺寸显示器的阈值电压补偿，而不增加用于像素的晶体管的数量。

8. 发明公开

KR1020040026380A 2 층 충전기를 갖는 디스플레이 픽셀 및 그 제조방법 失效
标题翻译：具有两层电容器的显示像素及其制作方法
公开(公告)号：KR1020040026380A
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：KR1020020057829
申请日：2002-09-24
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김용해 , 송윤호 , 고영욱 , 정중희 , 손충용 , 이진호
IPC分类号： H01L29/786
摘要： PURPOSE: A method for fabricating a display pixel with a two-story capacitor is provided to reduce the area of pixel occupied by a capacitor by using a two-story capacitor instead of a single-story capacitor. CONSTITUTION: An active layer(200) is formed on a substrate. A gate oxide layer(202), a gate layer(204) and a capping layer(206) are sequentially deposited on the active layer. The gate layer and the capping layer are etched to form a gate. A spacer is formed on the side surface of the gate. An ion implantation process is performed on the upper surface of the resultant structure. A conductive layer is deposited on the resultant structure to form the capacitor between the conductive layer and the gate and between the gate and the active layer.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造具有两层电容器的显示像素的方法，以通过使用二层电容器而不是单层电容器来减小由电容器占据的像素的面积。构成：在衬底上形成有源层（200）。栅极氧化物层（202），栅极层（204）和覆盖层（206）依次沉积在有源层上。蚀刻栅极层和覆盖层以形成栅极。在栅极的侧表面上形成间隔物。在所得结构的上表面上进行离子注入工艺。导电层沉积在所得结构上以在导电层和栅极之间以及栅极和有源层之间形成电容器。

9. 发明公开

KR1020030062508A 고휘도 전계 방출 디스플레이 失效
标题翻译：高亮度场发射显示
公开(公告)号：KR1020030062508A
公开(公告)日：2003-07-28
申请号：KR1020020002738
申请日：2002-01-17
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 정중희 , 송윤호 , 황치선 , 이진호 , 조경익
IPC分类号： H01J1/30
摘要： PURPOSE: A high brightness field emission display is provided to achieve improved field emission characteristics by lowering the drive voltage of field emitter and lengthening the scanning time. CONSTITUTION: A field emission display comprises pixels arranged into a matrix shape on a glass substrate. Each of pixels includes a ferroelectric transistor(200) formed on the glass substrate; and a thin film type field emitter(100) formed in the vicinity of the ferroelectric transistor. The ferroelectric transistor includes a band type gate; a ferroelectric film formed on the gate; a floating gate formed in parallel with the gate; an amorphous silicon channel formed by inserting an insulation film on the floating gate; a source and a drain formed on the amorphous silicon channel; and a source electrode and a drain electrode for connecting the source and the drain to an external terminal.
摘要翻译：目的：提供高亮度场致发射显示器，通过降低场发射器的驱动电压和延长扫描时间来实现改进的场致发射特性。构成：场致发射显示器包括在玻璃基板上排列成矩阵形状的像素。每个像素包括形成在玻璃基板上的铁电晶体管（200）以及形成在铁电晶体管附近的薄膜型场致发射体（100）。铁电晶体管包括带状栅极; 栅极上形成的铁电膜; 与栅极平行形成的浮动栅极; 通过在浮动栅极上插入绝缘膜形成的非晶硅沟道; 形成在非晶硅沟道上的源极和漏极; 以及用于将源极和漏极连接到外部端子的源电极和漏电极。

10. 发明授权

KR100592600B1 메쉬 게이트를 구비한 삼극형 전계 방출 소자 失效
标题翻译：具有网孔的三面体场发射装置
公开(公告)号：KR100592600B1
公开(公告)日：2006-06-26
申请号：KR1020030014782
申请日：2003-03-10
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 황치선 , 송윤호 , 김봉철 , 정중희
IPC分类号： H01J1/30 , C01B31/02
摘要： 본 발명은 전계 방출 소자에 관한 것으로, 특히 메쉬 게이트를 구비한 삼극형 전계 방출 소자에 관한 것이다. 본 발명은 탄소나노튜브를 이용하되, 구동 전압의 증가를 방지하면서 누설 전류 특성 및 전자빔의 집속도를 확보할 수 있는 삼극형 전계 방출 소자 및 그를 이용한 전계 방출 디스플레이를 제공하는데 그 목적이 있다. 탄소나노튜브를 이용한 전계 방출 소자의 경우, 동작 전압을 낮게 가져가기 위해서는 삼극형 전극 구조를 적용해야 한다. 이때 추출 전극이 전자 방출원에 대하여 어떠한 구조를 가지는 지에 따라 동작 특성이 크게 달라진다. 본 발명에서는 추출 전극이 그 상부에 제공되며, 탄소나노튜브 혼합물 어레이의 위치에 대응하여 다수의 구멍을 구비하되, 구멍 상단부의 크기가 하단부의 크기보다 작은 절연성 메쉬 게이트 판을 이용하여 방출된 전자빔의 집속도를 크게 높이고, 누설 전류를 억제한다. 한편, 본 발명은 보조 전극을 추가하거나 각 전극의 형태를 최적화하여 전자빔의 집속도 및 누설 전류 특성을 최적화할 수 있다.
삼극형 전계 방출 소자, 탄소나노튜브, 메쉬 게이트 판, 구멍, 전자빔 집속

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