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1. 发明授权

KR101538578B1 세륨의 첨가로 자기열량효과가 향상된 란탄스트론튬망간산화물 자성체 및 그 제조방법 有权
标题翻译： LA0.7SR0.3MNO3具有改进的相对冷却功率的磁性材料以及其制造方法
公开(公告)号：KR101538578B1
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：KR1020140031662
申请日：2014-03-18
申请人： 창원대학교 산학협력단
发明人： 구본흔 , 모하마드샤피그안와르 , 이승록
IPC分类号： H01F1/10 , H01F41/02
CPC分类号： H01F1/10 , H01F1/08 , H01F41/02
摘要： 본발명은세륨의첨가로자기열량효과가향상된란탄스트론튬망간산화물자성체및 그제조방법에관한것으로서, 농도가다른세륨이도핑된란타늄망가나이트의자기열량효과에대한것이다. 다결정 LaCeSrMnO(0≤x≤0.3) 샘플은 X-선회절을이용하여확인된상 순도및 구조와함께전형적인고상반응법을이용하여준비되었다. 온도의존자화도측정및 Arrott 분석은모샘플에서 2번째로강자성을보여줄뿐만아니라, x=0.0에대해 370K에서부터 x=0.30에대해 370K 이상까지증가하는세륨농도로퀴리온도가점진적으로감소하는도핑된샘플로나타난다. 마그네틱엔트로피변화는일련의등온필드의존자화도곡선에서열역학적맥스웰방정식을적용하여계산하였다. LaCeSrMnO샘플에서강자성-상자성천이와관련된큰 자기엔트로피변화가관찰되었다. 자기엔트로피변화의값은 x=0.15 이상으로세륨이도핑됨에따라증가하는것으로확인되었다 . 그것은자기엔트로피최대값이 1T와 2T에서적용된자기장의변화에따라변화하는 356K의퀴리온도에서 LaCeSrMn샘플은각 각각 1.41과 2.12JKg1K이라는것을보여준다. 또한, 개선된비교냉각력은동일한조성물에대해관찰된다. 큰자기엔트로피변화와높은퀴리온도에기인하여 LaCeSrMn샘플은실온이상에서자기냉각기술에대한잠재적인자기냉매로사용되도록제안된다.
摘要翻译：本发明涉及通过添加铈而具有改善的磁热效应的镧锶锰氧化物磁性材料及其制造方法。根据本发明，通过添加铈具有改进的磁热效应的镧锶锰氧化物磁性材料包括多晶镧锶锰氧化物，其中铈被掺杂以示出与室温相邻的相变温度。

2. 发明公开

KR1020120092339A ｎ형 ＳｎＯ₂투명전극 재료 有权
标题翻译： N型SNO2透明导电材料
公开(公告)号：KR1020120092339A
公开(公告)日：2012-08-21
申请号：KR1020110012329
申请日：2011-02-11
申请人： 창원대학교 산학협력단
发明人： 구본흔 , 김근우 , 서용준 , 성창훈
IPC分类号： H01B1/08 , H01J17/04
摘要： PURPOSE: An n-type tin dioxide transparent material is provided to have low resistivity, high transmittance, and excellent electrical properties. CONSTITUTION: An n-type tin dioxide transparent material is obtained by substituting Al2O3 and Y2O3 comprising trivalent cations in SnO2 at the same time. A substituted ratio of the Al2O3 and Y2O3 is 0-10 wt%. The Al2O3 and the Y2O3 consists of xAl2O3-(6-x)Y2O3-SnO2. The SnO2 transparent electrode material satisfies specific resistance under 6.73×10^(-3) Ωcm and light transmittance over 80%.
摘要翻译：目的：提供n型二氧化锡透明材料以具有低电阻率，高透射率和优异的电性能。构成：通过在SnO2中同时取代包含三价阳离子的Al 2 O 3和Y 2 O 3来获得n型二氧化锡透明材料。 Al 2 O 3和Y 2 O 3的取代比例为0〜10重量％。 Al2O3和Y2O3由xAl2O3-（6-x）Y2O3-SnO2组成。 SnO2透明电极材料满足6.73×10 ^（ - 3）Ωcm的电阻率和80％以上的透光率。

3. 发明授权

KR102056412B1 플라즈마 전해 산화법을 이용한 산화막 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR102056412B1
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：KR1020170146032
申请日：2017-11-03
申请人： 창원대학교 산학협력단
发明人： 구본흔 , 레흐만지샨우르 , 신성훈 , 김민수 , 이형욱 , 박성진
IPC分类号： C25D11/02 , C25D11/30

4. 发明授权

KR101789981B1 Mo 자리 W 치환에 의한 향상된 자기열량 효과를 가지는 이중 페로브스카이트 구조 산화물 有权
标题翻译：由于Mo部分W的取代而具有改善的磁热效应的双钙钛矿结构氧化物
公开(公告)号：KR101789981B1
公开(公告)日：2017-10-25
申请号：KR1020170064825
申请日：2017-05-25
申请人： 창원대학교 산학협력단
发明人： 구본흔 , 후사인이마드 , 김은지 , 전소은
IPC分类号： C01G49/00
摘要： 본발명은이중페로브스카이트구조를가지는산화물 BaFeMoO에있어서, 상기 Mo 자리의일부가 W 로치환된조성을가지는것을특징으로한다. 본발명을통해향상된자기열량효과를가지는이중페로브스카이트구조의친환경물질을제공할수 있다.
摘要翻译：本发明是具有双钙钛矿结构的氧化物BaFeMoO，其特征在于部分Mo的一部分具有通过W环相变而获得的组成。本发明可以提供具有改善的磁热量效应的双钙钛矿结构的环保材料。

5. 发明公开

KR1020160045389A 산화주석과 아연으로 이루어진 다층구조 박막을 이용한 투명전극의 제조방법 및 그에 의한 투명전극 无效
标题翻译：使用多层薄膜对SNO2和ZN和透明电极进行透明电极的制作方法
公开(公告)号：KR1020160045389A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：KR1020140140855
申请日：2014-10-17
申请人： 창원대학교 산학협력단
发明人： 구본흔 , 김성재 , 박근영
IPC分类号： H01B13/00 , H01B1/22 , B32B15/04 , H01L31/18 , C23C14/34 , C23C14/58 , G06F3/041
CPC分类号： Y02P70/521 , H01B13/0016 , B32B15/043 , C23C14/34 , C23C14/5806 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , H01B1/22 , H01L31/1884
摘要： 본발명은산화주석(SnO)과아연(Zn)으로이루어진다층구조박막을이용한투명전극의제조방법및 그에의한투명전극에관한것으로서, 금속과 TCO(Transparent Conducting Oxide)가순차적으로적층되어이루어지는다층구조박막을이용한투명전극의제조방법에있어서, 쿼츠(Quartz) 기판위에서스퍼터링(Sputtering)법에의해일정두께의산화주석(SnO)과아연(Zn)을적층하여제조하되, 상기아연(Zn)은 5∼50㎚의두께로적층하고적층후에 350∼500℃의온도에서 1∼8시간동안열처리하여이루어지며, 열처리후 가시광선의영역에서광 투과율에있어 85% 이상의고 투과성을나타내며, 아연(Zn) 두께의증가에따라비저항이감소하고, 특히특정두께의아연(Zn)에서 p-형전도형태를보이는효과가있다.
摘要翻译：本发明涉及一种使用由氧化锡（SnO_2）和锌（Zn）构成的多层薄膜和使用其的透明电极制造透明电极的方法。根据依次层叠金属和透明导电性氧化物（TCO）的多层薄膜的透明电极的制造方法，通过氧化锡（SnO_2）和具有通过溅射法将预定厚度层压在石英基板上。锌（Zn）以5-50nm的厚度层叠，层压后在350〜500℃的温度下进行1〜8小时的热处理。热处理后，在可见光区域的透光率为85％以上时，透过率高，随着锌（Zn）的厚度增加，电阻率降低，p型导通在具有特定厚度的锌（Zn）中。

6. 发明公开

KR1020140123669A 니켈을 포함하는 실온 자기 냉동용 페라이트 화합물 无效
标题翻译：包含近邻和超过室温制冷的铱氰化合物
公开(公告)号：KR1020140123669A
公开(公告)日：2014-10-23
申请号：KR1020130040739
申请日：2013-04-15
申请人： 창원대학교 산학협력단
发明人： 구본흔 , 모하마드샤피그안와르 , 이승록
IPC分类号： C01G53/00 , C01G49/00 , F25B21/00
CPC分类号： Y02B30/66 , C09K5/14 , C01G53/006 , C01P2002/32 , F25B21/00 , F25B2321/002
摘要： 본 발명은 지구 온난화의 주범으로 인식되고 있는 증기 압축 기술(vapor compression approach)의 친환경 대체 기술로서 주목 받고 있는 자기 냉동(magnetic refrigeration) 기술에서 냉각재로 사용될 수 있는, 편재 자기적 금속(ubiquitous magnetic metals)의 일부 비자기적 치환을 통해 제조된 자기 냉동용 페라이트 화합물 및 이를 포함하는 실온 자기 냉동용 냉각재에 관한 것으로, 본 발명의 페라이트 화합물은 퀴리 온도가 비교적 낮으면서도, 우수한 저온 자기화(magnetization), 최대 자기 엔트로피 변화(maximum magnetic entropy changes) 및 상대 냉각력(relative cooling power,
RCP ) 특성을 나타내므로, 실온 자기 냉동 기술을 이용한 친환경 냉장고, 에어컨 등의 친환경 냉장, 냉동 및 냉방 기기 개발에 유용하게 활용될 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及通过普遍存在的磁性金属的部分非磁性取代制造的磁性制冷用铁素体化合物及包括该磁性制冷剂在室温下的制冷剂。用于磁性制冷的铁氧体化合物可用作磁性制冷技术中的冷却剂，其被接受聚光灯作为替代蒸汽压缩方法的环保技术，其被认为是全球变暖的主要贡献者。根据本发明的铁氧体组合物可以有效地应用于环境友好的制冷，冷冻和冷却装置如环境友好的冰箱和使用磁性制冷技术在室温下的空调，因为铁氧体组合物具有较低的居里温度，优异的低温磁化强度，最大磁熵变和相对冷却功率（RCP）。

7. 发明公开

KR1020170132990A 유연성 기판 상에 형성된 금속전극의 제조방법 및 이에 의해 제조된 금속전극 无效
标题翻译：一种制造在柔性基板和金属电极上形成的金属电极的方法
公开(公告)号：KR1020170132990A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：KR1020160063845
申请日：2016-05-25
申请人： 창원대학교 산학협력단
发明人： 구본흔 , 김은지 , 조현지
IPC分类号： C23C14/20 , C23C14/02 , C23C14/34 , C23C14/54 , H01L33/40 , H01L31/0392 , H01L31/0224 , H01L51/00
摘要： 본발명은 (a) 자외선을조사하여 PET 기판의표면을개질하는단계; 및 (b) 표면개질한상기 PET 기판상에스퍼터링(sputtering) 공정으로금속박막을형성하는단계를포함하는유연성기판상에형성된금속전극의제조방법을제공한다. 본발명에따른금속전극의제조방법은, PET 기판에자외선을조사하여 PET 기판의표면에수산화기(OH)를형성시키는표면개질공정을통해, 박막과기판과의화학반응성을높여우수한물성의금속전극을제조할수 있는효과가있다. 또한, 본발명에따른금속전극의제조방법은, 은(Ag), 금(Au), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 구리(Cu) 등의비저항재료를최적조건의스퍼터링(sputtering) 공정을통해 PET 기판의표면에박막형태로형성시킴으로써, 표면거칠기가낮아전기적특성이우수한금속전극을손쉽게제조할수 있다.
摘要翻译：（A）通过照射紫外线来改性PET基材的表面; （b）在表面改性PET基材的表面改性PET基材上通过溅射法形成金属箔膜。制造根据本发明的金属电极的方法，所述紫外线的金属电极是通过表面改性处理中照射到PET基材上以形成羟基基团（OH）的PET衬底的表面上，并提高薄膜的化学反应性，以在衬底的优异性能可以制造。本发明的金属电极的制造方法是通过银（Ag），金（Au），铝（Al），铂（Pt）等最佳条件的溅射处理来制造金属电极的方法。为了在PET基材的表面上形成薄膜，可以容易地制造具有低表面粗糙度和优异的电特性的金属电极。

8. 发明公开

KR1020160008358A 열처리를 통한 삼산화안티몬과 산화주석으로 이루어진 투명전극의 제조방법 및 그에 의한 투명전극 无效
标题翻译：通过退火和透明电极连接的透明电极SB2O3-SNO2的制备方法
公开(公告)号：KR1020160008358A
公开(公告)日：2016-01-22
申请号：KR1020140088445
申请日：2014-07-14
申请人： 창원대학교 산학협력단
发明人： 구본흔 , 김근우 , 박근영
IPC分类号： H01B5/14 , H01B1/22 , H01B13/00 , G06F3/041
CPC分类号： H01B5/14 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , H01B1/22 , H01B13/00
摘要： 본발명은열처리를통한삼산화안티몬과산화주석으로이루어진투명전극의제조방법및 그에의한투명전극에관한것으로서, SnO에 SbO를첨가하여이루어지는투명전극의제조방법에있어서, 15중량%의 -Sb이온을첨가하여 3가원소를치환한두께 500㎚의 SbO-SnO투명전극을 PLD(Pulsed Laser Deposition)법으로만든후, 상기투명전극을 800∼1000℃의온도에서 4시간열처리하여 p형의전도형태를보여주도록한 것이며, 비저항 1.4×10Ω·㎝, 광투과율 80% 이상의우수한특성을나타내는 p-형 SbO-SnO투명전극이만들어지는효과가있다.
摘要翻译：本发明涉及通过热处理制造由三氧化锑和氧化锡制成的透明电极的方法，以及通过将Sb_2O_3添加到SnO_2中而制造的透明电极。根据本发明，通过脉冲激光沉积（PLD）法产生具有通过加入15重量％的-Sb 3 3+离子取代三价元素的厚度为500nm的Sb_2O_3-SnO_2透明电极，然后将透明电极在800-1000℃的温度下加热处理4小时以显示p型导电。可以制造表现出优异性能的p型Sb_2O_3-SnO_2透明电极，其电阻为1.4×10 ^ -1 ^Ω·cm，透光率为80％以上。

9. 发明公开

KR1020140125895A 망간을 포함하는 실온 자기 냉동용 페라이트 화합물 无效
标题翻译：包含邻近和超过室温制冷的MN的铁氰化合物
公开(公告)号：KR1020140125895A
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：KR1020130040740
申请日：2013-04-15
申请人： 창원대학교 산학협력단
发明人： 구본흔 , 모하마드샤피그안와르 , 이승록
IPC分类号： C01G45/00 , C01G49/00 , F25B21/00
CPC分类号： Y02B30/66 , C09K5/14 , C01G49/009 , C01P2002/32 , F25B21/00 , F25B2321/002
摘要： The present invention relates to a ferrite compound for magnetic refrigeration manufactured by partial non-magnetic substitution of ubiquitous magnetic metals and to a coolant for magnetic refrigeration at room temperature including the same. The ferrite compound for magnetic refrigeration can be used as a coolant in a magnetic refrigeration technology, which is spotlighted as an eco-friendly technology alternative to a vapor compression approach, which is considered to be a major contributor to global warming. The ferrite compound according to the present invention can be applied usefully in developing eco-friendly refrigerating, freezing and cooling devices such as eco-friendly refrigerators and air conditioners using the magnetic refrigeration technology at room temperature as the ferrite compound exhibits a relatively low Curie temperature, excellent low-temperature magnetization, maximum magnetic entropy changes and relative cooling power.
摘要翻译：本发明涉及通过普遍存在的磁性金属的部分非磁性取代制造的磁性制冷用铁素体化合物及包括该磁性制冷剂在室温下的制冷剂。用于磁性制冷的铁氧体化合物可用作磁性制冷技术中的冷却剂，其被认为是被认为是全球变暖的主要贡献者的蒸气压缩方法的环保技术替代品。根据本发明的铁氧体组合物可以有效地用于开发环境友好的制冷，冷冻和冷却装置，例如在室温下使用磁性制冷技术的环保型冰箱和空调，因为铁氧体组合物具有较低的居里温度，优异的低温磁化强度，最大磁熵变和相对冷却功率。

10. 发明公开

KR1020090091882A 무전해 도금에 의한 오믹 접촉용 백금증착 방법 失效
标题翻译：用于电沉积的OHMIC接触的PT沉积方法
公开(公告)号：KR1020090091882A
公开(公告)日：2009-08-31
申请号：KR1020080017087
申请日：2008-02-26
申请人： 창원대학교 산학협력단
发明人： 구본흔 , 임흥수
IPC分类号： C23C18/44 , C23C18/42
摘要： A method for platinum evaporation for contact of a metal and a semiconductor with electroless plating is provided to control thickness of a thin film easily by gaining a low non-contact resistance value. A method for platinum evaporation for contact of a metal and a semiconductor with electroless plating includes a step for performing an electroless plating process with liquid consisting of Na2Pt(OH)6, hydrazine, ethylamine, NaOH, and a step for performing a thermal process. Ph of platinum electrolyte liquid used in a first electroless stage is 12.5 under. Temperature of the platinum electrolyte liquid is 40~95‹C. The reaction time of 1 step is 1~60 minutes. The concentration of metal salt is 0.1~20g/L. The concentration of a chelating agent is 0.1~20g/L. The concentration of the hydrazine is 0.01~1.5%v/v.
摘要翻译：提供了一种用于金属和半导体与化学镀接触的铂蒸发方法，通过获得低的非接触电阻值来容易地控制薄膜的厚度。用于金属和半导体与无电镀的接触的铂蒸镀方法包括用Na 2 Pt（OH）6，肼，乙胺，NaOH组成的液体进行化学镀处理的步骤，以及进行热处理的步骤。在第一无电阶段中使用的铂电解液的Ph为12.5。铂电解液的温度为40〜95℃。 1步反应时间为1〜60分钟。金属盐的浓度为0.1〜20g / L。螯合剂的浓度为0.1〜20g / L。肼的浓度为0.01〜1.5％v / v。

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