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1. 发明授权

KR102148065B1 세라믹 지지체를 포함하는 공기 정화용 모듈 有权
公开(公告)号：KR102148065B1
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：KR1020170068456
申请日：2017-06-01
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 윤태훈 , 김균중 , 박은용 , 유진형
IPC分类号： B01D53/88 , A61L9/20

2. 发明授权

KR101238674B1 클로로실란의 저장방법 有权
标题翻译：储存氯霉素的方法
公开(公告)号：KR101238674B1
公开(公告)日：2013-03-04
申请号：KR1020090131918
申请日：2009-12-28
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 최철환 , 최광욱 , 류창석 , 김균중 , 박은용 , 강성훈
IPC分类号： B65D81/20 , C01B33/033 , C01B33/107
摘要： 본 발명은 클로로실란의 저장 용기에 헬륨 기체; 또는 헬륨, 아르곤 및 질소로 이루어진 군으로부터 선택되는 불활성 기체와 수소를 포함하는 혼합 기체;를 밀봉 기체로 주입하는 것을 특징으로 하는 클로로실란의 저장 방법을 제공한다.
본 발명에서 사용하는 불활성 기체를 포함하는 밀봉 기체는 수소만을 사용하였을 때보다 수소의 농도를 낮춤으로써 폭발위험성으로부터 안전을 향상시킬 수 있고 클로로실란에 대한 밀봉가스의 용해도가 낮은 헬륨 및 혼합가스를 사용함으로써 후속 공정에서 사용되는 수소 스트림을 교환하지 않고, 장시간 사용할 수 있도록 하였다.
클로로실란, 저장, 밀봉

3. 发明授权

KR100839757B1 배가스 제거 시스템을 이용한 질화갈륨 결정체 분말의 제조방법 및 그 제조 장치 有权
标题翻译：用于去除废气的GaN晶体粉末的工艺和系统
公开(公告)号：KR100839757B1
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：KR1020060039890
申请日：2006-05-03
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 고정민 , 박은용 , 윤태훈 , 권태현
IPC分类号： C01G15/00 , C01B21/06
摘要： 본 발명은 배가스 제거 시스템을 이용한 질화갈륨 결정체 분말의 제조 방법 및 그 제조 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 갈륨 소스, 및 광화제를 액체 암모니아 용매와 혼합하고 고온고압하에 질화반응시켜 질화갈륨으로 이루어진 결정체 분말을 성장시키는 단계와; 상기 반응에서 발생하는 수소가스가 포함되는 배가스를 흡착제를 이용하여 제거하는 단계를 포함하는 배가스 제거 시스템을 이용한 질화갈륨 결정체 분말의 제조 방법 및 그 제조 장치에 대한 것이다.
본 발명에 의하면, 상용 가능하며 대량생산을 구현할 수 있는 질화갈륨 결정체 분말을 높은 수율로 얻을 수 있다.
질화갈륨, GaN, 발광소자, 전자소자

4. 发明授权

KR100894959B1 Ⅲ족 원소 질화물 결정체 분말의 합성방법 및 이에 의하여제조된 Ⅲ족 원소 질화물 결정체 분말 有权
标题翻译：制备方法？硝酸十字粉 NITRIDE CRISTAL POWDER制备相同的方法
公开(公告)号：KR100894959B1
公开(公告)日：2009-04-27
申请号：KR1020060071457
申请日：2006-07-28
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 윤태훈 , 고정민 , 박은용 , 권태현
IPC分类号： C01B21/064 , C01B21/072 , C01B21/06 , C01B21/00
摘要： 본 발명은, Ⅲ족 원소에 Li
3 N과 Bi, Sb 및 As 중에서 선택되는 1종 이상의 첨가제를 첨가하여 Ⅲ족 원소 질화물 결정체 분말을 합성하는 방법 및 이 방법에 의하여 제조된 Ⅲ족 원소 질화물 결정체 분말을 제공한다.
본 발명에 따른 Ⅲ족 원소 질화물 결정체 분말을 합성하는 방법을 이용하여 낮은 압력하에서 고수율로 다량의 Ⅲ족 원소 질화물 결정체 분말을 공정상 매우 쉽게 얻을 수 있으며, 결정성(Crystal Quality)이 높은 Ⅲ족 원소 질화물 결정체 분말을 얻을 수 있다.
Ⅲ족 원소 질화물 결정체 분말, GaN 결정체 분말, 계면활성제

5. 发明公开

KR1020070107419A 배가스 제거 시스템을 이용한 질화갈륨 결정체 분말의 제조방법 및 그 제조 장치 有权
标题翻译：使用手段去除废气的甘油粉末的工艺和系统
公开(公告)号：KR1020070107419A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：KR1020060039890
申请日：2006-05-03
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 고정민 , 박은용 , 윤태훈 , 권태현
IPC分类号： C01G15/00 , C01B21/06
摘要： A method and an apparatus for preparing gallium nitride crystal powders are provided to promote a nitration reaction and mass-produce commercially available nitride crystal powders with high yield. A method for preparing gallium nitride crystal powders includes the steps of: (a) mixing a gallium source and a mineralizing agent with a liquid ammonia solvent, and subjecting the mixture to nitration reaction under a high-temperature and high-pressure condition to grow gallium nitride crystal powders; and (b) removing an exhaust gas containing hydrogen gas generated during the reaction using an adsorbent. The nitridation is carried out at a reaction temperature of 400-500 °C under a reaction pressure of 1,000-2,000 atm.
摘要翻译：提供了一种制备氮化镓晶体粉末的方法和装置，以促进硝化反应并以高产率批量生产市售的氮化物晶体粉末。一种制备氮化镓晶体粉末的方法包括以下步骤：（a）将镓源和矿化剂与液氨溶剂混合，并在高温和高压条件下使混合物进行硝化反应以生长镓氮化物晶体粉末; 和（b）使用吸附剂除去反应期间产生的含有氢气的废气。氮化反应在反应温度为400-500℃，反应压力为1,000-2,000atm的条件下进行。

6. 发明授权

KR102243730B1 연료전지 셀 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102243730B1
公开(公告)日：2021-04-22
申请号：KR1020180044899
申请日：2018-04-18
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 박은용 , 신동오 , 윤종설 , 최광욱 , 박규리 , 김지연
IPC分类号： H01M4/86 , H01M4/88 , H01M8/0258 , H01M8/12
摘要： 본발명은연료전지셀 및이의제조방법에관한것으로써, 보다상세하게는, 애노드(Anode)에하나이상의유로를형성하여다공성의애노드에연료기체의유입및 이동을원활하게해 줄수 있는연료전지셀 및그 제조방법에관한것이다.

7. 发明授权

KR102206851B1 소성용 카트리지 有权
公开(公告)号：KR102206851B1
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：KR1020180044896
申请日：2018-04-18
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 박은용 , 전도연 , 윤종설 , 최광욱 , 신동오 , 김지연
IPC分类号： H01M4/88 , F27D5/00
摘要： 본발명은소성용카트리지에관한것으로써, 보다상세하게는, 상단부및 하단부의사이에위치하는측면부에복수개의슬릿홈이형성되고, 슬릿홈에는고체연료전지전극이삽입됨으로써동시소성가능한셀의개수가증대되고, 이로인해고체연료전지의생산성이향상될수 있는소성용카트리지에관한것이다.

8. 发明授权

KR102204512B1 일체형 세라믹 필터 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102204512B1
公开(公告)日：2021-01-18
申请号：KR1020170126169
申请日：2017-09-28
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 유진형 , 김균중 , 윤태훈 , 박은용
IPC分类号： B01D46/00 , B01D39/20
摘要： 본발명은세라믹필터및 그제조방법에관한것으로써, 보다상세하게는, 기능성물질이충전된기능성필터지지체의일측및 타측에기공율이상이한프리필터및 헤파필터지지체를위치시킴으로써, 프리필터, 기능성필터및 헤파필터를일체화시킬수 있고필터의구조를단순화할수 있는세라믹필터및 그제조방법에관한것이다.

9. 发明公开

KR1020080010844A Ⅲ족 원소 질화물 결정체 분말의 합성방법 및 이에 의하여제조된 Ⅲ족 원소 질화물 결정체 분말 有权
标题翻译：制备三硝酸铬粉和三硝酸钙粉末的方法制备相同方法
公开(公告)号：KR1020080010844A
公开(公告)日：2008-01-31
申请号：KR1020060071457
申请日：2006-07-28
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 윤태훈 , 고정민 , 박은용 , 권태현
IPC分类号： C01B21/064 , C01B21/072 , C01B21/06 , C01B21/00
CPC分类号： C01B21/0632 , C01G15/00 , C01P2004/61
摘要： A group III nitride crystal powder and a method for synthesizing the same are provided to produce the group III nitride crystal powder having high crystal quality, by adding at least one additive selected from Bi, Sb, and As into a group III element at a low pressure. A group III nitride crystal powder is synthesized by mixing at least one additive selected from Li3N, Bi, Sb, and As, into a group III element. The group III element is selected form B, Al, Ga, In, and Ti. The group III nitride crystal powder is synthesized at a temperature of 700-850°C and a pressure of 30-100 atm. The group III nitride crystal powder has an average diameter of 1-30 micrometers.
摘要翻译：提供III族氮化物晶体粉末及其合成方法，通过在低温下将至少一种选自Bi，Sb和As的添加剂添加到III族元素中来制造具有高结晶质量的III族氮化物晶体粉末压力。通过将选自Li 3 N，Bi，Sb和As的至少一种添加剂混合到III族元素中来合成III族氮化物晶体粉末。 III族元素选自B，Al，Ga，In和Ti。在700-850℃的温度和30-100atm的压力下合成III族氮化物晶体粉末。 III族氮化物晶体粉末的平均直径为1-30微米。

10. 发明授权

KR102015029B1 분리막 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102015029B1
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：KR1020170175835
申请日：2017-12-20
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 유진형 , 김균중 , 윤태훈 , 박은용
IPC分类号： B01D71/48 , B01D69/10 , B01D67/00

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