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1. 发明授权

KR101679692B1 적외선 차폐 단열코팅 有权
标题翻译：截止红外线绝缘涂层
公开(公告)号：KR101679692B1
公开(公告)日：2016-11-28
申请号：KR1020140191251
申请日：2014-12-28
申请人： 전자부품연구원
发明人： 서문석 , 이철승 , 김선민
IPC分类号： B05D5/06 , B05D7/00
摘要： 태양광의근적외선영역및 원적외선영역모두를효율적으로차폐하는단열코팅이개시된다. 본발명의일 실시예에따른적외선차폐단열코팅은, 제1 굴절률을갖는제1 굴절률층, 제1 굴절률보다낮은제2 굴절률을갖는제2 굴절률층및 제2 굴절률보다낮은제3 굴절률을갖는제3 굴절률층을하나이상포함하여, 굴절률이상대적으로큰 굴절률층상에굴절률이상대적으로작은굴절률층이위치하도록형성되고, 제1 굴절률및 제3 굴절률의차이인제1 굴절률차는제2 굴절률및 제3 굴절률의차이인제2 굴절률차보다크고, 제1 굴절률차에의해태양광의근적외선이차폐되고, 제2 굴절률차에의해태양광의원적외선이차폐된다.
摘要翻译：公开了一种用于从太阳光的近红外区域和远红外区域两者的有效屏蔽的绝缘涂层。根据本发明实施例的用于红外屏蔽的绝缘涂层包括具有第一折射率的第一折射率层，具有低于第一折射率的第二折射率的第二折射率层和具有低于第一折射率的第二折射率层的第三折射率层，第三折射率低于第二折射率，其中折射率相对较小的折射率层位于具有相对较大折射率的折射率层和第一折射率差，第一折射率差是第一折射率和第三折射率大于第二折射率差，其是第二折射率和第三折射率之间的差，因此太阳光的近红外线被第一折射率差并且太阳光的远红外线被第二折射线遮蔽 ive指数差异。

2. 发明公开

KR1020140084597A 원적외선과 근적외선 차단용 단열 창호 有权
标题翻译：绝缘红外和近红外屏蔽绝缘玻璃
公开(公告)号：KR1020140084597A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020120154233
申请日：2012-12-27
申请人： 전자부품연구원
发明人： 조진우 , 서문석 , 신권우
IPC分类号： E06B3/267 , B32B17/10 , C03C17/34
CPC分类号： E06B3/267 , B32B17/10633 , C03C17/34
摘要： The present invention relates to an insulation window for blocking far-infrared rays and near-infrared rays including a near-infrared ray absorbing layer coated on a glass substrate for absorbing near-infrared rays having high energy density; and a far-infrared ray reflecting layer for reflecting far-infrared rays having low energy density.
摘要翻译：本发明涉及一种用于阻挡远红外线和近红外线的绝缘窗，包括涂覆在玻璃基板上的近红外线吸收层，用于吸收具有高能量密度的近红外线; 以及用于反射具有低能量密度的远红外线的远红外线反射层。

3. 发明授权

KR101254039B1 열선 차단용 다층 코어-쉘 구조를 갖는 나노 입자 有权
标题翻译：具有多层芯壳的纳米颗粒用于切断热敷
公开(公告)号：KR101254039B1
公开(公告)日：2013-04-12
申请号：KR1020100137763
申请日：2010-12-29
申请人： 전자부품연구원
发明人： 조진우 , 서문석 , 김선민
IPC分类号： C01G19/00 , C01B33/18 , C01G15/00 , C09D5/33
摘要： 본 발명은 반사율 차이가 매우 큰 이종의 박막 소재가 중공(hollow)의 다층 코어 쉘 구조로 형성되는 나노 입자에 관한 것이다.
본 발명에 따르는 열선 차단용 다층 코어-쉘 구조를 갖는 나노 입자는,
코어; 및
상기 코어를 둘러싼 쉘 형태의 절연체 층을 포함하고,
상기 절연체 층은 제 1 절연체와 제 2 절연체가 교대로 적층되고, 상기 제 1 절연체의 굴절률은 상기 제 2 절연체의 굴절률보다 큰 것을 구성적 특징으로 한다,

4. 发明公开

KR1020120028224A 적외선 차단용 이중 창호 시스템 有权
标题翻译：用于切割红外线的双窗系统
公开(公告)号：KR1020120028224A
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：KR1020110087255
申请日：2011-08-30
申请人： 전자부품연구원
发明人： 서문석 , 조진우 , 한종훈 , 김선민 , 신권우
IPC分类号： E06B3/667 , C03C17/06 , C03C17/23 , C03C17/28
CPC分类号： E06B3/667 , C03C17/06 , C03C17/23 , C03C17/28
摘要： PURPOSE: A double window system for cut-off infrared rays is provided to block thermal energy by using a glass coated with thermo-chromic materials, a glass coated with materials reflecting infrared rays, or a low emissivity glass. CONSTITUTION: A double window system for cut-off infrared rays comprises a first glass member(10), a second glass member(20), and a space member(40). One side of the first glass member has a membrane(11) coated with near infrared ray reflection nano materials. One side of the second glass member has a membrane(21) coated with thermo-chromic materials. The space member is installed between the first and second members and keeps separated gap between glass members. The membrane coated with the near infrared ray reflection nano materials on the first glass member and the membrane coated with the thermo-chromic materials on the second glass member are faced each other.
摘要翻译：目的：提供用于截止红外线的双窗系统，通过使用涂有热铬材料的玻璃，涂有反射红外线的材料的玻璃或低辐射玻璃来阻挡热能。构成：用于截止红外线的双窗系统包括第一玻璃构件（10），第二玻璃构件（20）和空间构件（40）。第一玻璃构件的一侧具有涂覆有近红外线反射纳米材料的膜（11）。第二玻璃构件的一侧具有涂覆有热铬材料的膜（21）。空间构件安装在第一和第二构件之间并且保持玻璃构件之间的间隔。在第一玻璃构件上涂覆有近红外线反射纳米材料的膜和在第二玻璃构件上涂覆有热铬材料的膜彼此面对。

5. 发明授权

KR101018280B1 수직구조 발광다이오드 및 그 제조방법 有权
标题翻译：立式发光二极管及其制造方法相同
公开(公告)号：KR101018280B1
公开(公告)日：2011-03-04
申请号：KR1020080110737
申请日：2008-11-10
申请人： 전자부품연구원
发明人： 서문석 , 황성민 , 윤형도 , 서용곤
IPC分类号： H01L33/02
摘要： 본 발명은 발광다이오드에 관한 것으로, 보다 자세하게는 발광부을 형성하기 전에 기판의 양단에 패시베이션층을 먼저 형성함으로써 발광부이 식각 등의 공정에 의해 손상되는 것을 방지하고 칩의 발광효율과 생산수율을 높일 수 있는 수직구조 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 수직구조 발광다이오드 및 그 제조방법은 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 형성된 p형 전극; 상기 p형 전극 상부의 양단에 형성된 패시베이션층; 상기 패시베이션층 사이 공간의 p형 전극 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 순차적으로 증착되어 형성된 발광부; 및 상기 n형 반도체층 상의 일부분에 형성된 n형 전극을 포함함에 기술적 특징이 있다.
수직구조, 발광다이오드, 패시베이션층

6. 发明公开

KR1020100053074A 비극성 또는 반극성 질화물 반도체 기판 및 제조방법 有权
标题翻译：非极性三氮嗪EPI层及其相同的制备方法
公开(公告)号：KR1020100053074A
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：KR1020080112045
申请日：2008-11-12
申请人： 전자부품연구원
发明人： 황성민 , 서용곤 , 서문석 , 윤형도
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02389 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/265
摘要： PURPOSE: A non-polar or semi-polar nitride semiconductor substrate and a method for manufacturing the same are provided to improve quantum efficiency by performing an ion-doping process with a high concentration. CONSTITUTION: A non-polar or semi-polar sapphire substrate is prepared(S110). A high temperature sapphire nitride layer is formed on the sapphire substrate(S120). A SiN_x layer/a high temperature gallium nitride buffer layer or SiC/a high temperature gallium nitride buffer layer is multiply stacked on the high temperature sapphire nitride layer(S130). A high temperature gallium nitride layer is formed on the high temperature gallium nitride buffer layer(S140).
摘要翻译：目的：提供非极性或半极性氮化物半导体衬底及其制造方法，以通过以高浓度进行离子掺杂工艺来提高量子效率。构成：制备非极性或半极性蓝宝石衬底（S110）。在蓝宝石基板上形成高温蓝宝石氮化物层（S120）。将SiN_x层/高温氮化镓缓冲层或SiC /高温氮化镓缓冲层叠加在高温蓝宝石氮化物层上（S130）。在高温氮化镓缓冲层上形成高温氮化镓层（S140）。

7. 发明公开

KR1020100051933A 외부양자효율 개선을 위한 수직구조 발광다이오드 및 그 제조방법 有权
标题翻译：垂直发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100051933A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：KR1020080110752
申请日：2008-11-10
申请人： 전자부품연구원
发明人： 서문석 , 황성민 , 윤형도 , 서용곤
IPC分类号： H01L33/04
摘要： PURPOSE: A vertical light emitting diode for improving external quantum efficiency and a method for manufacturing the same are provided to reduce a leakage current by forming a plurality of passivation layers with different insulating materials. CONSTITUTION: A p-type electrode(250) is formed on a silicon substrate(300). A first passivation layer(220) is formed on the both end of the p-type electrode. A second passivation layer(221) is formed on the inner side of the first passivation layer. A light emitting unit(240) is formed by successively depositing an n-type semiconductor layer, an active layer and a p-type semiconductor layer on the p-type electrode. An n-type electrode(260) is formed on a part of the n-type semiconductor layer. The first passivation layer and the second passivation layer are based on different insulating materials.
摘要翻译：目的：提供一种用于改善外部量子效率的垂直发光二极管及其制造方法，以通过形成具有不同绝缘材料的多个钝化层来减少漏电流。构成：在硅衬底（300）上形成p型电极（250）。在p型电极的两端形成第一钝化层（220）。第二钝化层（221）形成在第一钝化层的内侧。通过在p型电极上依次沉积n型半导体层，有源层和p型半导体层来形成发光单元（240）。 n型电极（260）形成在n型半导体层的一部分上。第一钝化层和第二钝化层基于不同的绝缘材料。

8. 发明公开

KR1020080105264A 유리잉크 코팅법을 이용한 프로브카드용 탐침의 절연방법 失效
标题翻译：通过玻璃油墨涂布方法的探针卡片的绝缘方法
公开(公告)号：KR1020080105264A
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：KR1020070052620
申请日：2007-05-30
申请人： 전자부품연구원
发明人： 조진우 , 신진국 , 한종훈 , 장세홍 , 이경일 , 서문석 , 이유진 , 이철승 , 김성현
IPC分类号： G01R1/067 , G01R1/073 , H01L21/66
CPC分类号： G01R1/067 , G01R1/06755 , G01R3/00 , G01R31/2601
摘要： The insulating method of the probe for the probe card using the glass ink coating is provided to obtain the excellent insulating property by coating the glass ink on the probe for the probe card. The method for insulating the probe for the probe card comprises as follows. A step is for making the probe(100) in the plating or the etching process. The step is for performing coating using the glass ink(110) after probe is cleaned. The step is for polishing both ends of the coated probe and being inserted into the probe unit. A step is for connecting the probe unit to the PCB circuit part after fixing epoxy probe.
摘要翻译：提供使用玻璃油墨涂层的探针卡的探针的绝缘方法，以通过在探针卡的探针上涂覆玻璃墨来获得优异的绝缘性。探针卡的探头绝缘方法如下。步骤是在电镀或蚀刻工艺中制造探针（100）。该步骤是在探针清洁之后使用玻璃油墨（110）进行涂覆。该步骤用于抛光涂覆的探针的两端并插入探针单元中。固定环氧树脂探头后，将探针单元连接到PCB电路部分。

9. 发明授权

KR100849391B1 읽기/쓰기가 가능한 원자력 현미경 캔틸레버 失效
标题翻译：原子力显微镜悬臂可能读/取
公开(公告)号：KR100849391B1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：KR1020050063670
申请日：2005-07-14
申请人： 전자부품연구원
发明人： 서문석 , 신진국 , 이철승 , 김성현 , 최영진 , 이경일 , 조진우
IPC分类号： G01Q60/38 , H01L21/22
摘要： 본 발명은 읽기/쓰기가 가능한 원자력 현미경 캔틸레버에 관한 것으로, 보다 자세하게는 원자력 현미경 캔틸레버에 MOSFET를 내장시켜 정보의 읽기/쓰기가 가능한 원자력 현미경 캔틸레버를 제조하기 위한 것이다.
본 발명의 읽기/쓰기가 가능한 원자력 현미경 캔틸레버는 금속층, 제1 실리콘층, 산화막 및 제2 실리콘층이 순차적으로 적층된 캔틸레버 지지부; 상기 캔틸레버 지지부의 제2 실리콘층만이 연장되어 형성된 캔틸레버 아암부; 상기 캔틸레버 아암부의 제2 실리콘층에 형성된 탐침; 상기 탐침의 하부에 형성된 채널; 상기 탐침의 중심부로부터 소정 거리만큼 이격된 양 측면에 형성된 소스/드레인; 및 상기 소스/드레인 사이에 형성된 게이트로 구성됨에 기술적 특징이 있다.
캔틸레버, 탐침, 읽기/쓰기, MOSFET

10. 发明授权

KR100717960B1 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조 및그 제조방법 失效
标题翻译：使用超级电极的纳米级电介质结构及其制造方法
公开(公告)号：KR100717960B1
公开(公告)日：2007-05-14
申请号：KR1020040053875
申请日：2004-07-12
申请人： 전자부품연구원
发明人： 박배호 , 신진국 , 최영진 , 서문석 , 이철승
IPC分类号： H01L27/105
摘要： 본 발명은 단결정 기판과, RBa2Cu3O7로 표현되며, 상기 R은 Sm, Nd, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb로 구성되는 그룹으로부터 선택되며, 상기 단결정 기판 위에 증착되어 하부 전극으로 작용하며 고온 초전도 특성을 가지는 전도성 산화물 박막과,상기 전도성 산화물 박막 위에 증착되는 강유전체 박막을 포함하는 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조에 관한 것이다.
본 발명에 따르면 나노스토리지 강유전체 매체구조에서 요구되는 특성인 표면 거칠기가 나노미터 정도일 것과 결정학적 정렬성이 우수할 것과 강유전체 도메인의 표면 전위가 충분히 클 것과 같은 조건을 만족하는 매체구조를 실현할 수 있다.
강유전체 박막, 고온 초전도 특성, 나노스토리지, 전도성 산화물, 전극

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