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1. 发明公开

KR1020090114489A 경험적 데이터를 이용한 몬테 카를로 이온 주입 기법알고리즘 无效
标题翻译：使用实际数据的蒙特卡洛离子植入技术的算法
公开(公告)号：KR1020090114489A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：KR1020080040149
申请日：2008-04-30
申请人： 인하대학교 산학협력단
发明人： 원태영 , 박순열 , 오혜근 , 김은진
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/265
摘要： PURPOSE: An algorithm of ion implant technique of Monte Carle using empirical data is provided to use each profile as existing data though the ion implantation is successively performed. CONSTITUTION: The simulation is performed using the Monte Carle algorithm on the nano-scale semiconductor ion injection process. The existing database is searched and read. Each simulation result is especially made into a database by parameter. Accordingly, the simulation which uses the existing data as each profile limits the processing condition that doesn't exist in the database.
摘要翻译：目的：提供使用经验数据的Monte Carle离子注入技术的算法，通过连续执行离子注入，使用每个曲线作为现有数据。构成：使用蒙特卡勒算法在纳米级半导体离子注入工艺上进行模拟。搜索和读取现有的数据库。每个模拟结果通过参数特别成为一个数据库。因此，使用现有数据作为每个配置文件的模拟限制了数据库中不存在的处理条件。

2. 发明公开

KR1020090000249A 고주파 영역의 무선주파수 전계 효과 트랜지스터 전산 모사방법 无效
标题翻译：无源频率金属氧化物半导体填充效应晶体的完全准静态建模方法
公开(公告)号：KR1020090000249A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：KR1020070012976
申请日：2007-02-08
申请人： 인하대학교 산학협력단
发明人： 신형철 , 강인만 , 원태영 , 조상영
IPC分类号： G06F17/00 , G06F9/455
CPC分类号： H01L29/435 , G06F17/10 , G06F17/5009 , G06F2217/14 , H01L29/66045
摘要： A method for simulating an RF(Radio Frequency) MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) through RF modeling is provided to offer a complete small-signal model capable of expressing all physical phenomena of the RF MOSFET semiconductor device while being simple and direct in a 20 Ghz band. The complete small-signal model expressing all physical phenomena of the RF MOSFET semiconductor device is suggested. Capacitances(Cjs, Cjd, Rsub) related to a substrate signal coupling network are removed. Turn-on/off of a circuit is precisely controlled by adding Cbs, Cbd, and Cmb. The residual current is easily discharged to earth by adding Rsub having a high resistance value to a body while removing the residual current by adding overlap capacitance(cgse, cgde).
摘要翻译：提供了一种通过RF建模模拟RF（射频）MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的方法，以提供能够表现RF MOSFET半导体器件的所有物理现象的完整小信号模型，同时简单直接一个20 Ghz乐队。提出了表达RF MOSFET半导体器件的所有物理现象的完整小信号模型。去除与衬底信号耦合网络相关的电容（Cjs，Cjd，Rsub）。通过添加Cbs，Cbd和Cmb来精确控制电路的开/关。通过向身体添加具有高电阻值的Rsub，通过添加重叠电容（cgse，cgde）除去剩余电流，容易将残留电流放电到地面。

3. 发明公开

KR1020080100512A 탄성에너지를 고려한 캔틸레버 구조 해석 방법 无效
标题翻译：弹性能的考虑结构
公开(公告)号：KR1020080100512A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：KR1020070046294
申请日：2007-05-14
申请人： 인하대학교 산학협력단
发明人： 원태영 , 조상영 , 김영규 , 조종두 , 이승배
IPC分类号： B81B7/02
摘要： A cantilever structure interpretation method considering elastic energy is provided to measure more accurate transverse displacement and design a cantilever of more excellent performance. A Tb-Fe thin film(3) with positive magnetostriction and a Sm-Fe thin film(5) with negative magnetostriction are deposited on the upper and lower sides of a Polymide substrate(4) respectively. A rotating magnetic field is applied to the cantilever and the transverse displacement of the cantilever is measured. Therefore, the characteristic of the cantilever can be simply obtained.
摘要翻译：提供了一种考虑弹性能的悬臂结构解释方法来测量更精确的横向位移，并设计出更优异性能的悬臂。具有正磁致伸缩性的Tb-Fe薄膜（3）和具有负磁致伸缩性的Sm-Fe薄膜（5）分别沉积在Polymide衬底（4）的上侧和下侧。对悬臂施加旋转磁场，测量悬臂的横向位移。因此，可以简单地获得悬臂的特性。

4. 发明公开

KR1020080074246A 특정 패턴 형성을 위한 리소그래피 공정 전산 모사 방법 无效
标题翻译：用于形成特定图案的算法
公开(公告)号：KR1020080074246A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：KR1020070012984
申请日：2007-02-08
申请人： 인하대학교 산학협력단
发明人： 오혜근 , 장욱 , 원태영 , 신우정
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0274
摘要： A lithography process for forming a specific pattern is provided to form a desired pattern by controlling properly a stacked structure of semiconductors. A lithography process is performed to form a desired shape of pattern on a wafer(1) in a semiconductor manufacturing process. A first and second semiconductors(2,3) are stacked in a vertical direction. The desired shape of pattern is easily obtained by applying different etch processes according to optical contrast characteristics of each semiconductor. The first and second semiconductors are formed by controlling properly etch ratios according to refractive indexes and diffractive indexes. The first and second semiconductors have different optical contrasts or similar optical contrasts.
摘要翻译：提供用于形成特定图案的光刻工艺以通过适当地控制半导体的堆叠结构形成期望的图案。在半导体制造工艺中进行光刻工艺以在晶片（1）上形成期望的图案形状。第一和第二半导体（2,3）在垂直方向上堆叠。通过根据每个半导体的光学对比特性应用不同的蚀刻工艺，可以容易地获得期望的图案形状。第一和第二半导体通过根据折射率和衍射指数控制合适的蚀刻比例来形成。第一和第二半导体具有不同的光学对比度或类似的光学对比度。

5. 发明公开

KR1020070107838A 유한 요소 수치해석을 위한 메쉬 생성 방법 无效
标题翻译：用于有限元数值分析的MESH生成方法
公开(公告)号：KR1020070107838A
公开(公告)日：2007-11-08
申请号：KR1020060040305
申请日：2006-05-04
申请人： 인하대학교 산학협력단
发明人： 원태영
IPC分类号： G06F17/50 , G06F19/00
CPC分类号： G06F17/5018
摘要： A mesh generation method for a finite element numerical analysis is provided to reduce a calculation time required for a total simulation upon applying a finite element analysis. A mesh generation method for a finite element numerical analysis includes the steps of: generating node data, polygon data, and polyhedron data for a structure in which a computer simulation is performed; generating a curve definition data; generating a polygon linked list defining each polygon; generating a surface mesh composed of a triangle surface for a polygon registered in the polygon linked list; and dividing an inner region of a polygon region defined by the triangle mesh into a tetrahedron region to generate another mesh.
摘要翻译：提供了一种用于有限元数值分析的网格生成方法，以减少在应用有限元分析时进行总模拟所需的计算时间。用于有限元数值分析的网格生成方法包括以下步骤：为执行计算机模拟的结构生成节点数据，多边形数据和多面体数据; 生成曲线定义数据; 生成定义每个多边形的多边形链接列表; 生成由多边形链接列表中登记的多边形的三角形表面构成的表面网格; 并且将由三角形网格限定的多边形区域的内部区域划分为四面体区域以生成另一个网格。

6. 发明公开

KR1020060057692A 초정밀 멤스 소자 시뮬레이션 방법 无效
标题翻译：超精密MEMS器件的仿真方法
公开(公告)号：KR1020060057692A
公开(公告)日：2006-05-29
申请号：KR1020040096679
申请日：2004-11-24
申请人： 인하대학교 산학협력단
发明人： 원태영 , 윤석인
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L22/20 , G06F9/455
摘要： 본 발명은 초정밀 멤스 소자 시뮬레이션 방법에 관한 것으로서, 특히 몬테카를로 수치 해석 계산과 셀 제거 방식의 표면 전진 계산을 수행함에 있어 병렬 컴퓨팅 알고리즘을 적용하여 수치 계산의 효율성을 높이기 위한 반도체 식각 공정 시뮬레이션 방법을 제공한다.
본 발명의 초정밀 멤스 소자 시뮬레이션 방법은 기판 입자를 제거하기 위한 특정 이온이 플라즈마 챔버 내부의 공핍층을 통과하여 기판에 도달하는 입자 거동 메카니즘을 시뮬레이션하는 단계에 있어서, 병렬 컴퓨팅 몬테카를로 수치해석 알고리즘을 적용하는 단계와, 기판에 도달된 식각 입자에 의한 표면의 형상 변화 시뮬레이션 단계에 있어서, 병렬 표면 전진 알고리즘을 적용하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 본원 발명은 이온 거동 시뮬레이션과 기판 표면 전진 시뮬레이션에 병렬 컴퓨팅 알고리즘을 적용함으로써, 단일 프로세서에 의한 방대한 메모리 사용 및 계산 시간의 지연 등 계산상의 문제점을 해결한다.
초정밀 멤스 소자, 시뮬레이션.

7. 发明授权

KR100576128B1 등가면 도시 시스템 및 방법 失效
标题翻译： ISO-SURFACE系统与方法
公开(公告)号：KR100576128B1
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020040002812
申请日：2004-01-15
申请人： 인하대학교 산학협력단
发明人： 원태영 , 권오섭
IPC分类号： G06T17/20
摘要： 본 발명은 실험을 통하여 측정한 데이터 또는 컴퓨터 모의 실험 등을 통해서 구한 데이터의 분포를 등가선과 등가면으로 도시하는 방법에 관한 것으로서, 특히 데이터의 분포에 대해 등가선과 등가면으로 도시하기 위한 시스템의 구성을 개시하고, 삼차원 공간에 산개(散開)한 데이터에 대해서 데이터의 분포를 등가선과 등가면으로 도시하는 방법을 제공한다.
본 발명은 삼차원 공간에 산개(散開)한 정점의 데이터에 대해서 식별자를 부여하고, 부여된 식별자로부터 요소의 각 모서리에 존재하는 등가점을 계산한 후에, 등가선과 등가면을 도시할 수 있는 방법을 제공한다.
후처리기, 등가선, 등가면, 컨투어 라인(contour line).

8. 发明公开

KR1020100038554A 자기변형 박막의 영향을 받는 캔틸레버 유한요소 해석 방법 无效
标题翻译：由薄膜薄膜影响的有限元方法
公开(公告)号：KR1020100038554A
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：KR1020080097571
申请日：2008-10-06
申请人： 인하대학교 산학협력단
发明人： 김용주 , 조범구 , 원태영
IPC分类号： G06F17/50 , H01L21/66
CPC分类号： G06F17/11 , G06F17/5018
摘要： PURPOSE: A method for analyzing the finite element of cantilever influenced by a thin film of magnetic deformation is provided to facilitate the designing of a multi-layered thin film system which is configured with magnetostrictive thin films by precisely predicting the displacements of the cantilever. CONSTITUTION: An approximation function is visualized in an element by using a one dimensional linear function, a rule equation becomes a finite element by being implemented. The finite element equation is approximated to one dimensional function, and a system equation is repeatedly calculated. The elements are re-arranged and re-configured.
摘要翻译：目的：提供一种用于分析受磁变形薄膜影响的悬臂的有限元分析方法，以便通过精确预测悬臂的位移来设计一种多层薄膜系统，该系统由磁致伸缩薄膜构成。构成：通过使用一维线性函数在元素中可视化近似函数，规则方程通过实现成为有限元。有限元方程近似于一维函数，并重复计算系统方程。元素被重新排列并重新配置。

9. 发明公开

KR1020100037808A 마이크로 머신 거동의 시뮬레이션을 위한 요소분할 및 구성방법 无效
标题翻译：微机械的MESH元件方法
公开(公告)号：KR1020100037808A
公开(公告)日：2010-04-12
申请号：KR1020080097097
申请日：2008-10-02
申请人： 인하대학교 산학협력단
发明人： 박순열 , 원태영
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5018
摘要： PURPOSE: A mesh element method for a micro-machine is provided to implement systematic configuration and efficiency between elements by showing an element division method for the finite element analysis of the MEMS and indicating the number of element as pointer. CONSTITUTION: An MEMS(Micro Electro Mechanical System) is split into elements(300) for finite element analysis. The split elements are split to small elements and analyzed. Numbers are assigned to the split elements based on a pointer method.
摘要翻译：目的：提供一种用于微机的网格元方法，通过显示用于MEMS的有限元分析的元素分割方法并将元素的数量指示为指针来实现元件之间的系统配置和效率。构成：MEMS（微机电系统）被分成用于有限元分析的元件（300）。分割元素分为小元素并进行分析。基于指针方法将数字分配给分割元素。

10. 发明公开

KR1020090114490A 마이크로 밸브 유동 전산 모사기 无效
标题翻译：微型阀的流量模拟器
公开(公告)号：KR1020090114490A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：KR1020080040150
申请日：2008-04-30
申请人： 인하대학교 산학협력단
发明人： 원태영 , 조범구 , 김병환 , 김수연
IPC分类号： B81B7/00 , B81B3/00 , G01F22/00
CPC分类号： B81B7/0003 , B81B3/00 , B81B2201/054 , G01F22/00
摘要： PURPOSE: A flow simulator of micro-valve is provided to analyze the velocity field related to the valve flow in a complicated shape and to control the minute quantity of fluid flow. CONSTITUTION: A flow simulator of micro-valve is the flow interpreter of the micro valve which using the finite volume method. It is the automatic lattice generator of the micro valve for the floating analysis. The numerical analysis code finite volume method for the non-orthogonal multi-lattice system using for the automatic grid generation is used.
摘要翻译：目的：提供微型阀的流动模拟器，以分析与复杂形状的阀流相关的速度场，并控制流体流量的微量。构成：微型阀的流动模拟器是使用有限体积法的微型阀的流量解释器。它是用于浮动分析的微型阀的自动点阵发生器。使用用于自动网格生成的非正交多格子系统的数值分析代码有限体积法。

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