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1. 发明授权

KR100732368B1 강유전체를 이용한 원자간력 현미경 캔틸레버의 탐침 및 그제조방법 失效
标题翻译：使用铁电体的AFM悬臂的探头及其制造
公开(公告)号：KR100732368B1
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：KR1020050063672
申请日：2005-07-14
申请人： 전자부품연구원
发明人： 서문석 , 신진국 , 이철승 , 김성현 , 최영진 , 이경일 , 조진우
IPC分类号： G01Q60/38 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/324
摘要： 본 발명은 강유전체를 이용한 원자간력 현미경 캔틸레버의 탐침 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 복잡한 장치를 사용하지 않으면서 쉽게 강유전체의 분극을 알 수 있는 캔틸레버의 탐침을 제조하기 위한 것이다.
본 발명의 강유전체를 이용한 원자간력 현미경 캔틸레버의 탐침은 캔틸레버 지지부; 상기 캔틸레버 지지부 상에 형성된 절연층; 상기 절연층 상에 형성된 금속층 및 상기 금속층의 첨두부에 형성된 강유전체로 구성됨에 기술적 특징이 있다.
강유전체, 탐침, 전기분극

2. 发明授权

KR100715123B1 탐침형 정보저장장치의 기록매체 및 기록/재생/소거 방법 失效
标题翻译：探头型数据存储装置的记录媒体及其写/读/擦除方法
公开(公告)号：KR100715123B1
公开(公告)日：2007-05-10
申请号：KR1020050059519
申请日：2005-07-04
申请人： 전자부품연구원
发明人： 이철승 , 신진국 , 서문석 , 김성현 , 최영진 , 이경일 , 조진우
IPC分类号： G11B7/2433 , G11B7/004
摘要： 본 발명은 탐침형 정보저장장치의 기록매체 및 기록/재생/소거 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 상전이 박막 상에 금속-절연체 상전이 박막을 추가로 증착하여 기록밀도를 현저히 높일 수 있는 고밀도의 탐침형 정보저장장치의 기록매체를 제조하는 것에 관한 것이다.
본 발명의 탐침형 정보저장장치의 기록매체는 상전이 박막을 이용하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체에 있어서, 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 위치하는 하부전극; 상기 하부전극 상에 위치하고 결정질 상태인 상전이 박막 및 상기 상전이 박막 상에 위치하는 금속-절연체 상전이 박막으로 구성됨에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 탐침형 정보저장장치의 기록매체 및 기록/재생/소거 방법은 상전이에 의하 저항치의 변화를 이용하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체를 제조함에 있어 제1 상전이 박막 상에 제2 상전이 박막을 추가로 증착함으로써 기록밀도를 현저히 높일 수 있는 장점이 있고, 테라비트급 탐침형 정보저장장치에 사용이 가능하며 PRAM 소자에 응용할 수 있는 효과가 있다.
상전이 박막, 기록매체, 정보저장, 기록, 재생, 소거

3. 发明授权

KR100644798B1 저전력 탐침형 정보저장장치용 구동기 失效
标题翻译： 저전력탐침형형정보저장장치용구동기
公开(公告)号：KR100644798B1
公开(公告)日：2006-11-14
申请号：KR1020050063676
申请日：2005-07-14
申请人： 전자부품연구원
发明人： 이경일 , 신진국 , 이철승 , 김성현 , 최영진 , 서문석 , 조진우
IPC分类号： G11B9/14 , G11B19/02
摘要： A driver for a low power probe type information storage device is provided to reduce the weight, decrease the driving power, and enhance the vertical strength by forming a lattice structure on a surface opposite to a recording surface of a middle transfer stick. A middle frame is connected to an outer frame(100) through springs, and moves in an X direction. A first seesaw is fixed to the outer frame(100), and connected to an X-axis driver and the middle frame through springs. A middle transfer stick(115) is connected to the middle frame though springs, and moves in a Y direction. A second seesaw is fixed to the outer frame(100), and connected to a Y-axis driver and the middle transfer stick(115) through springs. A recording medium(110) is joined to the middle transfer stick(115). A lattice structure is formed in the center portion of the middle transfer stick(115). A lower substrate(130) has coils for moving the X-axis and Y-axis drivers.
摘要翻译：通过在与中间转印棒的记录表面相对的表面上形成网格结构，提供了一种用于低功率探针型信息存储设备的驱动器以减轻重量，降低驱动功率并增强垂直强度。中框架通过弹簧连接到外框架（100），并沿X方向移动。第一杠杆固定在外框架（100）上，并通过弹簧连接到X轴驱动器和中间框架。中间转印杆（115）通过弹簧连接到中间框架，并沿Y方向移动。第二跷跷板固定在外框架（100）上，并通过弹簧连接到Y轴驱动器和中间转印杆（115）。记录介质（110）连接到中间转印杆（115）。在中间转印杆（115）的中央部分形成网格结构。下基板（130）具有用于移动X轴和Y轴驱动器的线圈。

4. 发明公开

KR1020060008459A 수평방향 성장에 의한 고종횡비의 전자빔 증착 탐침제조방법 失效
标题翻译：通过水平生长提高高比例EBD提示的方法
公开(公告)号：KR1020060008459A
公开(公告)日：2006-01-27
申请号：KR1020040056197
申请日：2004-07-20
申请人： 전자부품연구원
发明人： 김성현 , 최영진 , 이경일 , 서문석
IPC分类号： H01J37/28
摘要： 본 발명은 실리콘 탐침 상에 성장된 탄소 재질의 탐침에 수평 방향 전자빔을 조사하여 100nm 이하의 CD 측정이 가능한 탐침에 관한 것이다.
본 발명의 수평방향 성장에 의한 고종횡비의 전자빔 증착 탐침 제조방법은 (a) 2축 구동기가 형성된 캔틸레버를 형성하는 단계; (b) 상기 캔틸레버 상에 실리콘 탐침을 형성하는 단계; (c) 상기 실리콘 탐침이 형성된 캔틸레버를 탄화수소계 용제에 디핑하는 단계; (d) 상기 실리콘 탐침 상에 탄소 재질의 탐침을 성장시키는 단계 및 (e) 상기 성장된 탄소 재질의 탐침에 수평으로 전자빔을 조사하는 단계로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 수평방향 성장에 의한 고종횡비의 전자빔 증착 탐침 제조방법은 탐침과 빔을 수직방향으로 한 탐침의 수평방향 성장방법을 통해 100nm 이하의 CD의 측정이 가능하게 하며, 탐침 끝을 볼 형태로 제작하여 CD 벽면 측정을 용이하게 하고 열처리를 통해 전도성이 뛰어난 효과가 있다.
CD, 고종횡비, 탐침, 수평방향

5. 发明公开

KR1020050120024A 탄소 나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및그 제조방법 失效
标题翻译：具有碳纳米管晶体管的AFM透镜及其制造方法
公开(公告)号：KR1020050120024A
公开(公告)日：2005-12-22
申请号：KR1020040045211
申请日：2004-06-18
申请人： 전자부품연구원
发明人： 서문석 , 신진국 , 이철승 , 김성현 , 최영진 , 이경일
IPC分类号： G01Q60/38 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L29/772 , B82Y40/00
CPC分类号： G01Q60/38 , B82Y40/00 , H01L21/0273 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L29/772
摘要： 본 발명은 탄소 나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 배치 프로세스를 통해 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 정확히 수직 배양된 탄소 나노튜브가 형성된 탐침을 포함하는 캔틸레버를 제공함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장 장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 탄소나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 (a) 캔틸레버 지지대의 상부에 탐침을 형성하는 단계; (b) 상기 캔틸레버 지지대의 상부에 다층막 형성후, 2회에 걸친 패턴 형성 및 불순물 주입으로 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 탐침이 위치하며 탐침의 양측 경사면에 소스 및 드레인 영역이 형성되도록 캔틸레버 아암을 형성하는 단계; (c) 상기 기판 상부에 포토레지스트를 도포하고 애싱하여 탐침의 첨두부를 노출시키는 단계; (d) 상기 포토레지스트의 상부에 금속막을 형성하고 상기 포토레지스트를 제거하여 탐침의 첨두부에만 금속막을 남기는 단계; (e) 상기 금속막을 열처리한 후에 구형으로 변형하여 금속구를 형성하는 단계; (f) 상기 탐침의 첨두부에 탄소 나노튜브를 수직으로 배양시키는 단계; 및 (g) 상기 캔틸레버 아암의 일부를 제거하여 캔틸레버 아암을 부상시키는 단계를 포함하는 탄소 나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 탄소 나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법은 배치 프로세스를 통해 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 정확히 수직 배양된 탄소 나노튜브가 형성된 탐침을 포함하는 캔틸레버를 제공함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장 장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 효과가 있다.

6. 发明公开

KR1020050114435A 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버 및그 제조 방법 失效
标题翻译：用于检查高频器件的AFM插座及其制造方法
公开(公告)号：KR1020050114435A
公开(公告)日：2005-12-06
申请号：KR1020040039653
申请日：2004-06-01
申请人： 전자부품연구원
发明人： 서문석 , 신진국 , 이철승 , 김성현 , 최영진 , 이경일 , 조진우
IPC分类号： G01Q60/38 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/324
CPC分类号： G01Q60/38 , H01L21/0273 , H01L21/31 , H01L21/324
摘要： 본 발명은 락인 증폭기를 사용하지 않으면서도 수십 GHz 이상에서 작동되는 반도체 소자의 고주파 특성을 볼 수 있는 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 캔틸레버 지지대, 상기 캔틸레버 지지대상에 위치하며 일측이 부상된 캔틸레버 아암, 상기 캔틸레버 아암 선단에 위치한 팁, 상기 팁 내에 형성된 채널 및 상기 채널의 양측면에 각각 형성된 소스 및 드레인으로 이루어진 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버에 있어서, 상기 팁은 콘 모양 또는 피라미드 모양임을 특징으로 하는 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버에 의해 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법은 팁을 제외한 주변의 절연막을 제거하므로써 고주파 소자의 검사가 가능한 효과가 있다.

7. 发明公开

KR1020040033564A 표면주사 현미경의 캔틸레버 및 탐침 제조방법 无效
标题翻译：扫描探针显微镜和制造提示的方法
公开(公告)号：KR1020040033564A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：KR1020020062703
申请日：2002-10-15
申请人： 전자부품연구원
发明人： 김성현 , 최영진 , 박철완
IPC分类号： H01J37/28
摘要： PURPOSE: A cantilever of a scanning probe microscope and a method for manufacturing a tip are provided to achieve tips having improved hardness, abradability, and sharpness. CONSTITUTION: A cantilever of a scanning probe microscope comprises a cantilever rod(106) formed by silicone, and a tip(102) made of carbon material. The tip is grown in vertical direction of electron beams irradiated on the cantilever rod for electron beam induced deposition. A method for manufacturing the tip comprises a step of setting a parameter value for forming a cantilever rod tip, a step of irradiating electron beams to the position where the tip is grown by applying the set parameter value, and a step of forming the tip made of carbon material through decomposition of hydrocarbon gas(104) by heating up the bottom part of the tip forming position.
摘要翻译：目的：提供扫描探针显微镜的悬臂和尖端的制造方法，以获得具有改善的硬度，耐磨性和清晰度的尖端。构成：扫描探针显微镜的悬臂包括由硅树脂形成的悬臂杆（106）和由碳材料制成的尖端（102）。尖端沿垂直方向生长，照射在用于电子束诱导沉积的悬臂上的电子束。用于制造尖端的方法包括设置用于形成悬臂杆末端的参数值的步骤，通过施加设定参数值将电子束照射到生长尖端的位置的步骤，以及形成尖端的步骤的碳材料通过加热顶端形成位置的底部而分解烃气体（104）。

8. 发明授权

KR100696870B1 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법 失效
标题翻译：具有量子点晶体管的AFM悬臂及其制造方法
公开(公告)号：KR100696870B1
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020040049786
申请日：2004-06-29
申请人： 전자부품연구원
发明人： 서문석 , 신진국 , 이철승 , 김성현 , 최영진 , 이경일
IPC分类号： G01Q60/38 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L29/772
摘要： 본 발명은 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 마이크로 머시닝 기술과 반도체 소자 제작 공정을 응용하여 끝이 뾰족한 탐침을 제작하고 리프트 오프 공정을 이용하여 탐침의 첨두부에 금속 양자점을 형성함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 (a) 캔틸레버 지지대의 상부에 탐침을 형성하는 단계; (b) 상기 캔틸레버 지지대의 상부에 다층막 형성후, 2회에 걸친 패턴 형성 및 트랜지스터의 채널 영역에 탐침이 위치하며 탐침의 양측 경사면에 소스 및 드레인 영역이 형성되도록 캔틸레버 아암을 형성하는 단계; (c) 상기 기판 상부에 포토레지스트를 도포하고 애싱하여 탐침의 첨두부를 노출시키는 단계; (d) 상기 포토레지스트의 상부에 금속막을 형성하고 상기 포토레지스트를 제거하여 탐침의 첨두부에만 금속막을 남기는 단계; (f) 상기 탐침의 첨두부에 금속점을 증착시키는 단계; 및 (g) 상기 캔틸레버 아암의 일부를 제거하여 캔틸레버 아암을 부상시키는 단계를 포함하는 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 제조 방법에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법은 마이크로 머시닝 기술과 반도체 소자 제작 공정을 응용하여 끝이 뾰족한 탐 침을 제작하고 리프트 오프 공정을 이용하여 탐침의 첨두부에 금속 양자점을 형성함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 효과가 있다.
양자점, 원자간력, 현미경, 캔틸레버

9. 发明授权

KR100653198B1 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버 및그 제조 방법 失效
标题翻译：用于检测高频装置的AFM悬臂及其制造方法
公开(公告)号：KR100653198B1
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：KR1020040039653
申请日：2004-06-01
申请人： 전자부품연구원
发明人： 서문석 , 신진국 , 이철승 , 김성현 , 최영진 , 이경일 , 조진우
IPC分类号： G01Q60/38 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/324
摘要： 본 발명은 락인 증폭기를 사용하지 않으면서도 수십 GHz 이상에서 작동되는 반도체 소자의 고주파 특성을 볼 수 있는 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 캔틸레버 지지대, 상기 캔틸레버 지지대상에 위치하며 일측이 부상된 캔틸레버 아암, 상기 캔틸레버 아암 선단에 위치한 팁, 상기 팁 내에 형성된 채널 및 상기 채널의 양측면에 각각 형성된 소스 및 드레인으로 이루어진 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버에 있어서, 상기 팁은 콘 모양 또는 피라미드 모양임을 특징으로 하는 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버에 의해 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법은 팁을 제외한 주변의 절연막을 제거하므로써 고주파 소자의 검사가 가능한 효과가 있다.
고주파, 소자, 원자간력, 현미경, 캔틸레버

10. 发明授权

KR100617468B1 수평방향 성장에 의한 고종횡비의 전자빔 증착 탐침제조방법 失效
标题翻译：通过尖端的水平生长制造具有高纵横比的EBD尖端的方法
公开(公告)号：KR100617468B1
公开(公告)日：2006-09-01
申请号：KR1020040056197
申请日：2004-07-20
申请人： 전자부품연구원
发明人： 김성현 , 최영진 , 이경일 , 서문석
IPC分类号： H01J37/28
摘要： 본 발명은 실리콘 탐침 상에 성장된 탄소 재질의 탐침에 수평 방향 전자빔을 조사하여 100nm 이하의 CD 측정이 가능한 탐침에 관한 것이다.
본 발명의 수평방향 성장에 의한 고종횡비의 전자빔 증착 탐침 제조방법은 (a) 2축 구동기가 형성된 캔틸레버를 형성하는 단계; (b) 상기 캔틸레버 상에 실리콘 탐침을 형성하는 단계; (c) 상기 실리콘 탐침이 형성된 캔틸레버를 탄화수소계 용제에 디핑하는 단계; (d) 상기 실리콘 탐침 상에 탄소 재질의 탐침을 성장시키는 단계 및 (e) 상기 성장된 탄소 재질의 탐침에 수평으로 전자빔을 조사하는 단계로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 수평방향 성장에 의한 고종횡비의 전자빔 증착 탐침 제조방법은 탐침과 빔을 수직방향으로 한 탐침의 수평방향 성장방법을 통해 100nm 이하의 CD의 측정이 가능하게 하며, 탐침 끝을 볼 형태로 제작하여 CD 벽면 측정을 용이하게 하고 열처리를 통해 전도성이 뛰어난 효과가 있다.
CD, 고종횡비, 탐침, 수평방향

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