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1. 发明公开

KR1020130011948A 반도체 시험 장치에 있어서의 전기 길이 측정 방법 有权
标题翻译：在半导体测试装置中测量电长度的方法
公开(公告)号：KR1020130011948A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：KR1020120078272
申请日：2012-07-18
申请人： 와이아이케이 주식회사
发明人： 다케나카고우이치 , 다카다고지 , 나카니시이와오
IPC分类号： G01R31/317 , G01R31/28 , H01L21/66
CPC分类号： G01R31/31725 , G01R31/2831 , H01L22/14
摘要： PURPOSE: An electric length measuring method of a semiconductor test device is provided to easily measure an electric length by forming a probe end in a contact state. CONSTITUTION: A plurality of probes(700) contacts a wafer of a tested target. A calibration wafer(200) has an electric conductance area. A plurality of probes is contacted with the electric conductance area. A measuring signal is inputted in a contact state. The electrical length of a signaling path is calculated based on the measured signal waveform. [Reference numerals] (110) Measuring control unit; (120) PF card; (700) Probe card
摘要翻译：目的：提供一种半导体测试装置的电长度测量方法，通过在接触状态下形成探头端来容易地测量电长度。构成：多个探针（700）接触测试目标的晶片。校准晶片（200）具有导电区域。多个探针与导电区域接触。在接触状态下输入测量信号。基于测量信号波形计算信号路径的电长度。（附图标记）（110）测量控制单元; （120）PF卡; （700）探头卡

2. 发明授权

KR101762383B1 반도체 시험 장치에 있어서의 전기 길이 측정 방법 有权
标题翻译：半导体测试设备中测量电长度的方法
公开(公告)号：KR101762383B1
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：KR1020120078272
申请日：2012-07-18
申请人： 와이아이케이 주식회사
发明人： 다케나카고우이치 , 다카다고지 , 나카니시이와오
IPC分类号： G01R31/317 , G01R31/28 , H01L21/66
摘要： 시험대상의웨이퍼와접촉하는복수의프로브를구비한반도체시험장치에있어서의, 상기복수의프로브중 1 개를제 1 단으로하는신호경로의전기길이측정방법으로서, 전기전도성영역을갖는캘리브레이션웨이퍼의상기전기전도성영역을, 상기복수의프로브모두에접촉시키는단계와, 상기캘리브레이션웨이퍼의상기전기전도성영역을상기복수의프로브모두에접촉시킨상태에서, 측정대상인상기신호경로의제 2 단으로부터측정신호를입력하여, 상기측정신호가상기전기전도성영역과상기복수의프로브중 1 개의접촉부에서반사된신호파형을상기제 2 단측에서측정하는단계와, 상기제 2 단측에서측정한상기신호파형에기초하여, 상기신호경로의전기길이를산출하는단계를포함하는전기길이측정방법.
摘要翻译：一种用于测量半导体测试设备中信号路径的电长度的方法，所述半导体测试设备具有与待测试的晶片接触的多个探针，其中所述多个探针之一是第一端，所述方法包括以下步骤：使所述导电区域与所有所述多个探针接触;以及从所述待测量的信号路径的第二端施加测量信号，其中所述校准晶片的所述导电区域与所述多个探针中的两个接触通过在第二端输入测得的信号来测量从第二端侧的导电区域和多个探针中的一个反射的信号波形; 并计算信号路径的电气长度。

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