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1. 发明公开

KR1020160025457A 평가용 마스크, 평가 방법, 노광 장치 및 물품의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：评估方法，评估方法，曝光装置和制造方法
公开(公告)号：KR1020160025457A
公开(公告)日：2016-03-08
申请号：KR1020150116433
申请日：2015-08-19
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 안도미와코
IPC分类号： G03F1/38 , G03F7/20 , G03F1/84 , G03F1/76
摘要： 본발명은기판을노광하는노광장치의성능을평가할때에사용되는평가용마스크로서, 상기노광장치의제1 성능을평가하기위한제1 패턴및 제2 패턴과, 상기제1 패턴을포함하는제1 부분영역에서의단위면적당의개구부와차광부의제1 비율과, 상기제2 패턴을포함하는제2 부분영역에서의단위면적당의개구부와차광부의제2 비율의차분을 ±10% 이내로하기위한더미패턴을갖는것을특징으로하는평가용마스크를제공한다.
摘要翻译：本发明涉及用于评价将光曝光于基板的曝光装置的性能的评价掩模。本发明的评价掩模具有：评价曝光装置的第一性能的第一图案和第二图案; 以及将第一比率和第二比率之间的差值设定在±10％以内的虚拟图案，其中，所述第一比率是指包括所述第一比例的第一局部区域中的每单位面积的开口单元和屏蔽单元的比率图案，第二比率是指包括第二图案的第二部分区域中的开口单元和屏蔽单元每单位面积的比率。

2. 发明公开

KR1020080114598A 노광장치 및 디바이스 제조방법 有权
标题翻译：曝光装置和装置制造方法
公开(公告)号：KR1020080114598A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：KR1020080060555
申请日：2008-06-26
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 안도미와코
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03B27/54 , G03F7/70091 , G03F9/7003 , G03F9/7069
摘要： An exposure apparatus and manufacturing method of device are provided to prevent excessive degradation of measuring accuracy by including a projection optical system. An exposure apparatus includes an illumination optical system(IL), a round stage(RS), a projection optical system(PO), a wafer stage(WS), an measuring system(M), and a controller(CNT). The illumination optical system changes a lighting condition. The round stage maintains the round. The wafer stage maintains the wafer. A pattern of the round stage is projected on a target substrate through the projection optical system by illuminating a corresponding round stage using the illumination optical system. The measuring system performs an exposure control measurement using a first mark arranged on the round stage and a second mark arranged on the wafer stage. The controller sets up an illumination condition different from a predetermined illumination condition.
摘要翻译：提供了一种曝光装置和装置的制造方法，以通过包括投影光学系统来防止测量精度的过度劣化。曝光装置包括照明光学系统（IL），圆台（RS），投影光学系统（PO），晶片台（WS），测量系统（M）和控制器（CNT）。照明光学系统改变照明条件。圆舞台保持轮回。晶片台保持晶片。通过使用照明光学系统照射相应的圆形台阶，圆台的图案通过投影光学系统投射在目标基板上。测量系统使用布置在圆台上的第一标记和布置在晶片台上的第二标记来执行曝光控制测量。控制器建立与预定照明条件不同的照明条件。

3. 发明公开

KR1020080093886A 노광장치 및 디바이스 제조방법 有权
标题翻译：曝光装置和装置制造方法
公开(公告)号：KR1020080093886A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：KR1020080034431
申请日：2008-04-15
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 안도미와코 , 오사키요시노리
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/7085 , G03F7/706
摘要： An exposure apparatus is provided to precisely measure the wave front aberration of a projection optical system by including a projection optical system for projecting the pattern of a reticle to a substrate. An interferometer measures the wave front of the light passing through a projection optical system(5) in first and second directions. A focal position detecting unit respectively detects the focal positions of the projection optical system in the first and second directions. A calculation unit calculates the wave front aberration of the projection optical system based upon the measurement result of the interferometer and the detection result of the focal position detecting unit. The calculation unit calculates astigmatism of the projection optical system based upon the detection result of the focal position detecting unit.
摘要翻译：提供一种曝光装置，用于通过包括投影光学系统来精确地测量投影光学系统的波前像差，该投影光学系统用于将掩模版的图案投影到基板。干涉仪测量在第一和第二方向上通过投影光学系统（5）的光的波前。焦点位置检测单元分别在第一和第二方向上检测投影光学系统的焦点位置。计算单元基于干涉仪的测量结果和焦点位置检测单元的检测结果来计算投影光学系统的波前像差。计算单元基于焦点位置检测单元的检测结果来计算投影光学系统的像散。

4. 发明授权

KR101019767B1 노광장치 및 디바이스 제조방법 有权
标题翻译：曝光装置和装置制造方法
公开(公告)号：KR101019767B1
公开(公告)日：2011-03-04
申请号：KR1020080034431
申请日：2008-04-15
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 안도미와코 , 오사키요시노리
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/7085 , G03F7/706
摘要： 본 발명은, 원판의 패턴을 기판에 투영하는 투영 광학계를 구비한 노광장치로서, 투영 광학계를 통과한 광의 제1방향의 파면과 제2방향의 파면을 측정하는 간섭계와; 투영 광학계의 제1 및 제2방향의 초점위치를 검출하는 초점 검출 수단과; 간섭계의 측정결과와 초점 검출 수단의 검출결과에 의거해서 투영 광학계의 파면수차를 산출하는 산출수단을 구비한 노광장치를 제공하는 것이다.
摘要翻译：本发明是一种具有用于投射原稿的图案应用到衬底上的投影光学系统的曝光装置中，上述干涉仪已经通过投影光学系统在第一方向和波前测量的波前在第二方向上通过的光; 聚焦检测装置，用于检测投影光学系统在第一和第二方向上的聚焦位置; 以及计算装置，用于基于干涉仪的测量结果和焦点检测装置的检测结果来计算投影光学系统的波前像差。

5. 发明授权

KR100976302B1 노광장치 및 디바이스 제조방법 有权
标题翻译： 노광장치및디바이스제조방법
公开(公告)号：KR100976302B1
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：KR1020080060555
申请日：2008-06-26
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 안도미와코
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03B27/54 , G03F7/70091 , G03F9/7003 , G03F9/7069
摘要： 노광장치는 노광 제어 계측을 원판 스테이지 위에 배치된 제1마크와 기판 스테이지 위에 배치된 제2마크를 사용해서 수행하는 계측 시스템; 및 소정의 조명 조건 하에 기판을 노광하기 위해서 상기 계측 시스템에 의해 계측이 수행될 때에 상기 소정의 조명 조건과는 다른 조명 조건을 설정 가능한 제어부를 포함한다.
摘要翻译：曝光设备包括测量系统和控制单元，该测量系统使用布置在原始台上的第一标记和布置在基板台上的第二标记来执行曝光控制测量，该测量系统可以在测量系统执行测量以便曝光在特定的照明条件下照明的基板，与该特定的照明条件不同的照明条件。

6. 发明授权

KR102198599B1 마스크, 계측 방법, 노광 방법, 및 물품 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102198599B1
公开(公告)日：2021-01-06
申请号：KR1020170085851
申请日：2017-07-06
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 안도미와코 , 고노미치오 , 오카마사유키
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 기판상에노광되는제1 샷영역의위치와제1 샷영역의일부에연결영역을형성하여노광되는제2 샷영역의위치의어긋남을계측하기위한제1, 제2 마크를갖는마스크이며, 제1 마크는제1 샷영역내의연결영역에노광되는마크이며, 제1 감광영역과제1 감광영역의광투과율과는다른광투과율의제1 영역을갖고, 제2 마크는제2 샷영역내의연결영역에제1 마크와겹쳐서노광되는마크이며, 제2 감광영역과제2 감광영역의광투과율과는다른광투과율의제2 영역을갖고, 제1, 제2 마크를겹친경우에제1 마크의제1 영역의경계가제2 마크의제2 감광영역에있고, 제2 마크의제2 영역의경계가제1 마크의제1 감광영역에있다.

7. 发明授权

KR101952990B1 평가용 마스크, 평가 방법, 노광 장치 및 물품의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101952990B1
公开(公告)日：2019-02-27
申请号：KR1020150116433
申请日：2015-08-19
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 안도미와코
IPC分类号： G03F1/38 , G03F7/20 , G03F1/84 , G03F1/76

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