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1. 发明授权

KR102092231B1 실리콘계 용융 조성물 및 이를 이용한 SiC 단결정의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102092231B1
公开(公告)日：2020-03-23
申请号：KR1020160139261
申请日：2016-10-25
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 정찬엽 , 이호림 , 고정민 , 김대성 , 이성수 , 은창선
IPC分类号： H01L21/02 , C30B29/36

2. 发明公开

KR1020130025691A 무알칼리 유리 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：无碱玻璃及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130025691A
公开(公告)日：2013-03-12
申请号：KR1020110089154
申请日：2011-09-02
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 김수환 , 이동권 , 김상국 , 고정민 , 임원배
IPC分类号： C03C3/085 , C03C3/087 , C03C3/091 , G02F1/13
CPC分类号： C03C3/085
摘要： PURPOSE: An alkali-free glass containing SiO2, B2O3, Al2O3, MgO, CaO, SrO, and BaO is provided to ensure low density, low melting temperature, and low processing temperature. CONSTITUTION: An alkali-free glass contains 59-74% of SiO2, 1-4% of B2O3, 5-13.5% of Al2O3, 10-14% of MgO, 11-17% of CaO, 1-7% of SrO, and 1-7% of BaO without alkali metal oxide. The alkali-free glass contains 23-31% of MgO+CaO+SrO+BaO. The density of the glass is 2.6 g/cm^2 or less. A method for manufacturing the glass comprises: a step of heating at 1500-1600 deg. C and fusing(S120); and a step of molding the fused glass(S130). [Reference numerals] (S110) Combining glass ingredients; (S120) Fusing; (S130) Molding; (S140) Annealing
摘要翻译：目的：提供含有SiO 2，B 2 O 3，Al 2 O 3，MgO，CaO，SrO和BaO的无碱玻璃以确保低密度，低熔点和低加工温度。构成：无碱玻璃含有59-74％的SiO2，1-4％的B2O3，5-13.5％的Al2O3，10-14％的MgO，11-17％的CaO，1-7％的SrO，和不含碱金属氧化物的BaO的1-7％。无碱玻璃含有23-31％的MgO + CaO + SrO + BaO。玻璃的密度为2.6g / cm 2以下。制造玻璃的方法包括：在1500-1600度加热的步骤。 C和熔断（S120）; 和熔融玻璃的成形工序（S130）。（参考号）（S110）组合玻璃成分; （S120）熔断; （S130）成型; （S140）退火

3. 发明公开

KR1020090079285A 프린지 록킹 시스템 및 이를 이용한 광 경로 보상 방법 有权
标题翻译：使用FRINGE锁定系统的光路差分补偿的装置和方法
公开(公告)号：KR1020090079285A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：KR1020080005145
申请日：2008-01-17
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 오승태 , 안병인 , 한상철 , 고정민 , 안형주 , 박병수 , 윤경연
IPC分类号： G03H1/22
摘要： A fringe locking system and an optical path compensation method using the same are provided to perform exact compensation even when strength distribution of a pattern is irregular or when the pattern is changed as a half wavelength. A fringe locking system comprises a photodiode(10), an operation unit, and a controller(30). The photodiode periodically photographs an interference pattern to collect image information of an inspected area. The operation unit extracts location information of a mountain or valley point of the interference pattern from the collected image information. The operation unit measures change or non-change and a degree of the change of the interference pattern from the location information. The operation unit produces a compensation value, and transmits the value to the controller in a signal form. According to a signal of an output unit, the controller compensates an optical path.
摘要翻译：即使当图案的强度分布不规则或图案变化为半波长时，提供了边缘锁定系统和使用其的光路补偿方法来执行精确补偿。边缘锁定系统包括光电二极管（10），操作单元和控制器（30）。光电二极管周期性地拍摄干涉图案以收集检查区域的图像信息。操作单元从所收集的图像信息中提取干扰图案的山谷点的位置信息。操作单元根据位置信息测量变化或不变化以及干扰图案的变化程度。操作单元产生补偿值，并以信号形式将该值发送给控制器。根据输出单元的信号，控制器补偿光路。

4. 发明公开

KR1020080010844A Ⅲ족 원소 질화물 결정체 분말의 합성방법 및 이에 의하여제조된 Ⅲ족 원소 질화물 결정체 분말 有权
标题翻译：制备三硝酸铬粉和三硝酸钙粉末的方法制备相同方法
公开(公告)号：KR1020080010844A
公开(公告)日：2008-01-31
申请号：KR1020060071457
申请日：2006-07-28
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 윤태훈 , 고정민 , 박은용 , 권태현
IPC分类号： C01B21/064 , C01B21/072 , C01B21/06 , C01B21/00
CPC分类号： C01B21/0632 , C01G15/00 , C01P2004/61
摘要： A group III nitride crystal powder and a method for synthesizing the same are provided to produce the group III nitride crystal powder having high crystal quality, by adding at least one additive selected from Bi, Sb, and As into a group III element at a low pressure. A group III nitride crystal powder is synthesized by mixing at least one additive selected from Li3N, Bi, Sb, and As, into a group III element. The group III element is selected form B, Al, Ga, In, and Ti. The group III nitride crystal powder is synthesized at a temperature of 700-850°C and a pressure of 30-100 atm. The group III nitride crystal powder has an average diameter of 1-30 micrometers.
摘要翻译：提供III族氮化物晶体粉末及其合成方法，通过在低温下将至少一种选自Bi，Sb和As的添加剂添加到III族元素中来制造具有高结晶质量的III族氮化物晶体粉末压力。通过将选自Li 3 N，Bi，Sb和As的至少一种添加剂混合到III族元素中来合成III族氮化物晶体粉末。 III族元素选自B，Al，Ga，In和Ti。在700-850℃的温度和30-100atm的压力下合成III族氮化物晶体粉末。 III族氮化物晶体粉末的平均直径为1-30微米。

5. 发明授权

KR102235785B1 α질화 규소의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102235785B1
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：KR1020160132387
申请日：2016-10-12
申请人： 주식회사 엘지화학 , 국립대학법인 홋가이도 다이가쿠
发明人： 박치성 , 아키야마토모히로 , 고정민 , 니우징 , 박철희 , 스즈키쇼타 , 이쉬에메이 , 키노시타요시히로
IPC分类号： C01B21/068 , B01J15/00 , B01F13/10 , B01F3/18
摘要： β질화규소의생성을억제하고, α질화규소를높은수율로생성하는것이다. α질화규소의제조방법으로서, 금속규소와질소계반응가스를준비하고, α질화규소로부터β질화규소로전이되는것을억제하는β화억제제를첨가하고, 상기금속규소와질소계반응가스를직접질화시켜, β질화규소의생성을억제하면서α질화규소를얻는것을포함하여이루어지는제조방법에의해달성된다.

6. 发明授权

KR102142424B1 실리콘계 용융 조성물 및 이를 이용하는 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102142424B1
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：KR1020170082781
申请日：2017-06-29
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 이호림 , 정찬엽 , 박만식 , 고정민
IPC分类号： C30B29/36 , C30B9/04 , C30B29/06

7. 发明授权

KR102060189B1 실리콘카바이드 단결정 제조장치 및 실리콘카바이드 단결정 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102060189B1
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：KR1020160121612
申请日：2016-09-22
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 김대성 , 고정민 , 박만식 , 이성수 , 이호림
IPC分类号： C30B15/32 , C30B15/22 , C30B15/10 , C30B15/18 , C30B35/00 , C30B29/36 , H01L21/02

8. 发明公开

KR1020170103289A 탄화규소 단결정의 제조 장치 审中-实审
标题翻译：碳化硅单晶制造装置
公开(公告)号：KR1020170103289A
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：KR1020160025869
申请日：2016-03-03
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 이성수 , 고정민 , 정찬엽 , 김대성
IPC分类号： C30B19/00 , C30B29/36 , B01F7/22 , B01F7/24 , B01F7/00 , H01L21/02
摘要： 본발명의일 실시예에따른탄화규소단결정의제조장치는용액성장법을이용하며, 도가니, 상기도가니내부에위치하는용융액내에침지되며, 교체가능하도록샤프트에장착되는교반부, 및상기교반부와교체되어상기샤프트에장착가능한종결정부를포함한다.
摘要翻译：一种用于根据本发明的一个实施例的制造碳化硅单晶是一种溶液生长法，坩埚，浸渍在位于炉内的熔融，搅拌单元被安装在轴被替换，并且所述搅拌部和并且可以更换和安装到轴上的终端部分。

9. 发明公开

KR1020170076542A α질화 규소의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：？氮化硅的制造方法
公开(公告)号：KR1020170076542A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：KR1020160132387
申请日：2016-10-12
申请人： 주식회사 엘지화학 , 국립대학법인 홋가이도 다이가쿠
发明人： 박치성 , 아키야마토모히로 , 고정민 , 니우징 , 박철희 , 스즈키쇼타 , 이쉬에메이 , 키노시타요시히로
IPC分类号： C01B21/068 , B01J15/00 , B01F13/10 , B01F3/18
摘要： β질화규소의생성을억제하고, α질화규소를높은수율로생성하는것이다. α질화규소의제조방법으로서, 금속규소와질소계반응가스를준비하고, α질화규소로부터β질화규소로전이되는것을억제하는β화억제제를첨가하고, 상기금속규소와질소계반응가스를직접질화시켜, β질화규소의생성을억제하면서α질화규소를얻는것을포함하여이루어지는제조방법에의해달성된다.
摘要翻译： β-氮化硅的生成受到抑制，并且以高收率生产β-硅氮化物。一种制备α氮化硅，制备金属硅和氮反应性气体和添加β化学抑制剂，其抑制过渡到氮化物β硅从α氮化硅的，并且通过直接氮化金属硅和含氮反应气体，β方法并且在抑制氮化硅的生成的同时获得α-氮化硅。

10. 发明公开

KR1020170040660A 실리콘계 용융액에 대한 탄소 용해도 평가 방법 审中-实审
标题翻译：评估有机硅基熔体中碳溶解度的方法
公开(公告)号：KR1020170040660A
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：KR1020150139931
申请日：2015-10-05
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 정찬엽 , 고정민 , 김대성 , 이성수 , 은창선
IPC分类号： G06F19/00 , C01B31/36
摘要： 본발명은 1종이상의금속및 탄소를포함하는실리콘결정격자에서, 실리콘원자, 탄소원자및 금속원자를포함하는제1 평가격자가갖는제1 에너지(A)를도출하는단계, 상기금속을포함하는실리콘결정격자에서, 실리콘원자및 금속원자를포함하는제2 평가격자가갖는제2 에너지(A)를도출하는단계, 및하기식 (1)으로정의되는용해도파라미터(C)를산출하는단계를포함하는상기금속원자를포함하는실리콘계용융액에대한탄소의용해도평가방법이다. C= A - B + μ-μ식 (1). 상기식에서, μ은다이아몬드결정구조의실리콘의총 에너지를단위격자내 존재하는실리콘원자수로나눈화학포텐셜로써 -5.422의상수이고, μ는다이아몬드결정구조의탄소의총 에너지를단위격자내 존재하는탄소원자수로나눈화학포텐셜로써 -9.097의상수이다.
摘要翻译：在本发明中的硅晶格，包括该一个构件上的金属和碳的方法，包括以下步骤：得到具有第一评价格栅，包括一个硅原子，碳原子和金属原子的第一能量（A），所述金属在硅晶格，包括计算的溶解度参数（C）的步骤被定义为一个步骤，和下式（1）导出（a）具有包含硅原子的第二评价网格中的第二能量和金属原子基于含有上述金属原子的溶液。等式（1）C = A-B +μ-μ。其中，μ是化学势作为服装-5.422由存在于硅单元电池的金刚石晶体结构的总能量的硅原子的数量来划分，μ是存在于金刚石晶体结构晶胞的碳原子的总能量中的碳源成本为孤眼化学药潜力为-0.097。

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