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1. 发明公开

KR1020170004360A 광역 에너지 다중모드 방사선 영상장치 无效
标题翻译：宽能量范围多模放射成像装置
公开(公告)号：KR1020170004360A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：KR1020150094618
申请日：2015-07-02
申请人： 한국원자력연구원
发明人： 하장호 , 김한수 , 김영수 , 강창구 , 정만희 , 오준호
IPC分类号： A61B6/00
摘要： 본발명은방사선을이용하여비파괴적으로피사체를영상화하는종래의 CT, PET, SPECT 및치료방사능장치와같은방사선영상장치를하나의기기로구현하고, 간단한조작만으로원하는장치를선택하고, 그에따른결과를얻을수 있도록하는광역에너지다중모드방사선영상장치에관한것으로, 방사선을기반으로하여영상신호를생성하고출력하는복수의영상센서들; 피사체를중심으로복수의영상센서들이일정방향으로회전구동되도록하는복수의지지구조체들; 영상센서들에각각구비되며, 지지구조체상에서영상센서들이선택적으로회전구동되도록하는복수의회전구동부들; 외부에서설정조건을선택할수 있도록설정조건메뉴화면이제공되도록제어하고, 설정조건메뉴화면에의해선택된설정조건에따라상기회전구동부들이선택적으로회전구동되도록제어하는제어부; 제어부의제어에응하여외부에서설정조건을선택할수 있도록설정조건메뉴화면을제공하고, 선택된설정조건을제어부로출력하는사용자인터페이스부; 및영상센서들로부터영상신호를입력받아 2차원영상또는 3차원영상으로변환시켜출력하는영상처리부를포함한다. 이에따라, 1개의장비로다양한방사선영상모달리티를구현할수 있도록하는효과가있다.

2. 发明公开

KR1020160148372A 방사선 검출기 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：辐射探测器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160148372A
公开(公告)日：2016-12-26
申请号：KR1020150085347
申请日：2015-06-16
申请人： 한국원자력연구원
发明人： 강창구 , 하장호 , 오준호 , 정만희 , 김한수 , 김영수
IPC分类号： G01T1/20 , H01L31/08
CPC分类号： G01T1/20 , H01L31/08
摘要： 본발명은방사선을흡수하는섬광체와상기섬광체에형성되는광검출기를포함하고, 상기광검출기는서로이격된위치에배치되는제1 접촉전극과제2 접촉전극및 상기제1 접촉전극과상기제2 접촉전극의사이에연결되어전자의이동경로를형성하는활성층을포함하며, 상기활성층은상기섬광체의형상에대응하여변형될수 있도록, 연성을부여하는 2차원나노물질로형성되는것을특징으로하는방사선검출기를제공한다.
摘要翻译：本发明提供了一种辐射检测器，包括：用于吸收辐射的闪烁体; 以及形成在所述闪烁器中的光电检测器，其中所述光电检测器包括：第一接触电极和布置在彼此间隔开的位置处的第二接触电极; 以及连接在所述第一接触电极和所述第二接触电极之间以形成电子的移动路径的有源层，其中所述有源层由提供延展性的二维纳米材料形成，以响应于变形到闪烁体的形状。

3. 发明授权

KR101556639B1 PET-MRI 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译： PET-MRI PET-MRI装置及其方法
公开(公告)号：KR101556639B1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：KR1020130166828
申请日：2013-12-30
申请人： 한국원자력연구원
发明人： 하장호 , 김한수 , 김영수 , 정만희 , 여순목
IPC分类号： A61B5/055
CPC分类号： G01T1/2985 , A61B5/0035 , A61B5/055 , A61B6/037 , G01R33/28 , G01R33/381
摘要： PET-MRI 장치및 그제조방법이개시된다. 솔레노이드코일(Solenoid Coil) 및자기장보정코일을포함하는원통형구조또는이중극자구조의자기공명단층촬영장치(Magnetic Resonance Imaging, MRI) 및도넛형상의일측면및 타측면에 PET 영상센서전극을형성하는원통형구조또는격자형구조의양전자방출단층촬영장치(Positron Emission Tomography, PET)를포함하고, PET의전기장방향과 MRI의자기장방향이평행하도록 PET를 MRI의내부에형성한다.

4. 发明公开

KR1020140112955A 반도체 센서를 이용한 방사선 계측 시스템 및 계측 방법 有权
标题翻译：半导体检测器，辐射检测系统及其相关方法
公开(公告)号：KR1020140112955A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020130027686
申请日：2013-03-15
申请人： 한국원자력연구원
发明人： 정만희 , 하장호 , 김한수 , 김영수
IPC分类号： H01L27/14 , G01T1/24
摘要： The present invention relates to a semiconductor sensor having a delay line structure and a radiation measurement system and measurement method using the same. The semiconductor sensor includes a semiconductor substrate; a first electrode formed on the upper part of the semiconductor substrate in a single wire electrode structure, an upper layer which is formed on the upper part of the first electrode to prevent the distortion of a high frequency signal and signal loss, and a second electrode which is formed on the lower part of the semiconductor substrate by using a conductive material. The first electrode includes a delay line which is arranged in a zigzag pattern on the upper surface of the semiconductor substrate and first and second cathodes which are connected to both ends of the delay line so as to be applied to a large area radiation imaging system, reduce the number of components of the radiation imaging system, and save production costs.
摘要翻译：本发明涉及一种具有延迟线结构的半导体传感器及其辐射测量系统及其测量方法。半导体传感器包括半导体衬底; 在单线电极结构中形成在半导体衬底的上部的第一电极，形成在第一电极的上部以防止高频信号和信号损失的失真的上层，以及第二电极其通过使用导电材料形成在半导体衬底的下部。第一电极包括在半导体衬底的上表面上以锯齿形图案布置的延迟线和连接到延迟线的两端以便施加到大面积辐射成像系统的第一和第二阴极，减少辐射成像系统的部件数量，节省生产成本。

5. 发明公开

KR1020140112953A 실리콘 방사선 센서를 이용한 컴프턴 에지 검출 기반의 방사선 검출방법 有权
标题翻译：硅辐射检测器，其选择方法及其基于使用其的珀顿边缘检测的辐射检测方法
公开(公告)号：KR1020140112953A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020130027683
申请日：2013-03-15
申请人： 한국원자력연구원
发明人： 정만희 , 하장호 , 김한수 , 김영수
IPC分类号： H01L27/14 , G01T1/24
摘要： The present invention relates to a silicon radiation sensor, a manufacturing method thereof, and a method to detect radiation based on Compton edge detection by using the same. Provided is the composition including (a) a step of forming first and second SiO2 layers on upper and lower surfaces of a silicon wafer respectively, (b) a step of depositing poly silicon by spinning and coating the first SiO2 layer on the upper surface of the wafer and removing the second SiO2 layer on the lower surface of the wafer, (c) a step of patterning the upper surface of the wafer and doping the surface with boron, and (d) a step of forming a cathode electrode on the patterned part of the upper surface of the wafer and forming an anode electrode on the lower surface of the wafer. Therefore, as a silicon radiation sensor having the thickness of more than 1 mm is manufactured by using a general method to manufacture a silicon radiation sensor, a manufacturing cost is reduced.
摘要翻译：本发明涉及一种硅辐射传感器及其制造方法以及通过使用该方法来检测基于康普顿边缘检测的辐射。提供的组合物包括（a）分别在硅晶片的上表面和下表面上形成第一和第二SiO 2层的步骤，（b）通过在第一SiO 2层的上表面上旋转和涂覆第一SiO 2层来沉积多晶硅的步骤晶片，并且去除晶片的下表面上的第二SiO 2层，（c）图案化晶片的上表面并用硼掺杂表面的步骤，以及（d）在图案化上形成阴极电极的步骤晶片的上表面的一部分，并在晶片的下表面上形成阳极电极。因此，通过使用一般的制造硅辐射传感器的方法制造厚度大于1mm的硅辐射传感器，制造成本降低。

6. 发明授权

KR101544488B1 반도체 센서를 표면 실장하는 실장 기판 및 그 실장 방법 有权
标题翻译：用于表面贴装的安装板及其安装半导体传感器的方法
公开(公告)号：KR101544488B1
公开(公告)日：2015-08-17
申请号：KR1020140052558
申请日：2014-04-30
申请人： 한국원자력연구원
发明人： 김한수 , 하장호 , 정만희 , 김영수
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/15183 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 반도체센서를표면실장하는실장기판및 그실장방법이개시된다. 금속패턴이형성된복수의기판의상면에홈이형성된실장기판을생성하는제1 공정단계, 상기홈에금속볼을안착하는제2 공정단계, 상기안착된금속볼을리플로우(reflow) 공정을통하여융해하는제3 공정단계및 상기융해된금속볼의상측에반도체를실장하는제4 공정단계를포함한다.

7. 发明公开

KR1020150072316A 반도체 센서를 표면 실장하는 실장 기판 및 그 실장 방법 有权
标题翻译：表面安装板及其安装半导体传感器的方法
公开(公告)号：KR1020150072316A
公开(公告)日：2015-06-29
申请号：KR1020140052558
申请日：2014-04-30
申请人： 한국원자력연구원
发明人： 김한수 , 하장호 , 정만희 , 김영수
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/15183 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L23/48 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 반도체센서를표면실장하는실장기판및 그실장방법이개시된다. 금속패턴이형성된복수의기판의상면에홈이형성된실장기판을생성하는제1 공정단계, 상기홈에금속볼을안착하는제2 공정단계, 상기안착된금속볼을리플로우(reflow) 공정을통하여융해하는제3 공정단계및 상기융해된금속볼의상측에반도체를실장하는제4 공정단계를포함한다.
摘要翻译：公开了一种用于在其表面上安装半导体传感器的安装板及其安装方法。安装方法包括以金属图案在板的上侧产生具有凹槽的安装板的第一工艺，在槽中接收金属球的第二工艺，通过回流熔化所接收的金属球的第三工艺工艺，以及将半导体安装在熔融金属球的上侧的第四工序。

8. 发明公开

KR1020150034889A 방사선 검출센서의 특성평가 장치 및 방법 无效
标题翻译：辐射检测传感器表征的装置和方法
公开(公告)号：KR1020150034889A
公开(公告)日：2015-04-06
申请号：KR1020130114524
申请日：2013-09-26
申请人： 한국원자력연구원
发明人： 정만희 , 하장호 , 김한수 , 김영수
IPC分类号： G01T1/24 , G01T7/00
CPC分类号： G01T7/005 , G01T1/244
摘要： 본발명에따른방사선검출센서의특성평가장치는, 방사선검출센서의특성을평가하기위한본체, 상기본체와전기적으로연결되는커넥터와, 상기커넥터의일단에형성되어상기방사선검출센서와접촉하는프로브핀을구비한프로브, 소정높이의측벽과, 상기측벽에상하로형성된가이드를구비한베이스, 상기가이드에의해안내되어이동가능한가동부와, 상기프로브핀이하향한상태에서상기커넥터가고정되도록상기가동부로부터연장형성된파지부를구비한커넥터지지부, 상기방사선검출센서의일 측면에방사선을조사하기위한방사선조사부, 상기가동부를상기베이스에위치고정하는고정수단및 상기파지부의하측에이격배치되는센서거치대를포함하여구성된다.
摘要翻译：根据本发明的实施例，用于评估放射线检测传感器的特性的装置和方法包括：用于评估辐射检测传感器的特性的主体; 电连接到主体的连接器; 形成在所述连接器的一端并具有与所述放射线检测传感器接触的探针的探针; 一个预定高度的侧壁; 具有形成在侧壁的上部和下部中的引导件的基部; 由引导件引导以移动的移动单元; 连接器支撑单元，其具有形成为从所述移动单元延伸的夹持单元，使得所述连接器可以在所述探针位于所述下方的同时被固定; 辐射照射单元，辐射到辐射检测传感器的一侧; 固定装置，将移动单元的位置固定在基座上; 以及分别放置在夹持单元的下侧的传感器保持架。

9. 发明授权

KR101487710B1 방사선 영상 센서 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：辐射图像传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR101487710B1
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：KR1020130086515
申请日：2013-07-23
申请人： 한국원자력연구원
发明人： 하장호 , 김한수 , 김영수 , 정만희 , 여순목
IPC分类号： H04N5/32 , H01L27/14 , G01N23/04
CPC分类号： G01T1/2928 , G01T1/2018 , H01L27/14659 , H01L31/085
摘要： 상기한 본 발명의 방사선 영상 센서 및 그 제조 방법에 따르면, 화합물 반도체 기판상에 액상의 전극용 금속화합물을 분사하여 금속 치환 방식을 통해 도전층을 형성하도록 함으로써, 방사선 영상 센서의 제조 방법을 단순화시켜 제조 비용을 절감할 수 있도록 하는 효과를 갖는다.
摘要翻译：辐射图像传感器及其制造方法技术领域本发明涉及一种放射线图像传感器及其制造方法，其通过将金属化合物喷射到化合物半导体基板上，通过金属取代法形成导电层，从而简化了放射线图像传感器的制造，降低了制造成本。

10. 发明授权

KR101478737B1 반도체 센서를 이용한 방사선 계측 시스템 및 계측 방법 有权
标题翻译：具有半导体检测器的辐射检测系统和方法
公开(公告)号：KR101478737B1
公开(公告)日：2015-01-05
申请号：KR1020130027686
申请日：2013-03-15
申请人： 한국원자력연구원
发明人： 정만희 , 하장호 , 김한수 , 김영수
IPC分类号： H01L27/14 , G01T1/24
摘要： 반도체 센서를 이용한 방사선 계측 시스템 및 계측방법에 관한 것으로, 반도체 센서, 상기 반도체 센서에 마련된 제1 및 제2 캐소드와 애노드에 각각 연결되는 제1 내지 제3 전치 증폭기, 상기 제1 내지 제3 전치 증폭기에 각각 연결되는 제1 내지 제3 후치 증폭기, 상기 제1 및 제2 캐소드에서 발생한 신호와 애노드의 신호를 이용해서 전위차 및 시간차를 계산하는 신호처리부 및 상기 신호처리부에서 계산된 결과에 기초하여 입사 방사선의 위치정보 및 에너지 정보를 판별하는 제어부를 포함하는 구성을 마련하여 대면적용 방사선 영상 시스템에 적용할 수 있으며, 방사선 영상 시스템의 부품수를 감소시키고, 제작비용을 절감할 수 있다는 효과가 얻어진다.

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