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1. 发明公开

KR1020050014685A 기록 실드가 제1 자극편에 자기적으로 결합되어 있는 수직기록 자기 헤드 无效
标题翻译：写入屏幕磁头与第一个尖端的磁力联接，特别适用于采用FERROMAGNETIC STUD
公开(公告)号：KR1020050014685A
公开(公告)日：2005-02-07
申请号：KR1020040058834
申请日：2004-07-27
申请人： 에이취지에스티 네덜란드 비.브이.
发明人： 케라가우탐 , 레쿠앙 , 엔구옌손반 , 펜텍애런 , 윌리암스마손라마르3세 , 닉스제임스라마
IPC分类号： G11B5/127
CPC分类号： G11B5/127 , G11B5/1278 , G11B5/31 , G11B5/3153 , G11B5/3176 , G11B5/33
摘要： PURPOSE: A vertical write magnetic head is provided to make a rear shield of a writing head and a reading component shield have the same electric potential, and to allow a rear shield to do a low magnetic resistance coupling. CONSTITUTION: The device comprises the first pole piece and the second pole piece(102) extended from an ABS(Air Bearing Surface) to back gaps(104, 106). The back gaps(104, 106) are grooved at the head, and magnetically connect to a back gap layer(108). The second pole piece(102) includes the second pole piece layer(130) and a pole tip layer(132). An insulation stack(110) is positioned between the first pole piece and the second pole piece(102). The insulation stack(110) is extended from the ABS to the back gap layer(108) and embeds a record coil layer(112). The insulation stack(110) includes insulation layers(114, 116, 118) for insulating a record coil from the first pole and a record coil layer(112) from the second pole(102). An alumina layer is positioned between a coil layer and the ABS.
摘要翻译：目的：提供垂直写入磁头，使写头的后屏蔽和读取部件屏蔽具有相同的电位，并允许后屏蔽层进行低磁阻耦合。构成：该装置包括从ABS（空气轴承表面）延伸到后部间隙（104,106）的第一极靴和第二极靴（102）。背部间隙（104,106）在头部开槽，并且磁性地连接到后部间隙层（108）。第二极片（102）包括第二极片层（130）和极尖层（132）。绝缘堆叠（110）位于第一极靴和第二极靴（102）之间。绝缘堆叠（110）从ABS延伸到后间隙层（108）并嵌入记录线圈层（112）。绝缘堆叠（110）包括用于使记录线圈与第一极绝缘的绝缘层（114,116,118）和来自第二极（102）的记录线圈层（112）。铝层位于线圈层和ABS之间。

2. 发明授权

KR100348920B1 자성막과 그 제조 방법 失效
标题翻译：磁性膜及其制造方法
公开(公告)号：KR100348920B1
公开(公告)日：2002-08-14
申请号：KR1019990037070
申请日：1999-09-02
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 히라모토마사요시 , 마츠카와노조무 , 사카키마히로시
IPC分类号： H01F1/00
CPC分类号： B82Y25/00 , B32B15/01 , B32B15/011 , C22C38/001 , C22C38/02 , C22C38/06 , C22C38/12 , C22C38/14 , C22C38/18 , C22C45/02 , C23C14/0073 , C23C14/185 , G11B5/012 , G11B5/11 , G11B5/187 , G11B5/3109 , G11B5/3153 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , H01F10/16 , H01F10/32 , Y10T428/1186 , Y10T428/12576 , Y10T428/12611 , Y10T428/265
摘要： 본발명의자성막은자성층과중간층이교대로형성되어있고, 상기자성층은 (MαXβ)δAδ(여기서, α, β, δ은원자량%를나타내고, M은 Fe, Co, Ni로구성되는그룹으로부터선택된하나이상의자성금속이고, X은 M을제외한천이금속과 Mg, Ca, Sr, Ba, Si, Ge, Sn, Al, Ga로구성되는그룹으로부터선택된하나이상이며, A은 O, N으로구성되는그룹으로부터선택된하나이상)의조성식으로표현되고, 상기자성층의조성범위는 0.1 ≤β≤ 12, α+ β= 100, 0

3. 发明公开

KR1020150126995A 센서 스택 구조 有权
标题翻译：传感器堆叠结构
公开(公告)号：KR1020150126995A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：KR1020150057094
申请日：2015-04-23
申请人： 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
发明人： 싱글톤,에릭더블유. , 탄,리웬 , 이,재-영 , 니콜라이브,콘스탄틴 , 게,제구오
IPC分类号： G11B5/39 , G11B5/00
CPC分类号： G11B5/3912 , G11B5/3153 , G11B5/3909 , G11B5/3932 , G11B5/3958 , G11B2005/3996
摘要： 예컨대자기저장디바이스에대한판독기스택이기재되며, 스택은, 상단합성반강자성(saf) 층, 상단 saf 층에인접한자기캡핑층, 상단 saf 층의반대편에서자기캡핑층에인접한 rkky 커플링층, 및자기캡핑층의반대편에서 rkky 커플링층에인접한자유층을갖는다. 또한, 자유층과상단합성반강자성(saf) 층사이에포지셔닝된 rkky 커플링속성을갖는층, 및 saf 층과 rkky 커플링속성을갖는층 사이의자기캡핑층을사용하여, 자유층과상단 saf 층사이에교환커플링을제공함으로써판독기스택에서자유층을바이어싱하기위한방법이포함된다.
摘要翻译：公开了一种读取器堆叠，例如用于磁存储装置。堆叠具有顶层合成反铁磁（SAF）层，与顶部SAF层相邻的磁性覆盖层，与顶部SAF层相对的磁性覆盖层相邻的RKKY耦合层和与RKKY耦合层相邻的自由层相对磁性覆盖层。还包括一种通过使用具有位于自由层和顶部SAF层之间的具有RKKY耦合性质的层的自由层和顶层合成反铁磁（SAF）层之间的交换耦合来偏置读取器堆叠中的自由层的方法，以及 SAF层和具有RKKY耦合性质的层之间的磁性覆盖层。

4. 发明授权

KR100160751B1 자성적층 구조체 및 그 제조방법 失效
标题翻译：层状磁结构和制造方法
公开(公告)号：KR100160751B1
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019930028554
申请日：1993-12-20
申请人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
发明人： 존데이비드웨스트우드
IPC分类号： G11B5/31
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11B5/3109 , G11B5/3113 , G11B5/3153 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , H01F10/145 , H01F10/147 , H01F10/32 , H01F41/302 , Y10T428/12465 , Y10T428/12674 , Y10T428/12736 , Y10T428/12757 , Y10T428/12764 , Y10T428/12951 , Y10T428/12958
摘要： 자기 차폐부와 자극편으로의 실시를 위한 최적화된 자기적 및 기계적 특성을 제공하는 SiAlFe 합금(센더스트)의 적층박막이 기술된다. 제1센더스트 합금의 씨앗층과 씨앗층 위에 있는 제2센더스트 합금의 벌크층을 포함하는 다층 자기 구조는 벌크 층에 사용되는 센더스트 재료에 대해 비교적 넓은 범위의 구조에 대하여 크게 개선된 비등방성 자계와 연질 자성 특성을 제공한다. 씨앗층은 단일한 센더스트 층일 수 있고, 다르게는, 교대로 형성된 개스 도핑된 센더스트 재료와 도핑되지 않은 센더스트 재료의 층을 포함하는 다층구조일 수 있다. 도핑되는 기체는 예를 들면 질소, 산소, 또는 공기와 같은 기체이다. 센더스트 박막에 의하여 나타나는 경도 때문에 상기 다층 센더스트 박막은 트랜스듀서의 에어 베어링 표면에 노출되는 자기 차폐부 및 유도 전극에 있어서 뛰어난 대체재이다.

5. 发明授权

KR100386707B1 자기저항판독헤드상의공유차폐부와관련하여자속이강화된기록변환기및그제조방법 失效
公开(公告)号：KR100386707B1
公开(公告)日：2003-09-26
申请号：KR1019970708830
申请日：1996-04-19
申请人： 퀀텀 페리페랄즈 콜로라도, 인크.
发明人： 스켐멜,테렌스,디.
IPC分类号： G11B5/127
CPC分类号： G11B5/3967 , G11B5/1272 , G11B5/1871 , G11B5/23 , G11B5/3143 , G11B5/3153 , G11B5/3163 , G11B5/332 , Y10T428/1186
摘要： A flux enhanced data transducer and method for producing the same in conjunction with shared shields on MR read heads in which substantially between 500-2500 ANGSTROM of a relatively higher magnetic moment material is added to the upper surface of the shared shield, or bottom write head pole, prior to a magnetic flux containment ion milling operation utilizing the upper pole as a mask. The relatively higher magnetic moment flux enhancement layer may comprise CoNiFe, FeN or similar material which is deposited prior to the formation of the dielectric gap layer. The flux enhancement layer may then be selectively removed substantially surrounding the upper pole by means of a relatively brief ion milling process in which only on the order of 1.0 k ANGSTROM of the layer need be removed and during which only an insignificant amount of the material removed might be re-deposited on the sides of the upper pole.
摘要翻译：一种通量增强型数据传感器及其制造方法与MR读取磁头上的共享屏蔽一起使用，其中大致500-2500之间的相对较高磁矩材料被添加到共享屏蔽的上表面，或者底部写入头在利用上极作为掩模的磁通量容纳离子铣削操作之前，相对较高的磁矩通量增强层可以包括在形成介电间隙层之前沉积的CoNiFe，FeN或类似材料。通量增强层然后可以通过相对短暂的离子铣削过程基本上围绕上极选择性地去除，其中仅需要去除该层的1.0k数量级，并且在该过程中仅去除了不显着量的材料可能会重新沉积在上杆的侧面。

6. 发明授权

KR100149465B1 박막 자기 기록 헤드의 제조방법 失效
标题翻译：制造薄膜磁记录头的方法
公开(公告)号：KR100149465B1
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019940037708
申请日：1994-12-28
申请人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
发明人： 알.웨이드콜 , 지-슈에이제리로 , 제임스리엔-친수
IPC分类号： G11B5/127
CPC分类号： G11B5/3967 , G11B5/3116 , G11B5/3153 , G11B5/3163 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49052
摘要： 박막 자기 기록 헤드 및 그 제조방법은 평평한 공기 베어링 표면(ABS)과 제로 스로트 레벨 사이의 폴팁 영역 및 제로 스로트 레벨로부터 연장되며 백갭을 포함하는 백 영역을 구비한 기록 헤드를 제공하는 것이다. 또 기록 헤드는 상하부 자기폴을 포함하는 요크부를 갖는다. 각 폴은 폴팁 영역의 폴팁 구조체와 백 영역의 배면부를 구비한다. 하부 폴의 폴팁 구조체는 상하부 폴팁 소자(PT1a, PT1b)를, 상부 폴의 폴팁 구조체는 상하부 폴팁 소자(PT2a, PT2b)를 갖는다. 폴팁 소자(PT1b, PT2b)는 폴팁 소자(PT1a, PT2a) 사이에, 갭층(G)은 폴팁 소자(PT1b, PT2b) 사이에 위치한다. 각각의 폴팁 소자(PT1b, PT2b)와 갭층(G)은 전방벽 및 후방벽과 제1 및 제2측벽에 의해 제한된다. 폴팁 소자(PT1b, PT2b) 및 갭층(G)의 제2측벽은 서로 정렬된다. 폴팁 소자(PT1b, PT2b) 및 갭층(G)의 전방벽은 ABS의 일부를 형성하는 공통면에 위치한다. 폴팁 소자(PT1b, PT2b) 및 갭층(G)의 후방벽은 제로 스로트 레벨을 형성하는 공통면에 위치한다. 제로 스로트 레벨의 공통면은 ABS의 공통면에 거의 평행하다.

7. 发明授权

KR101789589B1 센서 스택 구조 有权
标题翻译：传感器堆栈结构
公开(公告)号：KR101789589B1
公开(公告)日：2017-10-25
申请号：KR1020150057094
申请日：2015-04-23
申请人： 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
发明人： 싱글톤,에릭더블유. , 탄,리웬 , 이,재-영 , 니콜라이브,콘스탄틴 , 게,제구오
IPC分类号： G11B5/39 , G11B5/00
CPC分类号： G11B5/3912 , G11B5/3153 , G11B5/3909 , G11B5/3932 , G11B5/3958 , G11B2005/3996
摘要： 예컨대자기저장디바이스에대한판독기스택이기재되며, 스택은, 상단합성반강자성(SAF) 층, 상단 SAF 층에인접한자기캡핑층, 상단 SAF 층의반대편에서자기캡핑층에인접한 RKKY 커플링층, 및자기캡핑층의반대편에서 RKKY 커플링층에인접한자유층을갖는다. 또한, 자유층과상단합성반강자성(SAF) 층사이에포지셔닝된 RKKY 커플링속성을갖는층, 및 SAF 층과 RKKY 커플링속성을갖는층 사이의자기캡핑층을사용하여, 자유층과상단 SAF 층사이에교환커플링을제공함으로써판독기스택에서자유층을바이어싱하기위한방법이포함된다.
摘要翻译：例如，并且描述了用于磁存储设备读取器叠层，堆栈，上合成反铁磁（SAF）层，RKKY在磁性覆盖层的另一侧上的磁覆盖层耦合相邻，相邻于SAF层ringcheung的顶部上SAF层，和磁并且在封盖层的相对侧上与RKKY耦合层相邻的自由层。此外，自由层和合成反铁磁（SAF）的顶层具有位于层和SAF层和使用具有RKKY耦合特性，自由层和SAF的顶部的层之间的自覆盖层之间的RKKY耦合属性包括通过提供层之间的交换耦合来偏置读取器堆叠中的自由层的方法。

8. 发明公开

KR1020000022864A 자성막과 그 제조 방법 失效
标题翻译：磁性薄膜及其制造方法
公开(公告)号：KR1020000022864A
公开(公告)日：2000-04-25
申请号：KR1019990037070
申请日：1999-09-02
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 히라모토마사요시 , 마츠카와노조무 , 사카키마히로시
IPC分类号： H01F1/00
CPC分类号： B82Y25/00 , B32B15/01 , B32B15/011 , C22C38/001 , C22C38/02 , C22C38/06 , C22C38/12 , C22C38/14 , C22C38/18 , C22C45/02 , C23C14/0073 , C23C14/185 , G11B5/012 , G11B5/11 , G11B5/187 , G11B5/3109 , G11B5/3153 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , H01F10/16 , H01F10/32 , Y10T428/1186 , Y10T428/12576 , Y10T428/12611 , Y10T428/265
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a magnetic film is provided to have the high saturation magnetic flux density. And a thin film head is provided to use the magnetic film. CONSTITUTION: A magnetic film comprises a magnetic layer and a middle layer, in turn. The magnetic film is represented with a composite formula of (M1alphaX1beta1)100-delta 1A1delta 1. In, alpha1, beta1, delta1 represents atom weight percent, The M1 is more than one magnetic metal selected from a group which is formed with Fe, Co, Ni. The X1 is more than one selected from a group which is formed with Mg, Ca, Sr, Ba, Si, Sn, Al, Ga and a transition metal, except for the M1. The A1 is more than one selected from a group which is formed with O. N. A composite extent of the magnetic layer is 0.1 ≤beta1 ≤12;, alpha1 plus beta1 is 100, 0
摘要翻译：目的：提供一种制造磁性膜的方法以具有高的饱和磁通密度。并提供薄膜头以使用磁性膜。构成：磁性膜依次包括磁性层和中间层。磁性膜用（M1alphaX1beta1）100-Δ1A1delta1的复合式表示.In，α1，β1，δ1表示原子重量百分数，M1是选自Fe，Co形成的一种以上的磁性金属，倪。除了M1之外，X1是选自由Mg，Ca，Sr，Ba，Si，Sn，Al，Ga和过渡金属形成的组中的一种以上。 A1是选自由O.N形成的组中的多于一个。磁性层的复合程度为0.1≤beta1≤12，α1+β1为100,0

9. 发明授权

KR100216086B1 자성체박막과 그 제조방법 및 자기헤드 失效
标题翻译：磁性薄片及其制造方法及磁头
公开(公告)号：KR100216086B1
公开(公告)日：1999-08-16
申请号：KR1019950011864
申请日：1995-05-15
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 히라모토마사요시 , 이노우에오사무 , 쿠기미야코이치 , 이이지마켄지
IPC分类号： G11B5/31
CPC分类号： B82Y25/00 , G11B5/147 , G11B5/1877 , G11B5/3109 , G11B5/3113 , G11B5/3153 , G11B5/3156 , H01F10/30 , H01F10/32 , Y10S428/90 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/31678
摘要： 본 발명은 실질적으로 기둥형상구조를 가진 자성결정입자(4), (5)의 평균높이 dl과, 평균직경 ds가 0.3≤ds/dl≤0.9의 범위로 표시되는 형상비를 가진 자성결정입자로 이루어진 주자성층(2)과, 상기 주자성층보다 포화자속밀도가 적어도 0.1테슬라이상 작은 중간층(3)이 교호로 적층된 자성체박막(1)으로 하므로써, 연자기특성이 뛰어난 자성체박막을 제공하는 것을 목적으로 하며, 그 구성에 있어서, 주자성층(2)과, 이보다 포화자속밀도가 적어도 0.1테슬라이상 작은 중간층(3)이 교호로 적층되어 있다. 주자성층(2)의 두께는 3∼100㎚의 범위가 바람직하고, 중간층(3)의 두께는 0.1∼10㎚의 범위가 바람직하다. 또, 적층구조전체의 두께는, 100㎚∼10㎛정도의 범위가 바람직하다. 주자성층(2)은 주로 자성결정입자(4)로 형성되고, 중간층(3)을 파괴해서 성장하고 있는 것도 존재한다.

10. 发明公开

KR1020040069062A 자기 기록헤드 无效
标题翻译：磁记录头
公开(公告)号：KR1020040069062A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：KR1020030005485
申请日：2003-01-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임영훈
IPC分类号： G11B5/31
CPC分类号： G11B5/245 , G11B5/012 , G11B5/02 , G11B5/127 , G11B5/1278 , G11B5/23 , G11B5/3153 , G11B2005/0013
摘要： PURPOSE: A magnetic recording head is provided to insert a magnetic anisotropic medium having a predetermined anisotropic direction into a gap, in order to maximize a magnetic field in recording direction. CONSTITUTION: The first pole(23) and the second pole(25) are disposed by being spaced from each other at a predetermined gap(G2). An anisotropic medium(27) is disposed between the first pole(23) and the second pole(25). An information storage medium(30) consists of a substrate(31) and a magnetic layer(33) recorded in predetermined magnetic-recording direction. One section of a head body(21) is divided into two parts. The divided two parts are faced to each other.
摘要翻译：目的：提供磁记录头以将具有预定各向异性方向的磁性各向异性介质插入到间隙中，以使记录方向上的磁场最大化。构成：第一极（23）和第二极（25）通过以预定间隙（G2）彼此间隔设置。各向异性介质（27）设置在第一极（23）和第二极（25）之间。信息存储介质（30）由以预定的磁记录方向记录的基板（31）和磁性层（33）组成。头体（21）的一部分被分成两部分。分为两部分相互面对。

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