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1. 发明公开

KR1020100116853A 연속식 혼합 장치를 이용한 화학 조성물 제조 장치 有权
标题翻译：使用连续混合器制备化学成分的装置
公开(公告)号：KR1020100116853A
公开(公告)日：2010-11-02
申请号：KR1020090035489
申请日：2009-04-23
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김병욱 , 김권일 , 오승희 , 박경호 , 정의철
IPC分类号： B01F5/06
摘要： PURPOSE: A chemical composition manufacturing device using a continuous system stirring device is provided to reduce facility investment costs. CONSTITUTION: A chemical composition manufacturing device using a continuous system stirring device includes a raw material tank(50a), a pump(52), a continuous system stirring device(70), a composition detector(80), and a plugger(90). The raw material tank individually stores each raw material components of the chemical composition. The pump is connected to the raw material tank. The raw material components are transferred. In the continuous system stirring device, the raw material component more than 2 transferred to from the raw material tank. And the chemical composition, in which a plurality of raw material components is uniformly mixed, is flown out. The plugger fills the chemical composition manufactured in the continuous system stirring device in the product vessel.
摘要翻译：目的：提供使用连续系统搅拌装置的化学成分制造装置，以减少设备投资成本。构成：使用连续系统搅拌装置的化学成分制造装置包括原料罐（50a），泵（52），连续系统搅拌装置（70），成分检测器（80）和插塞（90）。原料罐分别存储化学成分的各原料成分。泵连接到原料罐。原料成分被转移。在连续系统搅拌装置中，原料成分2以上从原料罐转移。将多个原料成分均匀混合的化学成分流出。插件填充在产品容器中连续系统搅拌装置中制造的化学成分。

2. 发明授权

KR101958387B1 근적외선 분광기를 이용한 구리막 식각 공정 제어방법 및 구리막 식각액 조성물의 재생방법 有权
公开(公告)号：KR101958387B1
公开(公告)日：2019-03-20
申请号：KR1020110075148
申请日：2011-07-28
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 홍진섭 , 박경호 , 이기범
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/66 , C23F1/16 , G01N21/359 , G01J3/10

3. 发明公开

KR1020050091306A 분광기를 이용한 오염물 제거용 클리너 조성물 관리 방법및 장치 有权
标题翻译：使用光谱仪控制清洁剂组合物的方法和装置
公开(公告)号：KR1020050091306A
公开(公告)日：2005-09-15
申请号：KR1020040016657
申请日：2004-03-11
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 이기범 , 박미선 , 김종민 , 이민건 , 강철우 , 박경호 , 이재구
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： G01J3/42 , H01L21/67242
摘要： 반도체소자, 액정표시장치소자 등의 제조 공정에서, 웨이퍼나 유리 기판의 오염물을 제거하기 위하여 사용되는 클리너 조성물 성분을 분광기를 이용하여 실시간으로 자동 분석하여, 오염물 클리닝 공정 및 클리너 조성물을 관리하는 방법 및 장치가 개시된다. 상기 관리 장치는 반도체 또는 액정표시장치 제조 공정의 클리너 조성물 저장 탱크에 연결되어 있으며, 상기 클리너 조성물 저장 탱크 내의 클리너 성분 농도를 분석하기 위한 분광기를 포함하는 분석시스템; 및 상기 분석시스템의 분석 결과에 따라 상기 클리너 조성물 저장 탱크 내의 클리너 성분을 보충하기 위한 클리너 성분 추가장치를 포함한다. 또한 상기 관리 방법은 반도체 또는 액정표시장치 제조 공정의 클리너 조성물 저장 탱크 내에 존재하는 클리너 성분의 각 농도를 분광기를 이용하여 분석하는 단계; 및 상기 분광기의 분석 결과에 따라 부족한 클리너 성분을 클리너 조성물 저장 탱크로 공급하여, 클리너 성분을 조절하는 단계를 포함한다.

4. 发明授权

KR101580451B1 연속식 혼합 장치를 이용한 화학 조성물 제조 장치 有权
标题翻译：使用连续混合器制备化学成分的装置
公开(公告)号：KR101580451B1
公开(公告)日：2015-12-28
申请号：KR1020090035489
申请日：2009-04-23
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김병욱 , 김권일 , 오승희 , 박경호 , 정의철
IPC分类号： B01F5/06
摘要： 연속식혼합장치를이용하여, 평판표시장치또는반도체용화학조성물을연속적으로제조하는화학조성물제조장치가개시된다. 상기화학조성물제조장치는, 화학조성물의각 원료성분들을개별적으로수용하는 2 이상의원료탱크; 상기원료탱크에연결되어, 원료성분들을이송하는펌프; 상기원료탱크로부터이송된 2 이상의원료성분이연속적으로유입되고, 흐름중에서혼합되며, 상기다수의원료성분이균일하게혼합된화학조성물이유출되는연속식혼합장치; 상기연속식혼합장치에서유출되는화학조성물의성분을분석하는조성검출기; 및상기연속식혼합장치에서제조되는화학조성물을제품용기에충진하기위한충진기를포함한다.

5. 发明公开

KR1020130013474A 근적외선 분광기를 이용한 구리막 식각 공정 제어방법 및 구리막 식각액 조성물의 재생방법 审中-实审
标题翻译：铜箔蚀刻过程的控制方法和使用近红外光谱仪再生铜箔复合物组合物的方法
公开(公告)号：KR1020130013474A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：KR1020110075148
申请日：2011-07-28
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 홍진섭 , 박경호 , 이기범
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/66 , C23F1/16 , G01N21/359 , G01J3/10
CPC分类号： H01L21/30604 , C23F1/16 , G01J3/108 , G01N21/359 , H01L22/12
摘要： PURPOSE: A method for controlling a copper layer etching process and a method for regenerating the etchant composition of a copper layer are provided to effectively control a copper layer etching process by using a near infrared spectrometer. CONSTITUTION: A near infrared spectrometer analyzes the density of copper ions of the etchant composition of a copper layer. The lifetime of the etchant composition is determined by comparing the analysis result to a reference value. The reference value is a near infrared ray absorbance rate at a specific wavelength which is in the range of 4,000-12,000cm^-1. The etchant composition includes acid, salt of acid, ammonium salt and water. The light source of the near infrared spectrometer uses the wavelength of 4,000-12,000cm^-1. [Reference numerals] (AA) Absorbance(arbt. unit); (BB) OH-vibration; (CC) OH-acid anion vibration; (DD) Wavelength(cm-1)
摘要翻译：目的：提供一种用于控制铜层蚀刻工艺的方法和用于再生铜层的蚀刻剂组合物的方法，以通过使用近红外光谱仪来有效地控制铜层蚀刻工艺。构成：近红外光谱仪分析铜层蚀刻剂组成的铜离子密度。通过将分析结果与参考值进行比较来确定蚀刻剂组成的寿命。参考值是特定波长的近红外线吸收率在4,000-12,000cm -1 -1的范围内。蚀刻剂组合物包括酸，酸的盐，铵盐和水。近红外光谱仪的光源使用4,000-12,000cm ^ -1的波长。（标号）（AA）吸光度（arbt。unit）; （BB）OH振动; （CC）OH-酸阴离子振动; （DD）波长（cm-1）

6. 发明授权

KR100908200B1 분광기를 이용한 오염물 제거용 클리너 조성물 관리 방법및 장치 有权
标题翻译：使用分光镜清洁清除污染物的清洁剂组合物的方法和设备
公开(公告)号：KR100908200B1
公开(公告)日：2009-07-20
申请号：KR1020040016657
申请日：2004-03-11
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 이기범 , 박미선 , 김종민 , 이민건 , 강철우 , 박경호 , 이재구
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 반도체소자, 액정표시장치소자 등의 제조 공정에서, 웨이퍼나 유리 기판의 오염물을 제거하기 위하여 사용되는 클리너 조성물 성분을 분광기를 이용하여 실시간으로 자동 분석하여, 오염물 클리닝 공정 및 클리너 조성물을 관리하는 방법 및 장치가 개시된다. 상기 관리 장치는 반도체 또는 액정표시장치 제조 공정의 클리너 조성물 저장 탱크에 연결되어 있으며, 상기 클리너 조성물 저장 탱크 내의 클리너 성분 농도를 분석하기 위한 분광기를 포함하는 분석시스템; 및 상기 분석시스템의 분석 결과에 따라 상기 클리너 조성물 저장 탱크 내의 클리너 성분을 보충하기 위한 클리너 성분 추가장치를 포함한다. 또한 상기 관리 방법은 반도체 또는 액정표시장치 제조 공정의 클리너 조성물 저장 탱크 내에 존재하는 클리너 성분의 각 농도를 분광기를 이용하여 분석하는 단계; 및 상기 분광기의 분석 결과에 따라 부족한 클리너 성분을 클리너 조성물 저장 탱크로 공급하여, 클리너 성분을 조절하는 단계를 포함한다.

반도체소자, 클리너, 오염물, 세정, 분광기, 성분 농도
摘要翻译：在制造过程中，诸如半导体设备，液晶显示装置中，将要使用的清洗组合物的成分，以除去该晶片或使用分光光度计实时自动分析的玻璃基板的污染，如何管理污染物清洁过程和清洁组合物，和该装置启动。所述管理装置连接到半导体或液晶显示装置制造过程的清洁剂组合物储存罐并且包括用于分析所述清洁剂组合物储存罐中的清洁剂组分的浓度的分光计; 根据分析系统的分析结果，清洁剂组分添加装置用于将清洁剂组分补充到清洁剂组合物储存罐中。该方法可以进一步包括使用光谱仪分析存在于半导体或LCD制造过程的清洁剂组合物储存罐中的清洁剂组分的每个浓度; 并且根据分光器的分析结果向清洁剂组合物储存罐供应不足的清洁剂组分以调节清洁剂组分。

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