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1. 发明授权

KR101890945B1 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 패턴 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR101890945B1
公开(公告)日：2018-08-22
申请号：KR1020120032900
申请日：2012-03-30
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 미네기시,신야 , 마츠무라,유시 , 나카후지,신야 , 고무라,가즈히코 , 나카노,다카노리 , 무라카미,사토루 , 야스다,교유 , 스기우라,마코토
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , C08G8/08 , C08L61/06 , G03F7/094
摘要： 본발명의과제는우수한에칭내성을갖는레지스트하층막을형성할수 있고, 단차가있는기판에대한매립성능이우수하며, 레지스트하층막형성시아웃가스가적은레지스트하층막형성용조성물및 패턴형성방법의제공을목적으로한다. 본발명의해결수단은 (A) 하기화학식 1로표시되는구조단위를갖고, 폴리스티렌환산중량평균분자량이 3,000 이상 10,000 이하인중합체, 및 (B) 용매를함유하는레지스트하층막형성용조성물이다. (화학식 1 중, R내지 R은각각독립적으로화학식 2로표시되는기, 수소원자, 수산기, 탄소수 1 내지 6의알킬기, 탄소수 1 내지 6의알콕시기, 탄소수 2 내지 10의알콕시카르보닐기, 탄소수 6 내지 14의아릴기또는글리시딜에테르기이다. 단, R내지 R중적어도하나는화학식 2로표시되는기이다.)

2. 发明公开

KR1020130069482A 레지스트 하층막 형성용 수지 조성물, 레지스트 하층막, 그의 형성 방법 및 패턴 형성 방법 审中-实审
标题翻译：用于形成下层膜的树脂组合物，耐下层膜，其形成方法和形成图案的方法
公开(公告)号：KR1020130069482A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：KR1020120146018
申请日：2012-12-14
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 나카후지,신야 , 무라카미,사토루 , 고무라,가즈히코 , 마츠무라,유시 , 모토나리,마사유키 , 미조구치,가츠히사
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/26 , G02B1/11
CPC分类号： G03F7/091 , C08L83/08 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/095 , G03F7/11
摘要： PURPOSE: A resin composition for forming resist under film is provided to have anti-reflection barrier layer function, and excellent pattern transfer performance as well as etching-resistive characteristics using a crosslinking agent having specific structure. CONSTITUTION: A resin composition for forming resist under film comprises resin having aromatic ring, cross-linking agent having a partial structure of chemical formula (I). X from the chemical formula(i) is among an oxygen atom or sulfur-atom or *-COO- or -NRA- among the chemical formula (I). RA is a monovalence of a hydrocarbon group of hydrogen atom or carbon number 1-30, and * shows the part combined with R1. R1 is a monovalence of a hydrocarbon group of a hydrogen atom or carbon number. 1-30R2 is a hydroxy group, a sulfonyl group, a cyano group, a nitro group, a monovalence of a hydrocarbon group of carbon number 1-30, monovalence of an oxy hydrocarbon group of carbon number 1-30, or a monovalence of sulfanyl hydrocarbon group of carbon number 1-30. n1 is an integer of 1-12, n2 is an integer of 0-11, and n1+n2 is an integer less than 12. Several X, R1, and R2 are respectively identical or different when X, R1, and R2 are respectively several. P is an integer of 1-3.
摘要翻译：目的：提供一种用于在膜下形成抗蚀剂的树脂组合物以具有抗反射阻挡层功能，并且具有优异的图案转印性能以及使用具有特定结构的交联剂的耐蚀刻性。构成：用于在膜下形成抗蚀剂的树脂组合物包括具有芳环的树脂，具有化学式（I）的部分结构的交联剂。化学式（I）中的X为化学式（I）中的氧原子或硫原子或* -COO-或-NRA-。 RA是氢原子或碳数1-30的烃基的单价，*表示与R1结合的部分。 R1是氢原子或碳数的烃基的一价。 1-30R2是羟基，磺酰基，氰基，硝基，碳原子数为1-30的烃基的单价，碳数为1-30的氧代烃基的一价或单价，碳数为1-30的硫烷基烃基。 n1是1-12的整数，n2是0-11的整数，n1 + n2是小于12的整数。当X，R1和R2分别为X，R1和R2时，X，R1和R2分别相同或不同一些。 P是1-3的整数。

4. 发明授权

KR101909288B1 패턴 형성 방법 및 레지스트 하층막 형성용 조성물 有权
公开(公告)号：KR101909288B1
公开(公告)日：2018-10-17
申请号：KR1020120049440
申请日：2012-05-10
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 마츠무라,유시 , 미네기시,신야 , 무라카미,사토루 , 안노,유스케 , 나카후지,신야 , 고무라,가즈히코 , 야스다,교유
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/004
摘要： 본발명은에칭내성을유지하면서, 알칼리액을이용하여용이하게제거가능한레지스트하층막을형성할수 있는패턴형성방법의제공을목적으로한다. 본발명은 (1) 알칼리개열성관능기를갖는화합물을함유하는레지스트하층막형성용조성물을이용하여, 피가공기판상에레지스트하층막을형성하는공정, (2) 상기레지스트하층막상에레지스트패턴을형성하는공정, (3) 상기레지스트패턴을마스크로한 상기레지스트하층막및 상기피가공기판의드라이에칭에의해상기피가공기판에패턴을형성하는공정, 및 (4) 알칼리액에의해상기레지스트하층막을제거하는공정을갖는패턴형성방법이다.

5. 发明公开

KR1020120049320A 패턴 형성 방법 및 레지스트 하층막 형성용 조성물 有权
标题翻译：形成电阻膜的图案形成方法和组合
公开(公告)号：KR1020120049320A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：KR1020127005422
申请日：2010-09-24
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 미네기시,신야 , 나카후지,신야 , 나카노,다카노리
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： B44C1/227 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/168 , G03F7/40 , H01L21/02118 , H01L21/0332 , H01L21/0334 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , G03F7/26 , H01L21/0273
摘要： A pattern-forming method includes forming a resist underlayer film on a substrate using a resist underlayer film-forming composition. The resist underlayer film-forming composition includes a base component, and a crosslinking agent. The crosslinking agent has a partial structure represented by a following general formula (i). X represents an oxygen atom, a sulfur atom, or —NR—. R represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms. n1 is an integer from 1 to 6. R1 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms.

7. 发明授权

KR102120145B1 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 패턴 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR102120145B1
公开(公告)日：2020-06-08
申请号：KR1020157005766
申请日：2013-09-06
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 도요카와,후미히로 , 나카후지,신야 , 와카마츠,고지
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/26

8. 发明授权

KR101956925B1 레지스트 하층막 형성용 조성물, 레지스트 하층막 및 그의 형성 방법, 및 패턴 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR101956925B1
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：KR1020120108597
申请日：2012-09-28
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 나카후지,신야 , 무라카미,사토루 , 다키모토,요시오 , 모토나리,마사유키
IPC分类号： G03F7/09 , G03F7/11 , G03F7/095 , B44C1/22 , G03F7/004 , G03F7/038

9. 发明公开

KR1020140090150A 레지스트 하층막 형성용 조성물, 그의 제조 방법, 패턴 형성 방법 및 레지스트 하층막 审中-实审
标题翻译：用于形成电阻膜的组合物，其制造方法，图案形成方法和电阻膜下膜
公开(公告)号：KR1020140090150A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：KR1020147009348
申请日：2012-10-02
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 고무라,가즈히코 , 미네시기,신야 , 모리,다카시 , 야스다,교유 , 다키모토,요시오 , 나카후지,신야 , 기무라,도루
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/26
CPC分类号： H01L21/3081 , G03F7/094 , H01L21/02164 , H01L21/0271 , H01L21/033 , H01L21/31116 , H01L21/31138
摘要： 본 발명은 [A1] Tg가 0℃ 이상 180℃ 이하인 중합체를 함유하는 레지스트 하층막 형성용 조성물이다. [B] 산발생체를 더 함유하는 것이 바람직하다. 레지스트 하층막 표면에 규소계 산화막을 형성하고, 이 규소계 산화막을 드라이 에칭하는 공정을 포함하는 다층 레지스트 공정에 사용하는 것이 바람직하다. [A2] Tg가 180℃를 초과하는 중합체를 더 함유하는 것이 바람직하다. [A2] 중합체의 함유량이 [A1] 중합체와 [A2] 중합체의 합계 100질량부에 대하여 10질량부 이상 40질량부 이하인 것이 바람직하다.

10. 发明公开

KR1020140018949A 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 패턴 형성 방법 审中-实审
标题翻译：用于形成电阻膜和图案形成方法的组合物
公开(公告)号：KR1020140018949A
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：KR1020137027937
申请日：2011-04-28
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 나카후지,신야 , 미네기시,신야 , 나카노,다카노리
IPC分类号： G03F7/11 , C08G8/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , B44C1/227 , C08G8/20 , C08G61/02 , C08G2261/314 , C08G2261/332 , C08G2261/90 , G03F7/094 , G03F7/30 , G03F7/36 , G03F7/11 , H01L21/0274
摘要： 본 발명은 에칭 내성이 우수하고, 반사율이 저감된 레지스트 하층막을 형성할 수 있는 레지스트 하층막 형성용 조성물, 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 과제로 한다. 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 발명은 [A] 하기 화학식 (1)로 표시되는 반복 단위를 포함하는 중합체 및 [B] 용제를 함유하는 레지스트 하층막 형성용 조성물이다. 또한, 하기 화학식 (1)은 하기 화학식 (1-1)로 표시되는 것이 바람직하다. 또한, [A] 중합체의 중량 평균 분자량은 500 내지 8,000인 것이 바람직하다.

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