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1. 发明授权

KR101400183B1 레지스트 하층막용 방향족 고리 함유 화합물, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용하는 소자의 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：含有抗静电剂的含芳环的化合物，包括它们的底漆组合物，以及使用其形成装置的方法
公开(公告)号：KR101400183B1
公开(公告)日：2014-05-30
申请号：KR1020100064918
申请日：2010-07-06
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 오승배 , 김민수 , 송지윤 , 전환승 , 조성욱
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/11
摘要： 레지스트 하층막용 방향족 고리 함유 화합물, 이 화합물을 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 소자의 패턴 형성 방법을 제공한다. 상기 방향족 고리 함유 화합물은 하기 화학식 1-1로 표시되는 반복단위와 하기 화학식 1-2로 표시되는 반복단위를 포함한다.
[화학식 1-1]

[화학식 1-2]

상기 화학식 1-1 및 1-2에서, 각 치환기의 정의는 상세한 설명에서 정의된 바와 같다.

2. 发明授权

KR101344792B1 하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 有权
标题翻译： HARDMASK组合物和形成图案的方法和包括图案的半导体集成电路装置
公开(公告)号：KR101344792B1
公开(公告)日：2013-12-24
申请号：KR1020100129982
申请日：2010-12-17
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 오승배 , 전환승 , 조성욱 , 김민수 , 송지윤 , 최유정
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/31144 , G03F7/094 , H01L21/02112 , H01L21/0332
摘要： 하기화학식 1로표현되는구조단위를포함하는방향족고리함유화합물및 용매를포함하는하드마스크조성물을제공한다. [화학식 1]상기화학식 1에서, A, L, B, R, R, n 및 n 의정의는명세서에서정의한바와같다. 또한상기하드마스크조성물을사용한패턴형성방법및 상기방법으로형성된복수의패턴을포함하는반도체집적회로디바이스또한제공한다.

3. 发明授权

KR101212675B1 고분자, 고분자 조성물, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용하는 재료의 패턴화 방법 有权
标题翻译：聚合物，聚合物组合物，耐磨层的组合物和使用其的材料的图案化方法
公开(公告)号：KR101212675B1
公开(公告)日：2012-12-14
申请号：KR1020080137225
申请日：2008-12-30
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 송지윤 , 전환승 , 윤경호 , 김민수 , 오승배
IPC分类号： C08G61/12 , C08G61/00 , G03F7/039 , G03F7/004
摘要： 본발명에의한고분자, 고분자조성물, 레지스트하층막조성물은필름형성시 ArF(193nm), KrF(248nm) 등의 DUV(deep UV) 파장영역에서반사방지막으로써적합한범위의굴절률및 흡수도를가짐으로써, 레지스트와하층간의반사성을최소화할수 있으며, 리쏘그래픽기술수행시 에칭선택비가높고다중에칭에대한내성이충분하여, 패턴형상및 마진면에서우수한리쏘그래픽구조물을제공할수 있다.

4. 发明公开

KR1020120073819A 하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 반도체 집적회로 디바이스의 제조 방법 无效
标题翻译：用于电阻膜的组合物和形成图案的方法和制造半导体集成电路器件的方法
公开(公告)号：KR1020120073819A
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：KR1020100135701
申请日：2010-12-27
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 송지윤 , 김민수 , 전환승 , 오승배 , 최유정
IPC分类号： G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/004 , G03F7/0047 , H01L21/027 , H01L21/0271
摘要： PURPOSE: A hard mask composition, a method for forming patterns using the same, and a semiconductor integrated circuit device including the patterns are provided to secure resistance to multiple etching and to increase etching selectivity. CONSTITUTION: A hard mask composition includes an aromatic ring containing polymer, a carbon structure, and a solvent. The carbon structure includes carbon nano-tubes, carbon block, carbon fiber, or the combination of the same. The content of the carbon structure is between 0.1 and 20 weight% based on the total content of the aromatic ring containing polymer and the carbon structure. The aromatic ring containing polymer includes a compound represented by chemical formula 1. In chemical formula 1, R1 to R4 are respectively hydrogen elements, hydroxyl groups, substituted or non-substituted C1 to C20 alkyl groups, substituted or non-substituted C3 to C20 cycloalkyl groups, substituted or non-substituted C6 to C20 aryl groups, substituted or non-substituted C7 to C20 arylalkyl groups, substituted or non-substituted C1 to C20 heteroalkyl groups, substituted or non-substituted C2 to C20 heterocycloalkyl groups, substituted or non-substituted C2 to C20 alkenyl groups, substituted or non-substituted C2 to C20 alkynyl groups, substituted or non-substituted C1 to C20 alkoxy groups, halogen elements, halogen containing groups, or the combination of the same; R5 and R6 are respectively single bonds, substituted or non-substituted C1 to C20 alkylene groups, substituted or non-substituted C3 to C20 cycloalkylen groups, substituted or non-substituted C6 to C20 arylene groups, substituted or non-substituted C7 to C20 arylalkylene groups, substituted or non-substituted C1 to C20 heteroalkylene groups, and substituted or non-substituted C2 to C20 heterocyclo alkylene groups, or the combination of the same; and n is 3 to 200.
摘要翻译：目的：提供硬掩模组合物，使用其形成图案的方法以及包括图案的半导体集成电路器件，以确保对多次蚀刻的抵抗力并增加蚀刻选择性。构成：硬掩模组合物包括含芳环的聚合物，碳结构和溶剂。碳结构包括碳纳米管，碳块，碳纤维或其组合。碳结构的含量相对于含芳族环聚合物和碳结构的总含量为0.1〜20重量％。含芳环的聚合物包括由化学式1表示的化合物。在化学式1中，R 1至R 4分别是氢元素，羟基，取代或未取代的C 1至C 20烷基，取代或未取代的C 3至C 20环烷基取代或未取代的C 6至C 20芳基，取代或未取代的C 7至C 20芳烷基，取代或未取代的C 1至C 20杂烷基，取代或未取代的C 2至C 20杂环烷基，取代或未取代的C 2至C 20炔基，取代或未取代的C 1至C 20烷氧基，卤素元素，含卤素基团或其组合; 取代或未取代的C 3至C 20亚烷基，取代或未取代的C 6至C 20亚芳基，取代或未取代的C 7至C 20芳基亚烷基取代或未取代的C1至C20杂亚烷基，以及取代或未取代的C2至C20杂环亚烷基，或其组合; n为3〜200。

5. 发明公开

KR1020110079200A 레지스트 하층막용 방향족 고리 함유 중합체　및　이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 有权
标题翻译：含有环氧树脂的含环氧树脂的聚合物，包括它们的底漆和底漆组合物
公开(公告)号：KR1020110079200A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020090136186
申请日：2009-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김민수 , 전환승 , 조성욱 , 오승배 , 송지윤
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/091 , C08F12/22 , C08F212/32 , C08F232/08
摘要： PURPOSE: A resist sublayer aromatic ring containing polymer and a resist sublayer composition including the same are provided to secure the sufficient resistance characteristic with respect to multi-etching operations. CONSTITUTION: A resist sublayer aromatic ring containing polymer includes a structural unit represented by chemical formula 1. In the chemical formula 1, the p is the integer of 1 or 2. The q is the integer of 1 to 5. The k is the integer of 1 to 6. The value of q+k is the integer of 1 to 6. The X is hydroxyl group, substituted or non-substituted C1 to C10 alkoxy group, or substituted or non-substituted C6 to C30 aryloxy group. The Ra is substituted or non-substituted C1 to C10 alkyl group, substituted or non-substituted C3 to C8 cycloalkyl group, substituted or non-substituted C6 to C30 aryl group, substituted or non-substituted C2 to C10 alkenyl group, or halogen. The Rb is hydrogen, substituted or non-substituted C1 to C10 alkyl group, substituted or non-substituted C3 to C8 cycloalkyl group, or substituted or non-substituted C6 to C30 aryl group.
摘要翻译：目的：提供含有抗蚀剂亚层芳环的聚合物和包含该抗蚀剂亚层的聚合物的抗蚀剂亚层组合物以确保相对于多次蚀刻操作的足够的电阻特性。构成：含有抗蚀剂亚层芳环的聚合物包括由化学式1表示的结构单元。在化学式1中，p是1或2的整数.q是1至5的整数.k是整数为1〜6，q + k为1〜6的整数.X为羟基，取代或未取代的C1〜C10烷氧基，或取代或未取代的C6〜C30芳氧基。取代或未取代的C 3至C 8环烷基，取代或未取代的C 6至C 30芳基，取代或未取代的C 2至C 10烯基或卤素取代或未取代的C 1至C 10烷基。取代或未取代的C1至C10烷基，取代或未取代的C3至C8环烷基，或取代或未取代的C6至C30芳基。

6. 发明授权

KR100995080B1 레지스트 하층막, 고내에칭성 조성물 및 이를 이용한재료의 패턴화 방법 有权
标题翻译：耐蚀涂层，高耐蚀组合物和使用该材料的材料的方法
公开(公告)号：KR100995080B1
公开(公告)日：2010-11-18
申请号：KR1020080077137
申请日：2008-08-06
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 윤경호 , 전환승 , 김민수 , 오승배 , 송지윤
IPC分类号： G03F7/008 , G03F7/004
摘要： 본 발명은 레지스트 하층막, 고내에칭성 조성물 및 이를 이용한 재료의 패턴화 방법에 관한 것이다. 상기 레지스트 하층막은 폴리아크릴로니트릴로부터 유도된 탄소화 수지를 포함하여 내에칭성이 매우 우수하고, 상기 레지스트 하층막의 제조를 위한 고내에칭성 조성물은 미세패턴의 형성을 위한 리쏘그래픽 공정에 유용하고, 스핀-온 도포 기법으로 도포 가능하며, 보다 짧은 파장을 이용한 리쏘그래픽 공정에 유용하다.
탄소화 수지, 레지스트 하층막, 반사방지 특성, 내에칭성

7. 发明公开

KR1020100080147A 고분자, 고분자 조성물, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용하는 재료의 패턴화 방법 有权
标题翻译：聚合物，聚合物组合物，耐磨层的组合物和使用其的材料的图案化方法
公开(公告)号：KR1020100080147A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080138788
申请日：2008-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김민수 , 전환승 , 윤경호 , 오승배 , 송지윤
IPC分类号： C08G61/00 , C08G61/10 , C08G61/12 , G03F7/004
CPC分类号： C08G61/00 , C08G61/10 , C08G61/12 , C08G61/121 , G03F7/004 , G03F7/0045
摘要： PURPOSE: A polymer, polymer composition, and a resist lower layer composition are provided to minimize reflection between the resist and lower layer. CONSTITUTION: A polymer is denoted by a repeat unit of chemical formula 1. The polymer composition contains a first copolymer 1 with the repeat unit of sequence number 1; and a second polymer with repeat unit of chemical formula 2: *-[-Ar_3-X-]-*. The second polymer contains a repeat unit of chemical formula 2. The polymer contains with a polymer composition and organic solvent.
摘要翻译：目的：提供聚合物，聚合物组合物和抗蚀剂下层组合物以最小化抗蚀剂和下层之间的反射。构成：聚合物由化学式1的重复单元表示。聚合物组合物包含具有序列号1的重复单元的第一共聚物1; 和具有化学式2的重复单元的第二聚合物：* - [ - Ar_3-X - ] - *。第二聚合物含有化学式2的重复单元。聚合物含有聚合物组合物和有机溶剂。

8. 发明公开

KR1020100078852A 고분자, 고분자 조성물, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용하는 재료의 패턴화 방법 有权
标题翻译：聚合物，聚合物组合物，耐磨层的组合物和使用其的材料的图案化方法
公开(公告)号：KR1020100078852A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080137226
申请日：2008-12-30
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 토카레바나탈리아 , 전환승 , 윤경호 , 김민수 , 오승배 , 송지윤
IPC分类号： C08G61/12 , C08G61/00 , C08L65/00 , G03F7/039
摘要： PURPOSE: A polymer, a polymeric composition, a resist under layer composition including thereof, and a patterning method of a material using thereof are provided to spread the polymer using a spin-on spreading method, and to minimize the amount of remaining acid. CONSTITUTION: A polymer includes a recurring unit marked with chemical formula 1: -[-Ar1-CO-C(OH)-]-. In the chemical formula 1, Ar1 has left and right bonding hands capable of being located on any ring of an aromatic ring compound. A polymeric composition includes a first polymer marked with the chemical formula 1, and a second polymer.
摘要翻译：目的：提供聚合物，聚合物组合物，其包含抗蚀剂层的组合物，以及使用其的材料的图案化方法以使用旋涂法扩散聚合物，并使剩余的酸最小化。构成：聚合物包括用化学式1表示的重复单元： - [ - Ar1-CO-C（OH） - ] - 。在化学式1中，Ar 1具有能够位于芳环化合物的任何环上的左右键合手。聚合物组合物包括用化学式1标记的第一聚合物和第二聚合物。

9. 发明公开

KR1020120077466A 하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 有权
标题翻译： HARDMASK组合物和形成图案的方法和包括图案的半导体集成电路装置
公开(公告)号：KR1020120077466A
公开(公告)日：2012-07-10
申请号：KR1020100139422
申请日：2010-12-30
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김민수 , 전환승 , 송지윤 , 김영민 , 이철호 , 이충헌
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0047 , H01L21/027 , H01L21/0271
摘要： PURPOSE: A hard mask composition, a pattern forming method using the same, a semiconductor integrated circuit device including patterns are provided to secure resistance to multi-etching and to improve optical characteristic. CONSTITUTION: A hard mask composition includes an aromatic ring containing compound with either a part represented by chemical formula 1 or a part represented by chemical formula 2. In chemical formula 1 or 2, Ar is an aromatic cyclic group; R1 to R3 are respectively single bonds, substituted or non-substituted C1 to C30 alkylene groups, substituted or non-substituted C3 to C30 cycloalkylene groups, substituted or non-substituted C6 to C30 arylene groups, substituted or non-substituted C3 to C30 cycloalkenylene groups, substituted or non-substituted C7 to C20 arylalkylene groups, substituted or non-substituted C1 to C20 heteroalkylene groups, substituted or non-substituted C2 to C30 heterocycloalkylene groups, substituted or non-substituted C2 to C30 heteroarylene groups, substituted or non-substituted C2 to C30 alkenylene groups, substituted or non-substituted C2 to C30 alkynylene groups, or the combination of the same; and n is 1 to 100.
摘要翻译：目的：提供硬掩模组合物，使用其的图案形成方法，包括图案的半导体集成电路器件，以确保对多次蚀刻的抵抗力并提高光学特性。构成：硬掩模组合物包括具有由化学式1表示的部分或由化学式2表示的部分的含芳环的化合物。在化学式1或2中，Ar为芳族环状基团; 取代或未取代的C 3〜C 30亚环烷基，取代或未取代的C 6〜C 30亚芳基，取代或未取代的C 3〜C 30亚环烯基取代或未取代的C 1 -C 20亚芳基，取代或未取代的C 1至C 30杂亚烷基，取代或未取代的C 1至C 30杂亚烷基，取代C2至C30亚烯基，取代或未取代的C2至C30亚炔基，或其组合; n为1〜100。

10. 发明公开

KR1020120067602A 하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 有权
标题翻译： HARDMASK组合物和形成图案的方法和包括图案的半导体集成电路装置
公开(公告)号：KR1020120067602A
公开(公告)日：2012-06-26
申请号：KR1020100129101
申请日：2010-12-16
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 송지윤 , 김민수 , 전환승 , 오승배 , 최유정
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/31144 , G03F7/094 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/0271 , G03F7/0045 , G03F7/004 , G03F7/0041 , G03F7/0047 , G03F7/11 , H01L21/027
摘要： PURPOSE: A hard mask composition, a method for forming patterns using the same, and a semiconductor integrated circuit device including the patterns are provided to improve optical characteristic and to secure resistance to multiple etching. CONSTITUTION: A hard mask composition includes a compound with an aromatic ring represented by chemical formula 1 and a solvent. In chemical formula 1, A is an aromatic ring; R1 to R6 are respectively substituted or non-substituted C1 to C20 alkyl groups, substituted or non-substituted C3 to C30 cycloalkyl groups, substituted or non-substituted C6 to C30 aryl groups, substituted or non-substituted C3 to C30 cycloalkenyl groups, or substituted or non-substituted C7 to C20 arylalkyl groups, substituted or non-substituted C1 to C20 heteroalkyl groups, substituted or non-substituted C2 to C30 heterocycloalkyl groups, substituted or non-substituted C2 to C30 heteroaryl groups, substituted or non-substituted C2 to C30 alkenyl groups, substituted or non-substituted C2 to C30 alkynyl groups, substituted or non-substituted C1 to C30 alkoxyl groups, or the combination of the same; X1 to C6 are respectively C1 to C20 alkyl groups, substituted or non-substituted C3 to C30 cycloalkyl groups, substituted or non-substituted C6 to C30 aryl groups, substituted or non-substituted C1 to C30 alkoxyl groups, substituted or non-substituted C1 to C20 alkylamine groups, amino groups, hydroxyl groups, or the combination of the same; n1 to n6 are respectively 0 or 1; and the sum of n1 to n6 is between 1 and 6, inclusively.
摘要翻译：目的：提供硬掩模组合物，使用其形成图案的方法和包括图案的半导体集成电路器件，以改善光学特性并确保对多次蚀刻的抵抗力。构成：硬掩模组合物包括具有由化学式1表示的芳香环的化合物和溶剂。在化学式1中，A是芳环; 取代或未取代的C 3至C 30环烷基，取代或未取代的C 6至C 30芳基，取代或未取代的C 3至C 30环烯基，或取代或未取代的C7至C20芳烷基，取代或未取代的C1至C20杂烷基，取代或未取代的C2至C30杂环烷基，取代或未取代的C2至C30杂芳基，取代或未取代的C2 取代或未取代的C 2〜C 30炔基，取代或未取代的C 1〜C 30烷氧基，或其组合; 取代或未取代的C 6〜C 30芳基，取代或未取代的C 1〜C 30烷氧基，取代或未取代的C 1〜C 30烷氧基，至C20烷基胺基，氨基，羟基或其组合; n1〜n6分别为0或1; n1〜n6的和为1〜6。

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