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1. 发明公开

KR1020160026887A 디커플링 코팅을 갖는 미러들의 표면 보정 审中-实审
标题翻译：倒装涂层反光镜的表面校正
公开(公告)号：KR1020160026887A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：KR1020157036187
申请日：2014-06-11
申请人： 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하
发明人： 디어올리버 , 하클토비아 , 슈틱켈프란츠-요제프 , 뢰링울리히 , 아쓰무스틸만 , 뮐러유르겐 , 카메노프블라디미르 , 레논지그프리드
IPC分类号： G02B5/08 , G03F7/20 , G21K1/06 , H05G2/00
CPC分类号： G03F7/702 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G02B27/0025 , G03F7/70308 , G03F7/70316 , G03F7/706 , G03F7/70975 , G21K1/062 , H05G2/005
摘要： 본발명은기판(2) 및반사코팅(3, 4)을포함하는 EUV 리소그래피를위한미러(1)에관한것이며, 여기서반사코팅은제1 그룹(3)의층들(3a, 3b) 및제2 그룹(4)의층들(4a, 4b)을포함하고, 제1 그룹(3)의층들(3a, 3b) 및제2 그룹(4)의층들(4a, 4b)은각각의경우에 5㎚내지 30㎚의범위의이용파장을갖는방사선을반사하도록설계되고, 제1 그룹(3)의층들(3a, 3b)은기판(2)과제2 그룹(4)의층들(4a, 4b) 사이에배열되고, 제1 그룹(3)의층들(3a, 3b)과제2 그룹(4)의층들(4a, 4b) 사이에디커플링코팅(6)이배열되고, 디커플링코팅은, 이용파장을갖는방사선이제1 그룹(3)의층들(3a, 3b)에도달하는것을방지함으로써제1 그룹(3)의층들(3a, 3b)로부터제2 그룹(4)의층들(4a, 4b)을광학적으로디커플링하도록설계된다. 반사코팅(3, 4)은바람직하게는미러(1)의표면형태를보정하기위한층 두께변동을갖는보정층(5)을갖는다. 또한, 본발명은적어도하나의미러를포함하는 EUV 리소그래피를위한투영광학유닛과광학시스템, 이러한미러의표면형태를보정하기위한방법, 및이러한투영광학유닛의결상특성들을보정하기위한방법에관한것이다.

2. 发明授权

KR102206308B1 디커플링 코팅을 갖는 미러들의 표면 보정 有权
公开(公告)号：KR102206308B1
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：KR1020157036187
申请日：2014-06-11
申请人： 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하
发明人： 디어올리버 , 하클토비아 , 슈틱켈프란츠-요제프 , 뢰링울리히 , 아쓰무스틸만 , 뮐러유르겐 , 카메노프블라디미르 , 레논지그프리드
IPC分类号： G02B5/08 , G03F7/20 , G21K1/06 , H05G2/00
摘要： 본발명은기판(2) 및반사코팅(3, 4)을포함하는 EUV 리소그래피를위한미러(1)에관한것이며, 여기서반사코팅은제1 그룹(3)의층들(3a, 3b) 및제2 그룹(4)의층들(4a, 4b)을포함하고, 제1 그룹(3)의층들(3a, 3b) 및제2 그룹(4)의층들(4a, 4b)은각각의경우에 5㎚내지 30㎚의범위의이용파장을갖는방사선을반사하도록설계되고, 제1 그룹(3)의층들(3a, 3b)은기판(2)과제2 그룹(4)의층들(4a, 4b) 사이에배열되고, 제1 그룹(3)의층들(3a, 3b)과제2 그룹(4)의층들(4a, 4b) 사이에디커플링코팅(6)이배열되고, 디커플링코팅은, 이용파장을갖는방사선이제1 그룹(3)의층들(3a, 3b)에도달하는것을방지함으로써제1 그룹(3)의층들(3a, 3b)로부터제2 그룹(4)의층들(4a, 4b)을광학적으로디커플링하도록설계된다. 반사코팅(3, 4)은바람직하게는미러(1)의표면형태를보정하기위한층 두께변동을갖는보정층(5)을갖는다. 또한, 본발명은적어도하나의미러를포함하는 EUV 리소그래피를위한투영광학유닛과광학시스템, 이러한미러의표면형태를보정하기위한방법, 및이러한투영광학유닛의결상특성들을보정하기위한방법에관한것이다.

3. 发明公开

KR1020140126304A EUV 리소그래피를 위한 광학 장치 审中-实审
标题翻译：用于EUV光刻的光学装置
公开(公告)号：KR1020140126304A
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：KR1020147020525
申请日：2013-01-14
申请人： 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하
发明人： 바에르노르만 , 그루너토랄프 , 뢰링울리히
IPC分类号： G03F7/20 , G02B13/14 , G02B17/06
CPC分类号： G03F7/70891 , G02B17/0663 , G03F7/70316 , G03F7/706 , G03F7/70958
摘要： 본 발명은 광학 장치, 특히 마이크로리소그래피를 위한 투영 렌즈로서, 광학 표면(31a) 및 기재(32)를 포함하는 적어도 하나의 광학 요소(21) - 기재(32)는 기준 온도(T
ref )와 관련된 영점 교차 온도(ΔT
ZC = T
ZC - T
ref )에서 온도-의존적 열 팽창 계수가 0인 재료로 형성됨 - 를 포함하고, 광학 표면(31a)은 광학 장치의 작동 중, 국소 방사 조도(5a)에 의존하고 기준 온도(T
ref )와 관련되며 평균 온도(ΔT
av ), 최저 온도(ΔT
min ) 및 최고 온도(ΔT
max )를 갖는 위치-의존적 온도 분포(ΔT(x, y))를 가지며, 평균 온도(ΔT
av )는 최저 온도(ΔT
min ) 및 최고 온도(ΔT
max )로부터 형성된 평균값(1/2(ΔT
max + ΔT
min ))보다 작고, 영점 교차 온도(ΔT
ZC )는 평균 온도(ΔT
av )보다 큰 광학 장치에 관한 것이다. 본 발명은 또한 투영 렌즈 형태의 그러한 광학 장치를 포함하는 EUV 리소그래피 장치와 광학 장치를 구성하기 위한 관련 방법에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种光学装置，其包括：至少一个包括光学表面和基底的光学元件，其中所述基底由在过零点温度下的温度依赖性热膨胀系数Dgr; TZC = TZC-Tref 与参考温度Tref等于零，其中光学表面在光学装置的操作期间具有取决于局部辐照度（5a）的位置相关的温度分布＆Dgr; T（x，y），与参考温度Tref有关，具有平均温度Dgr; Tav，最低温度Dgr; Tmin和最高温度Dgr; Tmax，其中平均温度Dgr; Tav小于平均值1/2（＆Dgr; Tmax + Dgr; Tmin）由最低温度Dgr; Tmin和最高温度Dgr; Tmax形成，其中过零点温度Dgr; TZC大于平均温度Dgr; Tav。

4. 发明授权

KR102073038B1 EUV 리소그래피를 위한 광학 장치 有权
公开(公告)号：KR102073038B1
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：KR1020147020525
申请日：2013-01-14
申请人： 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하
发明人： 바에르노르만 , 그루너토랄프 , 뢰링울리히
IPC分类号： G03F7/20 , G02B13/14 , G02B17/06

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