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1. 发明公开

KR1019950025639A 박막 자기 기록 헤드의 제조방법 失效
标题翻译：薄膜磁记录头的制造方法
公开(公告)号：KR1019950025639A
公开(公告)日：1995-09-18
申请号：KR1019940037708
申请日：1994-12-28
申请人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
发明人： 알.웨이드콜 , 지-슈에이제리로 , 제임스리엔-친수
IPC分类号： G11B5/127
摘要： 박막 자기 기록 헤드 및 그 제조방법은 평평한 공기 베어링 표면(ABS)과 제로 스로트 레벨 사이의 폴팁 영역 및 제로스로트 레벨로부터 연장되며 백갭을 포함하는 백 영역을 구비한 기록 헤드를 제공하는 것이다. 또 기록 헤드는 상하부 자기폴을 포함하는 요크부를 갖는다, 각 폴은 폴팁 영역의 폴팁 구조체와 백 영역의 배면부를 구비한다. 하부 폴의 폴팁 구조체는 상하부 폴팁 소자(PT1a, PT1b)를, 상부 폴의 폴팁 구조체는 상하부 폴팁 소자(PT2a, PT2b)를 갖는다, 폴팁 소자(TP1b, PT2b)는 폴팁 소자(PT1a, PT2a) 사이에, 갭층(G)은 폴팁 소자(PT1b, PT2b) 사이에 위치한다, 각각의 폴팁 소자(PT1b, PT2b)와 갭층(G)은 전방벽 및 후방벽과 제1 및 제2측벽에 의해 제한된다. 폴팁 소자(PT1b, PT2b) 및 갭충(G)의 제1 측벽은 서로 정렬되고 폴팁 소자(PT1b, PT2b) 및 갭충(G)의 제2측벽은 서로 정렬된다. 폴팁 소자(PT1b, PT2b) 및 갭층(G)의 전방벽은 ABS의 일부를 형성하는 공통면에 위치한다. 폴팁 소자(PT1b, PT2b) 및 갭층(7)의 후방벽은 제로 스로트 레벨을 형성하는 공통면에 위치한다, 제로 스로트 레벨의 공통면은 ABS의 공통면에 거의 평행하다.

2. 发明授权

KR100149465B1 박막 자기 기록 헤드의 제조방법 失效
标题翻译：制造薄膜磁记录头的方法
公开(公告)号：KR100149465B1
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019940037708
申请日：1994-12-28
申请人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
发明人： 알.웨이드콜 , 지-슈에이제리로 , 제임스리엔-친수
IPC分类号： G11B5/127
CPC分类号： G11B5/3967 , G11B5/3116 , G11B5/3153 , G11B5/3163 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49052
摘要： 박막 자기 기록 헤드 및 그 제조방법은 평평한 공기 베어링 표면(ABS)과 제로 스로트 레벨 사이의 폴팁 영역 및 제로 스로트 레벨로부터 연장되며 백갭을 포함하는 백 영역을 구비한 기록 헤드를 제공하는 것이다. 또 기록 헤드는 상하부 자기폴을 포함하는 요크부를 갖는다. 각 폴은 폴팁 영역의 폴팁 구조체와 백 영역의 배면부를 구비한다. 하부 폴의 폴팁 구조체는 상하부 폴팁 소자(PT1a, PT1b)를, 상부 폴의 폴팁 구조체는 상하부 폴팁 소자(PT2a, PT2b)를 갖는다. 폴팁 소자(PT1b, PT2b)는 폴팁 소자(PT1a, PT2a) 사이에, 갭층(G)은 폴팁 소자(PT1b, PT2b) 사이에 위치한다. 각각의 폴팁 소자(PT1b, PT2b)와 갭층(G)은 전방벽 및 후방벽과 제1 및 제2측벽에 의해 제한된다. 폴팁 소자(PT1b, PT2b) 및 갭층(G)의 제2측벽은 서로 정렬된다. 폴팁 소자(PT1b, PT2b) 및 갭층(G)의 전방벽은 ABS의 일부를 형성하는 공통면에 위치한다. 폴팁 소자(PT1b, PT2b) 및 갭층(G)의 후방벽은 제로 스로트 레벨을 형성하는 공통면에 위치한다. 제로 스로트 레벨의 공통면은 ABS의 공통면에 거의 평행하다.

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