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1. 发明授权

KR101835840B1 결정질 지르콘이 코팅된 규소계 세라믹, 및 이의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101835840B1
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：KR1020160004243
申请日：2016-01-13
申请人： 한국기계연구원
发明人： 박동수 , 한병동 , 이건환 , 류정호 , 최종진
IPC分类号： C04B41/85 , C04B35/14 , C04B35/106 , C04B35/628 , C04B41/81
摘要： 본발명은결정질지르콘이코팅된규소계세라믹, 및이의제조방법에관한것이다. 본발명에의하면, 규소함유기재의표면에산화규소층을형성하거나규소함유기재의표면에적절한표면거칠기를부여한후 지르콘을코팅함으로써, 우수한고온특성과내산화성을포함한내부식성을나타내는규소계세라믹을용이하게제조할수 있고, 항공부품등의제품에유용하게활용할수 있다.

2. 发明授权

KR101512793B1 플라즈마 발생장치 및 기판의 플라즈마 처리방법 有权
公开(公告)号：KR101512793B1
公开(公告)日：2015-04-17
申请号：KR1020120037089
申请日：2012-04-10
申请人： 한국기계연구원
发明人： 남기석 , 강재욱 , 권정대 , 김동호 , 김창수 , 류승윤 , 박성규 , 윤정흠 , 이건환 , 이성훈 , 정용수
IPC分类号： H05H1/34 , C23C16/50 , H01L21/205
摘要： 본 발명은 안정된 글로우 방전을 유도할 수 있고, 플라즈마가 아크로 전이되는 현상을 억제하여 대기압 근처에서도 안정적으로 고밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있는 플라즈마 발생장치 및 기판의 플라즈마 처리방법을 위하여, 기판을 안착시키기 위한 제1전극 및 상기 제1전극 상에 이격되게 배치되고, 상기 제1전극과 대향하는 면에 형성되어 그 사이에 캐비티를 한정하는 몸체를 포함하는 복수의 캐필러리부들 및 상기 캐비티의 저면부 상의 다공성 도전층을 포함하는 제2전극을 포함하는, 플라즈마 발생장치를 제공한다.

3. 发明授权

KR101404133B1 실란 생성 장치, 실란 생성 방법 및 이를 이용한 규소 강판의 제조방법 有权
标题翻译：硅烷的形成装置，硅烷的形成方法及使用该方法的硅钢片的制造方法
公开(公告)号：KR101404133B1
公开(公告)日：2014-06-13
申请号：KR1020120043775
申请日：2012-04-26
申请人： 한국기계연구원
发明人： 남기석 , 강재욱 , 권정대 , 김동호 , 김창수 , 류승윤 , 박성규 , 윤정흠 , 이건환 , 이성훈 , 정용수
IPC分类号： C01B33/04 , B01J19/12 , C23C16/513 , C23C16/24
摘要： 본 발명의 일 관점에 따른 실란 생성 장치가 제공된다. 제 1 홀을 가지는 제1 전극, 제 2 홀을 가지며 상기 제 1 전극과 이격하여 대향하는 제 2 전극, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 개재된 적어도 하나 이상의 입상 규소(silicon granular) 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 플라즈마를 발생시키기 위하여 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극에 연결된 전원부를 포함한다. 상기 제 1 홀을 통하여 수소 가스가 유입될 수 있고, 상기 제 2 홀을 통하여 상기 플라즈마가 상기 수소와 상기 입상 규소와 반응하여 형성된 실란(SiH
4 )이 유출될 수 있다.

4. 发明授权

KR101326539B1 ＷＯ3 버퍼층을 포함하는 박막형 태양전지 有权
标题翻译：薄膜型太阳能电池包含WO3缓冲层
公开(公告)号：KR101326539B1
公开(公告)日：2013-11-08
申请号：KR1020120000434
申请日：2012-01-03
申请人： 한국기계연구원
发明人： 류승윤 , 김동호 , 남기석 , 정용수 , 권정대 , 이성훈 , 윤정흠 , 이건환 , 김종국
IPC分类号： H01L31/075 , H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： WO
3 버퍼층을 포함하는 박막형 태양전지가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에서는 기판; 상기 기판 상부에 배치되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상부에 배치되는 것으로, 적어도 하나의 p형 반도체층, 적어도 하나의 n형 반도체층 및 적어도 하나의 i형 반도체층이 접합되어 형성되는 광전변환층; 상기 광전변환층 상부에 배치되는 제2 전극; 및 상기 p형 반도체층 및 상기 제1 전극 사이에 배치되는 것으로, WO
3 를 포함하여 형성되는 버퍼층을 포함하는 것을 특징으로 한다.

5. 发明授权

KR101326538B1 이중 버퍼층을 포함하는 박막형 태양전지 有权
标题翻译：薄膜型太阳能电池，包含双缓冲层
公开(公告)号：KR101326538B1
公开(公告)日：2013-11-08
申请号：KR1020120000436
申请日：2012-01-03
申请人： 한국기계연구원
发明人： 류승윤 , 김동호 , 남기석 , 정용수 , 권정대 , 이성훈 , 윤정흠 , 이건환 , 김종국
IPC分类号： H01L31/075 , H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 이중 버퍼층을 포함하는 박막형 태양전지가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지는 기판; 상기 기판 상부에 배치되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상부에 배치되는 것으로, 금(Au) 나노입자를 포함하여 형성되는 제1 버퍼층;상기 제1 버퍼층 상부에 배치되는 것으로, WO
3 를 포함하여 형성되는 제2 버퍼층; 상기 제2 버퍼층 상부에 배치되는 것으로, 적어도 하나의 p형 반도체층, 적어도 하나의 n형 반도체층 및 적어도 하나의 i형 반도체층이 접합되어 형성되는 광전변환층; 및 상기 광전변환층 상부에 배치되는 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.

6. 发明授权

KR101244889B1 보호층이 구비된 반사 방지 기판 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：防反射板及其制造方法
公开(公告)号：KR101244889B1
公开(公告)日：2013-03-18
申请号：KR1020120027763
申请日：2012-03-19
申请人： 한국기계연구원
发明人： 윤정흠 , 나종주 , 이건환 , 권정대 , 이성훈
IPC分类号： B82B1/00 , B82Y30/00 , G02B1/111 , G02B1/115 , B32B15/04
CPC分类号： B82B1/008 , B32B15/04 , B82Y30/00 , G02B1/111 , G02B1/115
摘要： PURPOSE: An anti-reflection substrate including a protection layer and a manufacturing method thereof are provided to easily control an arrangement gap and size of the anti-reflection structure consisting of the anti-reflection layer formed after a preprocess of the surface of a base substrate using a dry etching method such as a plasma prior to a stage of forming an anti-reflection layer. CONSTITUTION: A base substrate(110) transmits a light. A plurality of protrusion type structures(120) is formed on a surface of the base substrate. An anti-reflection layer(130) is formed in a plurality of the protrusion type structures, consists of an anti-reflection structure by evaporation of inorganic particles and is formed on the surface of the base substrate. A protection layer(140) is formed on the other surface of the anti-reflection layer.
摘要翻译：目的：提供一种包括保护层的防反射基板及其制造方法，以容易地控制由基底基板的表面的预处理之后形成的防反射层构成的防反射结构的布置间隙和尺寸在形成抗反射层的阶段之前使用诸如等离子体的干蚀刻方法。构成：基底（110）透射光。在基底基板的表面上形成有多个突起型结构（120）。在多个突起型结构中形成防反射层（130），其由通过蒸发无机颗粒的防反射结构构成，并形成在基底基板的表面上。在防反射层的另一个表面上形成保护层（140）。

7. 发明授权

KR101186986B1 고순도 실리콘의 대량 생산 방법 失效
标题翻译：纯硅的大量生产方法
公开(公告)号：KR101186986B1
公开(公告)日：2012-09-28
申请号：KR1020100127436
申请日：2010-12-14
申请人： 한국기계연구원
发明人： 권정대 , 남기석 , 정용수 , 김종국 , 나종주 , 김도근 , 강재욱 , 이건환 , 이성훈 , 윤정흠 , 김동호 , 이규환
IPC分类号： C01B33/027 , C23C16/24 , C23C16/50
摘要： 본 발명은 플라즈마 CVD 장치를 이용하여 금속급 실리콘을 고순도 실리콘 박막을 증착하여 실리콘 막대를 형성하는 것으로서, 특히 회전전극 주위에 회전하는 실리콘 코어 필라멘트를 설치하는 것을 특징으로 한다. 종래 금속급 실리콘을 고순도화하기 위해서는 지멘스 공법이나 금속 정련법이 이용되었으나, 전력소모가 많은 단점이 있다. 하지만 이 방법으로는 회전전극과 실리콘 코어 필라멘트 사이에서만 방전이 일어나므로 전력소모가 적은 장점이 있고, 저비용으로 고순도의 실리콘을 높은 증착 속도로 대량생산이 가능하다는 장점을 가지고 있다.

8. 发明公开

KR1020120066205A 플라즈마 ＣＶＤ 장치를 이용한 실리콘 막대의 제조방법 有权
标题翻译：使用等离子体CVD装置制造硅棒的方法
公开(公告)号：KR1020120066205A
公开(公告)日：2012-06-22
申请号：KR1020100127433
申请日：2010-12-14
申请人： 한국기계연구원
发明人： 권정대 , 남기석 , 정용수 , 김종국 , 나종주 , 김도근 , 강재욱 , 이건환 , 이성훈 , 윤정흠 , 김동호 , 이규환
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/24 , C23C16/458
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a silicon rod using a plasma CVD(Chemical Vapor Deposition) device is provided to obtain a polysilicon or amorphous silicon rod by controlling CVD conditions to differentiate a crystalline structure. CONSTITUTION: A method for manufacturing a silicon rod using a plasma CVD(Chemical Vapor Deposition) device(1) comprises the steps of: arranging a silicon core filament(30) separately from a rotary electrode(20) in a CVD reaction chamber(10), injecting silicon forming gas and inert gas into the CVD reaction chamber, and rotating the rotary electrode and the silicon core filament and applying power to the rotary electrode to induce chemical reaction of reaction gas with plasma created between the rotary electrode and the silicon core filament so that silicon is deposed on the silicon core filament.
摘要翻译：目的：提供使用等离子体CVD（化学气相沉积）装置制造硅棒的方法，以通过控制CVD条件来区分晶体结构来获得多晶硅或非晶硅棒。构成：使用等离子体CVD（化学气相沉积）装置（1）制造硅棒的方法包括以下步骤：在CVD反应室（10）中将硅芯丝（30）与旋转电极（20）分开布置），将硅形成气体和惰性气体注入到CVD反应室中，并使旋转电极和硅芯丝旋转并向旋转电极施加电力，以引起反应气体与旋转电极和硅芯之间产生的等离子体的化学反应使硅芯片放在硅芯丝上。

9. 发明公开

KR1020120060572A 대기압 플라즈마 화학기상증착법을 이용한 미세결정질 실리콘 박막의 결정화도 조절방법 失效
标题翻译：用于控制由大气压力等离子体CVD装置沉积的微晶硅薄膜的结晶性的方法
公开(公告)号：KR1020120060572A
公开(公告)日：2012-06-12
申请号：KR1020100122148
申请日：2010-12-02
申请人： 한국기계연구원
发明人： 권정대 , 남기석 , 정용수 , 김종국 , 나종주 , 김도근 , 강재욱 , 이건환 , 이성훈 , 윤정흠 , 김동호 , 이규환
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/50 , C23C16/44 , C23C16/24
摘要： PURPOSE: A method for controlling the crystallinity of a micro-crystal silicon thin film deposited by atmospheric pressure plasma CVD is provided to gently linearly change the crystallinity of a silicon thin film, thereby simplifying crystallinity control. CONSTITUTION: A method for controlling the crystallinity of a micro-crystal silicon thin film deposited by atmospheric pressure plasma CVD is as follows. Reaction gas for forming silicon and inert gas are injected into a CVD(Chemical Vapor Deposition) chamber(10) in which an electrode(20) is arranged on a substrate(30). Plasma, which is generated between the substrate and the electrode by applying power to the electrode, induces chemical reaction of the reaction gas so that a silicon thin film is formed on the substrate. During the silicon thin film forming process, the crystallinity of a micro-crystal silicon thin film is controlled by regulating the moving speed of the substrate to the electrode.
摘要翻译：目的：提供通过大气压等离子体CVD沉积的微晶硅薄膜的结晶度的控制方法，轻轻地线性地改变硅薄膜的结晶度，从而简化了结晶度控制。构成：通过大气压等离子体CVD沉积的微晶硅薄膜的结晶度的控制方法如下。将用于形成硅和惰性气体的反应气体注入到其中电极（20）布置在基板（30）上的CVD（化学气相沉积）室（10）中。通过向电极施加电力而在基板和电极之间产生的等离子体引起反应气体的化学反应，从而在基板上形成硅薄膜。在硅薄膜形成工艺期间，通过调节基板到电极的移动速度来控制微晶硅薄膜的结晶度。

10. 发明公开

KR1020100038768A 대기압 플라즈마 ＣＶＤ 장치용 반응기와 이를 이용한 박막형성방법 有权
标题翻译：大气等离子体CVD装置的反应器和使用其形成薄层的方法
公开(公告)号：KR1020100038768A
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：KR1020080097859
申请日：2008-10-06
申请人： 한국기계연구원
发明人： 권정대 , 나종주 , 윤정흠 , 이건환
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/455
摘要： PURPOSE: A reactor for an atmospheric plasma CVD apparatus and a method for forming a thin layer using the same are provided to manufacture elements in various fields by forming a titanium dioxide thin film which has anatase crystal phase. CONSTITUTION: A reactor(10) comprises an electrode(220) for generating plasma, a precursor injector(210), and a plasma reaction gas injector(230). The precursor injector receives precursor which forms a thin film and discharges the precursor to the substrate. The plasma reaction gas injector lets reaction gas into the electrode for generating plasma and forms plasma reaction gas. The plasma reaction gas injector discharges the plasma reaction gas to the substrate.
摘要翻译：目的：提供一种用于大气等离子体CVD装置的反应器和使用其的薄层形成方法，通过形成具有锐钛矿晶相的二氧化钛薄膜来制造各种领域的元件。构成：反应器（10）包括用于产生等离子体的电极（220），前体注入器（210）和等离子体反应气体注入器（230）。前体注入器接收形成薄膜并将前体排出到基底的前体。等离子体反应气体注入器使反应气体进入用于产生等离子体的电极并形成等离子体反应气体。等离子体反应气体喷射器将等离子体反应气体排出到基板。

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