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1. 发明公开

KR1020010013160A 플라즈마를 이용한 냉동 공조용 금속 재료 표면상의고분자 중합막 합성방법 失效
标题翻译：用于制冷和空调的金属表面的等离子体聚合增强
公开(公告)号：KR1020010013160A
公开(公告)日：2001-02-26
申请号：KR1019997011143
申请日：1998-12-03
申请人： 한국과학기술연구원 , 주식회사 엘지이아이
发明人： 고석근 , 정형진 , 최원국 , 강병하 , 김기환 , 하삼철 , 김철환 , 최성창
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： C23C16/503 , B05D1/62 , B05D3/148 , B05D5/083 , C23C16/30 , C23C16/50 , C23C16/515 , C23C16/56 , F25B47/003 , F28F13/18 , F28F2245/02 , F28F2245/04
摘要： PURPOSE: Provided is a plasma polymerization for forming a polymer with hydrophilicity or hydrophobicity on a surface of a material by using a DC discharge plasma or an RF discharge plasma. CONSTITUTION: A method for surface processing by plasma polymerization of a surface of a metal, for enhancing its usefulness in a refrigerating and air-conditioning apparatus by using a DC discharge plasma, comprises the steps of: (a) positioning an anode electrode which is substantially of a metal to be surface-modified and a cathode electrode in a chamber; (b) maintaining a pressure in the chamber at a predetermined vacuum level; (c) blowing a reaction gas comprising an unsaturated aliphatic hydrocarbon monomer gas at a predetermined pressure and a non-polymerizable gas at a predetermined pressure into the chamber, the non-polymerizable gas being 50-90% of the entire reaction gas; and (d) applying a voltage to the electrodes in order to obtain a DC discharge, whereby to obtain a plasma consisting of positive and negative ions and radicals generated from the unsaturated aliphatic hydrocarbon monomer gas and the non-polymerizable gas, and then forming a polymer with hydrophilicity on the surface of the anode electrode by plasma deposition.
摘要翻译：目的：提供通过使用DC放电等离子体或RF放电等离子体在材料表面形成具有亲水性或疏水性的聚合物的等离子体聚合。构成：通过等离子体聚合金属表面处理方法，通过使用DC放电等离子体来提高其在制冷空调装置中的用途，包括以下步骤：（a）将阳极电极基本上待表面改性的金属和室中的阴极电极; （b）将腔室内的压力保持在预定的真空度; （c）将预定压力的不饱和脂族烃单体气体和预定压力的不可聚合气体的反应气体吹入室内，所述非可聚合气体为整个反应气体的50-90％; 和（d）向电极施加电压以获得DC放电，从而获得由不饱和脂族烃单体气体和非可聚合气体产生的正离子和负离子和自由基组成的等离子体，然后形成通过等离子体沉积在阳极电极的表面上具有亲水性的聚合物。

2. 发明授权

KR100343717B1 플라즈마를 이용한 냉동 공조용 금속 재료 표면상의고분자 중합막 합성방법 失效
标题翻译：用于制冷和空调的金属表面的等离子体聚合增强
公开(公告)号：KR100343717B1
公开(公告)日：2002-07-20
申请号：KR1019997011143
申请日：1998-12-03
申请人： 한국과학기술연구원 , 주식회사 엘지이아이
发明人： 고석근 , 정형진 , 최원국 , 강병하 , 김기환 , 하삼철 , 김철환 , 최성창
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： C23C16/503 , B05D1/62 , B05D3/148 , B05D5/083 , C23C16/30 , C23C16/50 , C23C16/515 , C23C16/56 , F25B47/003 , F28F13/18 , F28F2245/02 , F28F2245/04
摘要： 본발명에따르면, (a) 챔버내에표면처리되는금속인양극과, 음극을위치시키고; (b) 상기챔버내의압력을소정진공상태로유지하고; (c) 소정압력의불포화지방족탄화수소단량체가스및 중합불능가스를전체반응가스에대하여상기중합불능가스의비율을 50 - 90%가되도록상기챔버내로도입하고; (d) 상기전극에전압을인가하여 DC 방전에의해, 상기챔버내에도입된불포화지방족탄화수소단량체가스및 상기중합불능가스로부터양(+) 및음(-) 이온과라디칼로이루어지는플라즈마를얻고, 플라즈마증착에의해상기양극표면에친수성을갖는고분자중합막을형성하는; DC 방전플라즈마를이용하여열교환기와같은냉동공조에이용되는금속재료표면상에고분자중합막을합성하는방법이제공된다.

3. 发明公开

KR1019990047370A 표면의 친수성 또는 소수성이 향상된 냉동, 공조용 금속재료 및 그 향상 방법 无效
标题翻译：用于冷冻和空调的金属材料在表面亲水性或疏水性方面得到改进，并提供了改善其性能的方法
公开(公告)号：KR1019990047370A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970065740
申请日：1997-12-04
申请人： 한국과학기술연구원 , 주식회사 엘지이아이
发明人： 고석근 , 최원국 , 하삼철 , 정형진 , 강병하 , 김기환 , 김철환
IPC分类号： C23C14/00
摘要： 본 발명은, 냉동 공조용 금속 재료 기판의 고유한 성질에는 영향을 주지 않으면서 에이징 특성이 뛰어난 친수성 또는 소수성 중합막 기능을 가지는 그룹이 그 표면에 형성된 냉동 공조용 금속 재료를 제공하기 위하여, 불포화 지방족 탄화수소 단량체(monomer) 가스, 질소 가스, 분위기 가스 및 냉동 공조용 금속 재료의 표면으로부터 증발한 물질로부터 기인하는 양(+) 또는 음(-) 입자 및 라디칼로 이루어지는 플라즈마로부터 형성되는 친수성 또는 소수성 중합막 기능을 가지는 그룹으로, 상기 그룹은 CH, OH, NH, CN, CC 및 COC로 이루어지는 군으로부터 선택되는 둘 이상의 결합에 의해 형성되고, 상기 그룹내의 탄소, 질소 및 산소의 원자수 비율은 탄소 100에 대하여, 10 내지 30의 질소, 10 내지 30의 산소인 친수성 또는 소수성 중합막 기능을 가지는 그룹을 그 표� �에 가지는 냉동, 공조용 금속 재료 및 DC 방전과 HF 방전의 플라즈마를 이용한 상기 친수성 또는 소수성 중합막 기능을 가지는 그룹을 이용한 상기 금속 표면 개질 방법을 제공한다.

4. 发明授权

KR102236190B1 유기광전자소자의 봉지필름 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102236190B1
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：KR1020200071568
申请日：2020-06-12
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 최원국 , 임근용 , 최원준
IPC分类号： H01L51/44 , H01L51/00
摘要： 본발명은고분자기판의양면상에 SiNx, SiOxNy, SiOx가순차적으로적층된 3중층구조의박막을 2회반복적층시키고, SiNx와 SiOx의계면에형성되는 SiOxNy의물리적특성을강화시킴으로써 2x10-6g/m2/day 이하의매우우수한수분투습율(WVTR, water vapor transmission rate)를갖는유기광전자소자의봉지필름및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른유기광전자소자의봉지필름은플렉서블기판; 및상기플렉서블기판의양면각각에형성된 3중층구조의박막적층체;를포함하여이루어지며, 상기 3중층구조의박막적층체는 SiNx 박막, SiOxNy 박막, SiOx 박막이순차적으로적층된형태이며, 상기 3중층구조의박막적층체가상기플렉서블기판의양면각각에 2번반복하여적층되며, 첫번째박막적층체의 SiOx 박막과두번째박막적층체의 SiNx 박막사이에 SiOxNy 박막이더 구비되며, 봉지필름의수분투습율(WVTR, water vapor transmission rate)가 2x10-6g/m2/day 이하인것을특징으로한다.

5. 发明授权

KR102159993B1 유기광전자소자의 봉지필름 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102159993B1
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：KR1020180153881
申请日：2018-12-03
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 최원국 , 임근용 , 최원준
IPC分类号： H01L51/44 , H01L51/00

6. 发明公开

KR1020160107556A 흑린을 기반으로 하는 트랜지스터 및 전자 소자, 상기 트랜지스터의 제조 방법 有权
标题翻译：基于黑色荧光体的晶体管和电子器件，制造晶体管的方法
公开(公告)号：KR1020160107556A
公开(公告)日：2016-09-19
申请号：KR1020150030450
申请日：2015-03-04
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 송용원 , 최원국 , 임정아 , 황도경 , 나준홍 , 이영택
IPC分类号： H01L29/10 , C01B25/02 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/1025 , C01B25/02 , H01L29/41783 , H01L2924/05432
摘要： 흑린을기반으로하는트랜지스터는, 기판; 상기기판상에서로이격되어형성된소스전극및 드레인전극; 상기기판상에상기소스전극과상기드레인전극을연결하며, 흑린(Black Phosphorus)을포함하는채널층; 및상기흑린을포함하는채널층상에산화알루미늄(Al2O3)을포함하는패시베이션층을포함하는포함한다. 이에따라, 흑린의반응속도를제어하여전기적특성이우수하고저주파잡음이감소한고성능의트랜지스터를제조할수 있다.
摘要翻译：基于黑磷的晶体管包括：基板; 源极和漏极彼此分离形成在衬底上; 连接基板上的源电极和漏极的沟道层，并且包括黑磷; 以及在包含黑磷的沟道层上的包含氧化铝（Al_2O_3）的钝化层。因此，可以制造通过控制黑磷的反应速度而具有优异的电性能和降低的低频噪声的高功能晶体管。

7. 发明公开

KR1020160011244A 다층 박막의 제조 방법, 이로 인해 형성된 다층 박막, 이를 포함하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법 및 이를 통해 제조된 유기 박막 트랜지스터 无效
标题翻译：制造多层薄膜，多层薄膜的方法，包括其的有机薄膜晶体管的制造方法和有机薄膜晶体管
公开(公告)号：KR1020160011244A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：KR1020140088232
申请日：2014-07-14
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 임정아 , 송용원 , 이수진 , 최원국
IPC分类号： H01L51/40 , H01L51/05
CPC分类号： H01L51/0004 , H01L51/0005 , H01L51/0074 , H01L51/0094 , H01L51/0545 , H01L51/0566
摘要： 다층박막의제조방법, 이로인해형성된다층박막, 이를포함하는유기박막트랜지스터제조방법및 이를통해제조된유기박막트랜지스터에관한것으로, 기판을준비하는단계; 유기반도체, 절연성고분자, 및용매를포함하는블렌드용액을상기기판위에인쇄하는단계; 및상기유기반도체및 상기절연성고분자의수직상분리현상을이용하여, 절연성고분자박막및 상기절연성고분자박막상에유기반도체박막이동시에형성되는단계; 를포함하고, 상기블렌드용액내 상기유기반도체및 상기절연성고분자의함량및/또는상기블렌드용액의인쇄속도에따라, 상기유기반도체박막의폭 및절연성고분자박막의두께가제어되는것인다층박막의제조방법을제공할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种制造多层薄膜的方法，由此制造的多层薄膜，包括该多层薄膜的有机薄膜晶体管的制造方法和由此制造的有机薄膜晶体管。制造多层薄膜的方法可以包括以下步骤：制备基材; 在基板上印刷有机半导体，绝缘聚合物，包括溶剂的共混溶液; 并且通过使用有机半导体和绝缘聚合物的垂直相分离现象，在绝缘聚合物薄膜和绝缘聚合物薄膜上同时形成有机半导体薄膜。根据混合溶液的印刷速度或共混溶液中有机半导体和绝缘聚合物的含量，控制绝缘聚合物薄膜的厚度和有机半导体薄膜的宽度。

8. 发明公开

KR1020150072888A 양자점 감응형 산화물 광감지 트랜지스터와 그 제조방법 无效
标题翻译：量子敏感金属氧化物照相机及其制造工艺
公开(公告)号：KR1020150072888A
公开(公告)日：2015-06-30
申请号：KR1020130160542
申请日：2013-12-20
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 황도경 , 최원국 , 이윤재
IPC分类号： H01L51/05
CPC分类号： H01L51/42
摘要： 본발명은양자점감응형산화물광감지트랜지스터와그 제조방법에관한것으로서, 더욱상세하게는산화물반도체(IGZO) 박막트랜지스터에리간드치환반응시킨양자점광흡수층을산화물전하수송층으로형성시킴으로서전류점멸비가우수하고집적화가용이한트랜지스터를제조할수 있으며, 부가적인집적화공정없이도트랜지스터센서어레이를용이하게제작할수 있으므로유리또는플라스틱기판에도집적화가용이하여다양한평판디스플레이이미지센서로적용가능한새로운개념의양자점감응형산화물광감지트랜지스터에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种量子点敏化氧化物光敏晶体管及其制造方法，更具体地说，涉及一种新概念的量子点敏化氧化物光敏晶体管，其被应用于各种平板显示图像传感器，玻璃或塑料基板，通过容易地制造晶体管传感器阵列而不需要额外的集成工艺，并制造能够容易地获得积分并通过形成量子光吸收层获得导通和截止电流比的晶体管，以在IGZO上进行配体交换过程薄膜晶体管作为氧化物电荷传输层。

9. 发明授权

KR101495764B1 단일층 양자점 전자수송층을 가진 역구조 유기 태양전지소자 및 제작방법 有权
标题翻译：在电子转移层中含有量子点单层的倒置的有机太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR101495764B1
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：KR1020140033339
申请日：2014-03-21
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 손동익 , 최원국 , 문병준 , 배수강 , 이동수 , 이규승
IPC分类号： H01L51/44
CPC分类号： Y02E10/549 , H01L51/44
摘要： 반도체 양자점을 단일층으로 형성하여 전자수송층 및 광흡수를 증가시키는 태양전지 및 제조방법을 제공한다. 역구조 유기 태양전지는 기판상에 순차 적층된 제1 전극, 전자수송층, 광활성층, 정공수송층 및 제2 전극을 포함하고, 상기 전자수송층은 양자점을 갖는 반도체를 특징으로 하여 광전변환효율을 증가시켜 우수한 역구조 유기 태양전지를 제공할 수 있다
摘要翻译：提供能够通过形成量子点单层来增加光吸收的有机太阳能电池和电子转移层及其制造方法。倒置的有机太阳能电池包括依次形成在基板上的第一电极，电极转移层，光活性层，空穴传输层和第二电极。电子转移层由具有量子点的半导体制成，从而提高光电转换效率并提供反向有机太阳能电池。

10. 发明授权

KR101357045B1 그라핀이 결합된 산화물 반도체-그라핀 핵-껍질 양자점과 이를 이용한 튜너블 발광소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：可调谐发光二极管使用石墨烯共轭金属氧化物半导体 - 石墨烯核 - 壳量子点及其制造工艺
公开(公告)号：KR101357045B1
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：KR1020110112972
申请日：2011-11-01
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 최원국 , 손동익 , 권병욱 , 박동희
IPC分类号： C09K11/02 , C09K11/54
CPC分类号： H01L33/06 , C09K11/54 , H01L33/005 , H01L33/26 , H01L51/0003 , H01L51/0045 , H01L51/502 , H05B33/10 , H05B33/14
摘要： 본 발명은 산화물 반도체에 전기적 특성이 우수한 그래핀을 화학적 방법으로 결합시켜서 산화물 반도체-그래핀 핵-껍질 양자점을 제조하고, 이를 이용하여 발광소자를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 이러한 새로운 양자점을 이용한 발광소자는 광전효율이 우수하고 재료 및 부대 공정 시설 비용이 저렴하며, 공정이 간단하고, 대량생산 및 대면적화가 가능한 효과가 있다. 또한 다양한 다성분계 금속 산화물 반도체를 이용하여 다양한 파장의 발광소자를 제조할 수 있는 핵-껍질 양자점과 이를 이용한 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

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