基本信息:
- 专利标题： 실란 생성 장치, 실란 생성 방법 및 이를 이용한 규소 강판의 제조방법
- 专利标题（英）：Apparatus of forming silane, method of forming silane and method of manufacturing silicon steel sheet using the same
- 专利标题（中）：硅烷的形成装置，硅烷的形成方法及使用该方法的硅钢片的制造方法
- 申请号：KR1020120043775 申请日：2012-04-26
- 公开(公告)号：KR101404133B1 公开(公告)日：2014-06-13
- 发明人： 남기석 , 강재욱 , 권정대 , 김동호 , 김창수 , 류승윤 , 박성규 , 윤정흠 , 이건환 , 이성훈 , 정용수
- 申请人： 한국기계연구원
- 申请人地址： 대전광역시 유성구 가정북로 *** (장동)
- 专利权人： 한국기계연구원
- 当前专利权人： 한국기계연구원
- 当前专利权人地址： 대전광역시 유성구 가정북로 *** (장동)
- 代理人： 김남식; 이인행; 양기혁; 한윤호
- 主分类号： C01B33/04
- IPC分类号： C01B33/04 ; B01J19/12 ; C23C16/513 ; C23C16/24
摘要：
본 발명의 일 관점에 따른 실란 생성 장치가 제공된다. 제 1 홀을 가지는 제1 전극, 제 2 홀을 가지며 상기 제 1 전극과 이격하여 대향하는 제 2 전극, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 개재된 적어도 하나 이상의 입상 규소(silicon granular) 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 플라즈마를 발생시키기 위하여 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극에 연결된 전원부를 포함한다. 상기 제 1 홀을 통하여 수소 가스가 유입될 수 있고, 상기 제 2 홀을 통하여 상기 플라즈마가 상기 수소와 상기 입상 규소와 반응하여 형성된 실란(SiH
4 )이 유출될 수 있다.
摘要（英）：
4 )이 유출될 수 있다.
The silane-generating device is provided according to one aspect of the present invention. A first hole for having a first electrode, a second hole to have the first electrode and spaced apart by opposing to the second electrode, the first electrode and the second electrode between the interposing of one or more particulate silicon (silicon granular) and to generate a plasma between the first electrode and the second electrode comprises a power supply connected to the first electrode and the second electrode. May be a hydrogen gas flowing through the first hole, wherein the silane (SiH
4) is formed by the plasma react with the hydrogen and the granular silicon through the holes 2 can be released.
公开/授权文献:
- KR1020130120686A 실란 생성 장치, 실란 생성 방법 및 이를 이용한 규소 강판의 제조방법 公开/授权日：2013-11-05