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1. 发明授权

KR101981543B1 알루미나-실리콘카바이드 복합체의 상압 소결 방법 有权
公开(公告)号：KR101981543B1
公开(公告)日：2019-05-27
申请号：KR1020170087659
申请日：2017-07-11
申请人： 한국기계연구원
发明人： 김하늘 , 고재웅 , 김진명 , 박영조
IPC分类号： C04B35/10 , C04B35/565 , C04B35/64 , C04B35/626 , C04B35/63

2. 发明授权

KR101633035B1 이트리아 기반 전기전도성 내플라즈마 부재 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：基于氧化钇的导电等离子体成员及其方法
公开(公告)号：KR101633035B1
公开(公告)日：2016-06-24
申请号：KR1020140136865
申请日：2014-10-10
申请人： 한국기계연구원
发明人： 김해두 , 이재욱 , 김하늘 , 김진명 , 박영조 , 고재웅
IPC分类号： C04B35/505
CPC分类号： H01B1/16 , C04B35/44 , C04B35/505 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/62675 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/3839 , C04B2235/3843 , C04B2235/3886 , C04B2235/422 , C04B2235/425 , C04B2235/5288 , C04B2235/5436 , C04B2235/5454 , C04B2235/604 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/666 , C04B2235/764 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/9615
摘要： 이트륨산화물을포함하는전기전도성내플라즈마부재가개시된다. 본발명에서상기내플라즈마부재는이트륨산화물로구성되는기지상과, Ti, Zr 및 Hf으로이루어진그룹중에서선택되는최소한 1종의금속의카바이드또는나이트라이드를포함하는분산상으로구성된다. 본발명에따르면, 본발명에따르면, 반도체급의이트리아복합체를제공할수 있어, 포커스링과같은전기전도성을요하는내플라즈마부재로사용가능하다.
摘要翻译：本发明公开了一种包含氧化钇的导电等离子体阻抗构件。本发明的等离子体耐受性构件包括钇化合物，其包含由氧化钇组成的基体相和导电分散相。根据本发明，本发明提供了一种半导体级氧化钇复合材料，其可用作需要导电性的等离子体阻挡构件，如聚焦环。

3. 发明授权

KR101588292B1 TaC 분말 및 이의 제조방법 有权
标题翻译： TAC粉及其制造方法
公开(公告)号：KR101588292B1
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：KR1020140185874
申请日：2014-12-22
申请人： 한국기계연구원
发明人： 이세훈 , 고재웅 , 펑룬
IPC分类号： C01B31/30 , C01G35/00
CPC分类号： C01B32/90 , C01G35/00
摘要： 본발명은 tantalum oxide (TaO) 및탄소원을포함하는혼합슬러리를제조하는단계; 상기혼합슬러리를건조하여, 혼합분말을제조하는단계; 및상기혼합분말을가열하는단계를포함하고, 상기가열승온속도는분당 50 내지 500℃인것을특징으로하는 TaC 분말의제조방법에관한것으로 TaC 분말을제조하기위한출발물질로써 tantalum oxide (TaO) 및탄소원을출발물질로사용하여, 이들을유기용제의내부에용해시킨후, 이를다시건조시켜사용함으로써, 화학적조성의국부적집중을방지하여, 균일하고미세한크기를갖는나노 TaC 분말을제조할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种TaC粉末的制造方法，包括以下步骤：制备包含氧化钽（Ta_2O_5）和碳源的浆料混合物; 通过干燥浆料混合物制备粉末混合物; 并加热粉末混合物，其中加热速率为每分钟50至500℃。通过使用氧化钽和碳源作为起始原料制造具有一致且细小尺寸的纳米尺寸的TaC粉末，将这两种材料溶解在有机溶剂中，并且当用于防止化学组成的局部浓缩时干燥。

4. 发明公开

KR1020150124490A 고열전도율을 갖는 반응소결질화규소의 제조 방법 有权
标题翻译：具有高导热性的烧结反应结合硅氮化物的制造方法
公开(公告)号：KR1020150124490A
公开(公告)日：2015-11-06
申请号：KR1020140050614
申请日：2014-04-28
申请人： 한국기계연구원
发明人： 김해두 , 박영조 , 김진명 , 이재욱 , 고재웅 , 김하늘
IPC分类号： C04B35/64 , C04B35/584 , C04B35/14
CPC分类号： C04B35/591 , C04B35/6261 , C04B35/64 , C04B2235/428 , C04B2235/5445
摘要： 전력디바이스등의방열구조에사용하기적합한고열전도율을갖는반응소결질화규소소결체의제조방법이제공된다. 본발명은 Si 분말을포함하는원료분말을 1 미크론이하의크기로밀링하는단계; 상기밀링된 Si 분말및 소결조제를혼합및 성형하는단계; 상기성형체를 1350~1450C에서질화처리하여상기성형체내에반응결합질화규소를형성하는단계; 및상기반응결합질화규소를 1850C 이상의온도에서후소결하여반응소결질화규소소결체를제조하는단계를포함하는반응소결질화규소소결체의제조방법을제공한다. 본발명에따르면, 높은열전도율의반응소결질화규소소결체를제공할수 있게된다.
摘要翻译：提供一种制造具有高导热性的反应烧结氮化硅的方法，适用于电气装置等的隔热结构。本发明提供一种反应烧结氮化硅烧结体的制造方法，该方法包括以下步骤：将包含Si粉末的原料粉末研磨成1微米或更小的尺寸; 混合和成型研磨的Si粉末和烧结制剂; 在1350-1450℃氮化成型产品，以在成形体中形成反应结合的氮化硅; 并通过在1850℃或更高的温度下对所述反应接合的氮化硅进行后烧结来制造反应烧结的氮化硅烧结体。根据本发明，可以提供具有高导热性的反应烧结的氮化硅烧结体。

5. 发明授权

KR101155548B1 다공성 사이알론, 그 제조 방법 및 그의 응용 失效
标题翻译：多孔赛隆，其制造方法及其应用
公开(公告)号：KR101155548B1
公开(公告)日：2012-06-19
申请号：KR1020080133278
申请日：2008-12-24
申请人： 한국기계연구원
发明人： 박영조 , 고재웅 , 김해두
IPC分类号： C04B35/599 , C04B38/00
摘要： 본 발명은 높은 기공율 및 조대 기공을 갖는 다공성 사이알론, 그 제조 방법 및 그 응용에 관한 것이다. 본 발명은 질화반응 단계, 최소한 둘 이상의 후소결 단계로 이루어지는 다공성 사이알론 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 기공율의 저하 없이 조대 기공을 포함하는 다공성 사이알론을 저렴한 비용으로 제조하는 방법을 제공할 수 있게 된다. 본 발명은 특히 디젤 엔진 매연 제거에 적합한 필터로서 응용될 수 있다.
사이알론, 기공율, 수축율, 조대 기공, 입성장, DPF, 다공체

6. 发明授权

KR100870509B1 고온 자전연소법에 의한 붕소 분말 제조 방법 失效
标题翻译：通过自蔓延高温合成制备硼粉的方法
公开(公告)号：KR100870509B1
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：KR1020060137868
申请日：2006-12-29
申请人： 한국기계연구원
发明人： 유재무 , 고재웅 , 김영국 , 정국채
IPC分类号： C01B35/02 , C01B35/00
摘要： 본 발명은 고온 자전연소법에 의한 붕소 분말 제조 방법에 관한 것으로, 고순도의 붕소 분말을 연소반응의 자체 반응열을 이용하여 부가적인 에너지 공급없이 경제적으로 제조하여 비용을 절감할 수 있는 고온 자전연소법에 의한 붕소 분말 제조 방법을 제공한다. 이를 위한 본 발명은 붕산(H
3 BO
3 ) 분말과, 마그네슘(Mg) 분말 또는 마그네슘 하이드라이드(MgH
2 ) 분말을 불활성 분위기에서 볼밀기를 이용하여 균일 혼합하는 단계와; 상기 혼합된 분말을 원통형태의 성형체로 성형하는 단계와; 상기 성형체를 불활성 분위기의 자전연소 반응기에 넣고 점화시켜 자전연소 반응을 진행시켜 붕소분말과 잔류물을 제조하는 단계와; 상기 제조된 붕소 분말과 잔류물에 산처리 및 수세처리를 반복하고 여과와 건조를 행하여 붕소분말 이외의 불순물을 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 한다. 상기와 같은 구성에 의해 본 발명은 붕소 분말의 제조 시간 및 제조 비용을 절감할 수 있는 동시에 붕소 분말에 마그네슘 다이보라이드상이 미량으로 존재하여 마그네슘 다이보라이드 초전도체를 보다 용이하게 제조할 수 있는 효과가 있다.
자전연소공정, 마그네슘 다이보라이드, 마그네슘 다이보라이드 초전도체

7. 发明授权

KR100624665B1 자기이력 손실이 적은 이축 배향성 금속 테이프 및 그제조방법 有权
标题翻译：低磁损金属带双轴纹理和制造方法
公开(公告)号：KR100624665B1
公开(公告)日：2006-09-19
申请号：KR1020050005428
申请日：2005-01-20
申请人： 한국기계연구원
发明人： 유재무 , 김영국 , 고재웅 , 정국채
IPC分类号： B32B15/01
CPC分类号： H01F41/26 , C25D1/04 , C25D5/12 , C25D5/40 , H01F10/14 , H01F10/265 , Y10T428/12944
摘要： 본 발명은 자기이력 손실이 적은 이축 배향성 금속 테이프 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 니켈층 위에 비자성 금속층이 적층된 형태로 구성된다.
그리고 자기이력 손실이 적은 이축 배향성 금속 테이프의 제조방법은,
단결정이나 그에 가까운 배향성을 가지는 음극과, 고순도 니켈판으로 구성된 양극으로 이루어진 전기도금욕조에서 음극을 회전시켜 표면에 이축집합조직을 가지는 니켈 금속층을 형성시키는 단계와; 상기 음극 표면에 형성된 니켈 금속층을 수세조에서 세정하는 단계와; 상기 세정된 니켈 금속층을 비자성 금속 도금욕으로 된 도금조에서 음극을 회전시켜 그 표면에 비자성 금속층을 형성시켜 니켈/비자성층 금속층을 제조하는 단계와; 상기 니켈/비자성층 금속층으로 된 금속 테이프를 박리하여 권취하는 단계로 이루어진다.
자기이력손실, magnetic hysteresis, 금속 테이프

8. 发明授权

KR100352976B1 전기도금법에 의한 2축 집합조직을 갖는 니켈 도금층 및 그 제조방법 失效
标题翻译： 2具有双轴纹理的Ni板层的电镀工艺和装置
公开(公告)号：KR100352976B1
公开(公告)日：2002-09-18
申请号：KR1019990061762
申请日：1999-12-24
申请人： 한국기계연구원
发明人： 이규환 , 정형식 , 이상로 , 장도연 , 정용수 , 유재무 , 고재웅 , 김해두
IPC分类号： C25D3/12
CPC分类号： C25D5/18 , C25D3/12 , C25D5/006 , C25D5/50
摘要： 본발명은인성이뛰어나고자기적성질이우수한 2축집합조직을갖는전기도금법에의한 2축집합조직을갖는니켈도금층및 그제조방법에관한것으로서, 자기장하에서전기도금을실시하여도금이가능한금속기판위에 2축집합조직을지니는 Ni 도금층을제조하여이를열처리하여 2축집합조직의니켈도금층을재결정시켜 c축배향의미스오리엔테이션(Misorientation)이θ-rocking curve로측정한피크의반가폭값이 7°이내이고, a축과 b축으로이루어진평면상에서의결정립간의미스오리엔테이션이φ-rocking curve로측정한피크의반가폭값이 21°이내인입방정 2축집합조직인것을특징으로하는전기도금법에의한 2축집합조직을갖는니켈도금층을제공한다. 이와같이, 본발명은전기도금법으로 2축집합조직을지닌 Ni도금층을제조하여 YBCO 초전도선재를진공증착법으로증착하기위한기판으로제공할수 있고, 기존의 RABiTS 공정을생산원가시설비및 생산속도면에서대체할수 있을것으로기대되는효과가있다.

9. 发明授权

KR100151833B1 고온 초전도 선재 피복용 은합금 失效
标题翻译：用于涂覆高临界温度超导线的银合金
公开(公告)号：KR100151833B1
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019950061445
申请日：1995-12-28
申请人： 한국기계연구원
发明人： 유재무 , 정형식 , 고재웅 , 김해두
IPC分类号： C22C5/06
摘要： 본 발명은 분말 장입법(Power-in-Tube)에 의해 제조된 고온 초전도체 선재의 기계적 성질 및 전기적 특성을 향상시킨 고온 초전도 선재 피복용 은 합금에 관한 것으로 보다 상세하게는 Ag-Mg-Au, Ag-Mg-Pd, Ag-Mg계 은 합금 피복 재료에 관한 것 이다.
본 발명의 목적은 고온초전도 선재 피복용 은합금은 원자%로 Au : 0.1∼20%, Mg : 0.001∼20%, 잔부 Ag로 조성되는 것과, Pb : 0.1∼20%, Mg : 0.001∼20%, 잔부 Ag로 조성되는 것과 Mg : 0.001∼10%, 잔부 Ag로 조성되는 것을 특징으로 한다.

10. 发明公开

KR1020170063223A 고열전도 질화규소 소결체의 제조방법 审中-实审
标题翻译：制造烧结高导热性氮化硅的方法
公开(公告)号：KR1020170063223A
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：KR1020150169343
申请日：2015-11-30
申请人： 한국기계연구원
发明人： 김해두 , 이재욱 , 김하늘 , 박영조 , 김진명 , 고재웅
IPC分类号： C01B21/068 , C01F17/00 , B01J6/00
摘要： 고열전도질화규소소결체의제조방법이개시된다. 본발명은질화규소및 Y, Sc, Nd 및 Yb으로이루어진희토류금속그룹중에서선택된최소한 2종의희토류금속의산화물을포함하는원료분말로서, xSiN-yAO-zBO(x, y, z는 mol%이고, x, y, z>0, A 및 B는각각선택된희토류금속)로표현되는배합식에따라원료분말을준비하는단계; 상기배합된원료분말을혼합하는단계; 상기혼합된원료분말을성형하는단계; 및상기성형된성형체를소결하는단계를포함하는질화규소소결체의제조방법을제공한다. 본발명에따르면, 높은열전도율의입계상을갖는질화규소소결체를제조가능하게된다.
摘要翻译：公开了一种制造高导热氮化硅烧结体的方法。本发明提供了一种氮化硅以及钇，钪，钕，和含有从由Yb的稀土类金属组中的至少2种的稀土类金属的氧化物的原料粉末，xSiN-耀独立行政实体（X，y，z是摩尔％， x，y，z> 0，A和B分别选自稀土金属）; 将混合的原料粉末混合; 成型混合原料粉末; 然后烧结模制体。本发明还提供了一种制造氮化硅烧结体的方法。根据本发明，能够制造具有高导热率的晶界相的氮化硅质烧结体。

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