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1. 发明授权

KR101744281B1 광도파로 내부에 광경로 전환용 마이크로 거울을 내장한 광집적회로 및 그 제조방법 有权
标题翻译：集成微反射镜用于光波导中的光路切换的光集成电路及其制造方法
公开(公告)号：KR101744281B1
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：KR1020150022625
申请日：2015-02-13
申请人： 주식회사 우리로 , 김영혜
发明人： 이상환 , 박찬용 , 김영혜
IPC分类号： G02B6/122 , G02B6/12 , G02B6/13
CPC分类号： G02B6/4214 , G02B6/125 , G02B6/136 , G02B6/43
摘要： 본발명은광집적회로에관한것으로서, 기판과, 기판의표면에하부클래딩층, 코어층및 코어층을감싸게상부클래드층을순차적으로적층하여형성된광도파로와, 광도파로의코어층을통해전송된광을절취하거나코어층으로광을입력시키기위해광도파로의종단면근처에상부클래딩층으로부터코어층을거쳐하부클래딩층의일부또는전부까지하방으로식각하여형성된수용홈과, 광도파로상면의수용홈주변에상호이격되게형성된복수개의접합패드와, 수용홈내에삽입되어접합되며코어층으로부터수용홈을통해방출된광을반사하여수용홈상부로광로를변환하거나수용홈상부에서하방으로진행되는광을반사하여코어층으로입사되게광로를변환할수 있도록기판의표면에대해 30 내지 60°로기울어진경사면을갖는마이크로거울과, 접합패드를통해접합되며마이크로거울의경사면을향해광을출사하거나, 마이크로거울로부터반사되어입사된광을수신하는능동광소자를구비한다. 이러한광집적회로및 그제조방법에의하면, 마이크로거울을별도의독립된구조체로서제작하여장착함으로써, 제조를보다용이하게할 수있고, 양질의거울면을제공하여거울면의결함으로인한광손실을줄일수 있으며, 다양한소재로마이크로거울의제작이가능케하여광집적회로의제조비용을낮출수 있는장점을제공한다.
摘要翻译：作为与本发明银矿集成电路，所述基板与所述基板的表面上的下覆层，核心层和核心层，以通过由上部包层依次层叠，光波导的芯层形成有光波导包围透光切割或一容置槽，并围绕由以进入光进入核心层向下蚀刻到一些或全部的下部包层的通过从靠近光波导的纵截面的上部包层中的芯层形成的光学波导的上表面上的接收槽并彼此间隔开，以形成多个接合焊盘，所述接收和插入件在家庭芯层接合转换到接收槽顶部上的光学路径，以反映通过接收槽发射的光或反射该向下从容纳凹槽顶部从行进的光所以可以切换光路，入射到芯层上，并在30倾斜至60°相对于具有微反射镜表面和解痉基板的表面上，并且经由接合焊盘微镜uigyeong粘结并且有源光学元件朝向斜面发射光或者接收从微镜反射的光。根据这样的光集成电路和制造方法，通过安装以产生微反射镜，作为一个单独的独立的结构的方法，能够更容易地制造，并且基于良好质量的服务哭减少光损耗，由于镜面的缺陷并且可以通过使用各种材料来制造微反射镜，由此提供可以降低光集成电路的制造成本的优点。

2. 发明公开

KR1020160101234A 광도파로 내부에 광경로 전환용 마이크로 거울을 내장한 광집적회로 및 그 제조방법 有权
标题翻译：包含光波导的微型光学内窥镜的光电集成电路及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160101234A
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：KR1020150022625
申请日：2015-02-13
申请人： 주식회사 우리로 , 김영혜
发明人： 이상환 , 박찬용 , 김영혜
IPC分类号： G02B6/122 , G02B6/12 , G02B6/13
CPC分类号： G02B6/4214 , G02B6/125 , G02B6/136 , G02B6/43 , G02B6/122 , G02B6/13
摘要： 본발명은광집적회로에관한것으로서, 기판과, 기판의표면에하부클래딩층, 코어층및 코어층을감싸게상부클래드층을순차적으로적층하여형성된광도파로와, 광도파로의코어층을통해전송된광을절취하거나코어층으로광을입력시키기위해광도파로의종단면근처에상부클래딩층으로부터코어층을거쳐하부클래딩층의일부또는전부까지하방으로식각하여형성된수용홈과, 광도파로상면의수용홈주변에상호이격되게형성된복수개의접합패드와, 수용홈내에삽입되어접합되며코어층으로부터수용홈을통해방출된광을반사하여수용홈상부로광로를변환하거나수용홈상부에서하방으로진행되는광을반사하여코어층으로입사되게광로를변환할수 있도록기판의표면에대해 30 내지 60°로기울어진경사면을갖는마이크로거울과, 접합패드를통해접합되며마이크로거울의경사면을향해광을출사하거나, 마이크로거울로부터반사되어입사된광을수신하는능동광소자를구비한다. 이러한광집적회로및 그제조방법에의하면, 마이크로거울을별도의독립된구조체로서제작하여장착함으로써, 제조를보다용이하게할 수있고, 양질의거울면을제공하여거울면의결함으로인한광손실을줄일수 있으며, 다양한소재로마이크로거울의제작이가능케하여광집적회로의제조비용을낮출수 있는장점을제공한다.
摘要翻译：光集成电路技术领域本发明涉及一种光集成电路，其特征在于，包括：通过顺序地堆叠基板，在所述基板的表面上的下包层，芯层和围绕所述芯层的上包层而形成的光波导; 通过经由芯层从上包层向下蚀刻到下包层的一部分或全部而形成在光波导的纵向部分周围的存储槽，以便抽出通过光学芯的芯层发射的光或将光输入芯层; 在光波导的上表面上的存储槽周围形成有一定距离的多个粘合垫; 插入到待连接的存储槽中的微镜，并且包括倾斜表面，其倾斜于基板的表面以30-60°的角度，以通过反射光来改变到存储槽的上部的光路，通过存储槽从芯层发射，或者通过反射从存储槽的上部向下移动的光来将光路改变为芯层; 以及通过粘合剂垫附着的有源光学元件，并将光发射到微反射镜的倾斜表面或接收从微反射镜反射的光。因此，本发明能够通过制造和安装微镜作为单独且独立的结构来减轻其制造，通过提供高质量的镜面减少由镜面的缺陷引起的光学损耗，并降低成本通过用各种材料制造微镜来制造光学集成电路。

3. 发明授权

KR102054165B1 단일 광자 검출장치, 단일 광자 검출장치에 이용되는 아발란치 포토다이오드 및 이에 연결되는 회로 기판 有权
公开(公告)号：KR102054165B1
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：KR1020190025623
申请日：2019-03-06
申请人： 주식회사 우리로
发明人： 박찬용 , 백수현
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/02 , H01L31/0352

4. 发明授权

KR101812488B1 광 검출 소자 有权
标题翻译：灯光 -
公开(公告)号：KR101812488B1
公开(公告)日：2017-12-27
申请号：KR1020160144685
申请日：2016-11-01
申请人： 주식회사 우리로
发明人： 박승환 , 안도열 , 박찬용
IPC分类号： H01L31/10 , H01L31/0352 , H01L31/032
摘要： 본발명의실시예는광 검출소자에관한것으로, 기판, 기판상부에형성된제1 장벽층, 제1 장벽층상부에형성된우물층; 및활성층상부에형성된제2 장벽층을포함하고, 기판은 AlN이고, 우물층은붕소를포함한다.
摘要翻译：本发明的一个实施例涉及一种光检测装置，该光检测装置包括衬底，形成在衬底上的第一阻挡层，形成在第一阻挡层上的阱层，以及在有源层上形成的第二阻挡层，其中衬底是AlN并且阱层包含硼。

5. 发明授权

KR101805385B1 단일광자 애벌란치 다이오드와 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101805385B1
公开(公告)日：2017-12-06
申请号：KR1020160063342
申请日：2016-05-24
申请人： 주식회사 우리로
发明人： 전보라 , 정건 , 박찬용
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/103 , H01L31/18
摘要： 본발명은단일광자애벌란치다이오드및 그제조방법에관한것으로서, n형 InP 기판상에 n형 InP버퍼층, 도핑하지않은 InGaAs흡수층, InGaAsP그래이딩층, n형 InP 전기장조절층, n형 InP윈도우층이순차적으로적층되어있고, n형 InP윈도우층의중앙에국소적으로형성된 p형 InP윈도우층과상기 p형 InP윈도우층주위에링 형태로형성된 p형 InP가드링을갖으며, p형 InP 윈도우층상에링 형상으로돌출되게형성된 p형 InGaAs옴접촉층과, p형 InGaAs옴접촉층을중심으로 p형 InGaAs옴접촉층의내주영역과외주영역의노출된부분에형성된내주및 외주표면보호층과, p형 InGaAs옴접촉층의상면과 p형 InGaAs옴접촉층의내주영역에형성된내주표면보호층상부에광을반사하며도전성을갖는소재로형성된원형의 p-전극층을구비한다. 이러한단일광자애벌란치다이오드및 그제조방법에의하면, 광응답도를향상시킬수 있어높은광자검출효율을얻을수 있으며, 작은옴 접촉저항을갖게하여고속동작을가능하게한다.

6. 发明授权

KR101553817B1 애벌란치 포토다이오드의 제조방법 有权
标题翻译：制备AVALANCHE光电离方法
公开(公告)号：KR101553817B1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：KR1020140117985
申请日：2014-09-04
申请人： 주식회사 우리로
发明人： 박찬용
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/107 , H01L29/66113 , H01L31/1075
摘要： 본발명은애벌란치포토다이오드의제조방법에관한것으로서, 기판위에 n형옴접촉층과, InGaAs로형성된광흡수층과, InGaAsP로형성된그레이딩층과, InP로형성된 n형전기장조절층과, 제1도핑농도를갖게 InP로형성된 p형가드링층, p형옴접촉층및 InP로된 제1마스크층을순차적으로적층하고, 제1마스크층의중앙부분의두께가중앙부분을벗어난주변부분보다얇게식각한후, 제1마스크층의중앙부분및 중앙부분으로부터설정된제1이격거리까지노출되는제1노출영역을갖게제1마스크층위에제2마스크층을형성하며, p형가드링층내에형성할 P형윈도우층형성용제1소재를제1노출영역에형성하며, 제1소재의휘발을억제하기위해제1소재를덮는휘발억제층을형성하고, 제1소재가 p형가드링영역내에전기장조절층과는이격되게확산되어 p형윈도우층을형성하도록열처리를수행한다. 이러한애벌란치포토다이오드의제조방법에의하면, 메사구조를갖기때문에 p형과 n형의접합영역에서의정전용량과 p형전극에의한기생정전용량을줄일수 있어초고속광통신에적용할수 있고, p형윈도우층의중앙부분이주변부분보다전기장조절층에가깝게형성되어증폭효율도향상시키는장점을제공한다.
摘要翻译：本发明涉及一种制造雪崩光电二极管的方法。由InGaAs制成的n型欧姆接触层，光吸收层，由InGaAsP制成的分级层，由InP制成的n型电场控制层，由InP制成的p型保护环层，具有第一掺杂浓度，p型欧姆接触层和由InP制成的第一掩模层依次层叠在基板上。该方法包括以下步骤：在第一掩模层上形成第二掩模层，使第一曝光区域从掩模层的中心部分露出到蚀刻第一掩模层之后从中心部分设置的第一分离距离，以具有中心部分比中心部分外围部分薄; 形成用于形成在第一暴露区域中的p型保护环层内形成的p型窗口层的第一器件; 形成覆盖所述第一装置的挥发控制层，以控制所述第一装置的挥发; 进行热处理以允许第一器件扩展并且与p型保护环区域内的电场控制层分开以形成p型窗口层。根据制造雪崩光电二极管的方法，雪崩光电二极管的台面结构可以减小p型电极与p型电极的n型和寄生电容的接合电容，因此雪崩光电二极管适用于高速光通信。并且p型窗口层的中心部分比外围部分更靠近电场控制层，从而增加放大效率。

7. 发明授权

KR101554290B1 애벌란치 포토다이오드 有权
标题翻译： AVALANCHE光电
公开(公告)号：KR101554290B1
公开(公告)日：2015-09-18
申请号：KR1020140117979
申请日：2014-09-04
申请人： 주식회사 우리로
发明人： 박찬용
IPC分类号： H01L31/107
CPC分类号： H01L31/107 , H01L29/66113 , H01L31/1075
摘要： 본 발명은 애벌란치 포토다이오드에 관한 것으로서, 기판과, 기판 위에 형성된 n형 옴접촉층과, n형 옴접촉층 위에 메사구조를 갖게 InGaAs로 형성된 광흡수층과, 광흡수층 위에 InGaAsP로 형성된 그레이딩층과, 그레이딩층 위에 InP로 형성된 n형 전기장 조절층과, n형 전기장 조절층 위에 제1도핑농도를 갖게 InP로 형성된 p형 가드링층과, p형 가드링층의 상면 가장자리 및 측면으로부터 이격되는 위치에서 n형 전기장 조절층과 이격되게 p형 가드링층 내에 국소적으로 형성되며 제1도핑 농도보다 높은 제2도핑 농도를 갖게 형성된 p형 윈도우층과, p형 윈도우층 상의 일부에 전기적 접속을 위해 형성된 p형 옴접촉층과, n형 옴접촉층과 접속되게 형성된 n형 전극과, p형 옴접촉층과 접속되게 형성된 p형 전극 및 n형 옴접촉층으로부터 p형 윈도우층까지 표면을 덮도 록 형성된 표면 보호층을 구비하고, p형 윈도우층은 n형 전기장 조절층과의 이격거리가 중앙부분이 주변부분보다 가깝게 형성되어 있다. 이러한 애벌란치 포토다이오드에 의하면, 메사구조를 갖기 때문에 p형과 n형의 접합영역에서의 정전용량과 p형 전극에 의한 기생정전용량을 줄일 수 있어 초고속 광통신에 적용할 수 있고, p형 윈도우층의 중앙부분이 주변부분보다 전기장조절층에 가깝게 형성되어 증폭효율도 향상시키는 장점을 제공한다.
摘要翻译：本发明涉及雪崩光电二极管。雪崩光电二极管包括：基板; 形成在所述基板上的n型欧姆接触层; 由InGaAs制成并在n型欧姆接触层上具有网状结构的光吸收层; 由InGaAsP制成的分级层在光吸收层的顶部; 在分级层顶部由InP制成的n型电场控制层; 由InP制成的p型保护环层在n型电场控制层的顶部具有第一掺杂密度; p型窗口层，其局部形成在p型保护环层的顶部上，以从与n型电场控制层间隔开的点与p型保护环的上边缘和侧表面间隔开同时具有高于第一掺杂密度的第二掺杂密度; 形成为与p型窗口层的一部分电连接的p型欧姆接触层; 形成为与n型欧姆接触层连接的n型电极; 形成为与p型欧姆接触层连接的p型电极; 以及形成为从n型欧姆接触层覆盖到p型欧姆接触层的表面保护层。 p型窗口层比在相邻区域更靠近n型电场控制层。本发明采用网格结构来减小p型和n型接合面积的电容以及由p电极施加于高速光通信的寄生电容。 p窗层比中心的电场控制层更靠近相邻区域，以提高放大效率。

8. 发明授权

KR101959141B1 애벌란치 포토 다이오드 有权
公开(公告)号：KR101959141B1
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：KR1020170162473
申请日：2017-11-30
申请人： 주식회사 우리로
发明人： 박찬용 , 박승환
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0304

9. 发明公开

KR1020170132467A 단일광자 애벌란치 다이오드와 그 제조 방법 有权
标题翻译：单光子雪崩二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170132467A
公开(公告)日：2017-12-04
申请号：KR1020160063342
申请日：2016-05-24
申请人： 주식회사 우리로
发明人： 전보라 , 정건 , 박찬용
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/103 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/107 , H01L31/022408 , H01L31/0392 , H01L31/103 , H01L31/18 , H01L31/1868
摘要： 본발명은단일광자애벌란치다이오드및 그제조방법에관한것으로서, n형 InP 기판상에 n형 InP버퍼층, 도핑하지않은 InGaAs흡수층, InGaAsP그래이딩층, n형 InP 전기장조절층, n형 InP윈도우층이순차적으로적층되어있고, n형 InP윈도우층의중앙에국소적으로형성된 p형 InP윈도우층과상기 p형 InP윈도우층주위에링 형태로형성된 p형 InP가드링을갖으며, p형 InP 윈도우층상에링 형상으로돌출되게형성된 p형 InGaAs옴접촉층과, p형 InGaAs옴접촉층을중심으로 p형 InGaAs옴접촉층의내주영역과외주영역의노출된부분에형성된내주및 외주표면보호층과, p형 InGaAs옴접촉층의상면과 p형 InGaAs옴접촉층의내주영역에형성된내주표면보호층상부에광을반사하며도전성을갖는소재로형성된원형의 p-전극층을구비한다. 이러한단일광자애벌란치다이오드및 그제조방법에의하면, 광응답도를향상시킬수 있어높은광자검출효율을얻을수 있으며, 작은옴 접촉저항을갖게하여고속동작을가능하게한다.
摘要翻译：本发明是在n型InP衬底的InP缓冲层上的层形n，则未掺杂的InGaAs吸收层，的InGaAsP灰色dingcheung，正的InP电场控制层，与单光子雪崩二极管的n型InP窗口及其制造的方法和顺序地堆叠，有具有p型InP的保护环和局部p型InP窗口层由形成在所述层的n型InP窗口层的p型InP窗口的中心处的p型InP窗口层周围形成为环状欧姆p型形成在形状E-环InGaAs接触层突出，形成在p型InGaAs欧姆接触层周围的p型InGaAs欧姆接触层和外周区域的内圆周区域的所述保护层的暴露部分的内表面和外表面，一个p型InGaAs反映在上表面和形成在欧姆接触层的p型InGaAs欧姆接触层的内周区域中的保护层的上内表面的光，并且包括具有圆形导电的材料形成的p电极层。根据这样的单光子雪崩二极管及其制造方法，可提高在这里也获得的光学响应和高的光子的检测效率，它使高速的操作和具有小的欧姆接触电阻。

10. 发明授权

KR101463142B1 차량 레이더 및 그 운영 방법 有权
标题翻译：汽车雷达及其操作方法
公开(公告)号：KR101463142B1
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：KR1020130016589
申请日：2013-02-15
申请人： 주식회사 우리로
发明人： 김충환 , 박찬용
IPC分类号： G01S13/93 , G01S13/66
CPC分类号： G01S7/023 , G01S13/931
摘要： 차량레이더는이동통신시스템의하향링크제어데이터를수신하여제1 주기를갖는제1 동기및 상기제1 주기에포함되어제1 주기가균일하게세분된제2 주기를갖는제2 동기를획득하는하향링크제어데이터수신부, 상기제1 동기및 상기제2 동기를기반으로상기제2 주기를기본단위의시간슬롯으로세분하고, 상기기본단위의시간슬롯중에서적어도어느하나를송신펄스의출력을위한개별레이더자신의배타적인시간슬롯으로선택하는신호제어부, 상기신호제어부의제어에따라상기배타적인시간슬롯내에서상기송신펄스를반복적으로출력하는송신부, 및상기송신펄스가반사체에반사되어되돌아오는반사펄스를수신하는수신부를포함한다.

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