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1. 发明公开

KR1020150040136A 표면개질 분리막 및 분리막의 표면개질 방법 审中-实审
标题翻译：表面改性膜和修饰膜表面的方法
公开(公告)号：KR1020150040136A
公开(公告)日：2015-04-14
申请号：KR1020130118753
申请日：2013-10-04
申请人： 엘지전자 주식회사 , 한양대학교 산학협력단
发明人： 이창호 , 김효원 , 계정일 , 박호범
IPC分类号： B01D69/12 , B01D71/06
CPC分类号： B01D67/0088 , B01D65/08 , B01D2323/02 , B01D2323/30
摘要： 본발명은분리막의표면을개질하여내오염성과내화학성을향상시킨표면개질분리막과분리막의표면개질방법을제안한다. 표면개질분리막은, 분리막, 상기분리막의내오염성과내화학성을향상시키도록상기분리막의표면에형성되는코팅층을포함하고, 상기코팅층은, 상기코팅층의코팅전후상기분리막의투과유량감소를제한하도록상기코팅층의두께를나노스케일로구현하고상기분리막과안정적으로결합되는흡착력을상기코팅층에제공하는도파민, 및상기코팅층의내구성저하를제한하도록수소결합을포함하는이차결합또는가교결합을통해상기도파민과결합되고소수성오염물질로부터상기분리막을보호하도록상기분리막의표면에친수성을부여하는친수성소재를포함한다. 분리막의표면개질방법은, 표면을개질할분리막을반응기에투입하는단계, 도파민이반응하는 pH 범위로조절된 Tris-buffer 용액에친수성소재를첨가하고교반하여형성된혼합용액을상기반응기에첨가하는단계, 기설정된온도범위에서도파민및 상기친수성소재와상기도파민의가교결합을유도하는개시제를상기반응기에첨가하는단계, 및상기반응기에산소를주입하면서상기기설정된온도범위에서열가교를통해상기분리막에상기도파민및 상기친수성소재가혼합된코팅층을형성하는단계를포함한다.
摘要翻译：本发明提供一种表面改性膜和通过改变膜表面来改善其抗结垢和耐化学性的膜表面的方法。表面改性膜包括膜和形成在膜的表面上的涂层，以提高耐污垢性和耐化学性。涂层实现了作为纳米尺度的涂层的厚度，以限制在涂覆涂层之前和之后膜的渗透流量的降低。此外，涂层包括为涂层稳定地与膜连接的多巴胺，并且包括通过第二偶联或含有氢键的交联而与多巴胺偶联的疏水性材料，以限制降低涂层的耐久性，并且使膜的表面具有亲水性，以保护膜免受疏水性污染物的侵害。修饰膜表面的方法包括以下步骤：将将被表面改性的膜注入反应器中; 将混合溶液加入到反应器中，其中通过将亲水性材料加入到Tris-缓冲溶液中形成混合溶液，该缓冲溶液在多巴胺反应并与之混合的PH范围内控制; 在反应器中加入引发剂，其中引发剂在预定温度范围内诱导与多巴胺，亲水性材料和多巴胺的交联; 以及通过将氧气注入反应器，在预定温度范围内通过热交联在膜上形成与多巴胺和亲水材料混合的涂层。

2. 发明授权

KR102080283B1 표면개질 분리막 및 분리막의 표면개질 방법 有权
公开(公告)号：KR102080283B1
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：KR1020130118753
申请日：2013-10-04
申请人： 주식회사 엘지화학 , 한양대학교 산학협력단
发明人： 이창호 , 김효원 , 계정일 , 박호범
IPC分类号： B01D69/12 , B01D71/06

3. 发明公开

KR1020130085220A 역삼투 막의 막오염 진단 기능을 가지는 해수담수화장치 无效
标题翻译：监测方法在具有这种监测功能的海水脱盐和脱盐设备的反向渗透过程中实时提取潜力
公开(公告)号：KR1020130085220A
公开(公告)日：2013-07-29
申请号：KR1020120006216
申请日：2012-01-19
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 오병수 , 김민정 , 이상호 , 계정일 , 김종덕
IPC分类号： B01D61/12 , C02F1/44 , B01D65/00 , C02F103/08
CPC分类号： Y02A20/131 , B01D61/12 , B01D61/025 , C02F1/001 , C02F1/441 , C02F2103/08 , C02F2209/008
摘要： PURPOSE: A seawater desalinating device with a function for diagnosing fouling of a reverse osmosis membrane is provided to predict and monitor fouling of a reverse osmosis membrane based on a measured value through online and calculation with respect to the flux and pressure of flowing water through a seawater treatment device at the field. CONSTITUTION: A real time monitoring device (200) for a seawater treatment device comprises a transmitting and receiving unit and a control unit. The transmitting and receiving unit receives information from one or more sensors (111,112,113) installed in the seawater treatment device. The information comprises information about inflow water into the seawater treatment device and information about the flux and pressure of flowing water through the seawater treatment device. The control unit calculates the amount of materials contained in a reference unit of water based on the flux and pressure of the water in order to calculate fouling of a reverse osmosis membrane module in the seawater treatment device. The control unit performs a diagnosis and malfunction responding function according to the calculated fouling of the module.
摘要翻译：目的：提供一种具有诊断反渗透膜结垢功能的海水淡化装置，用于通过在线和计算测量值来预测和监测反渗透膜的污染，相对于流过水的通量和压力海水处理装置在现场。构成：用于海水处理装置的实时监测装置（200）包括发射和接收单元和控制单元。发送和接收单元从安装在海水处理装置中的一个或多个传感器（111,112,113）接收信息。信息包括关于海水处理装置中的流入水的信息和关于通过海水处理装置的流动水的通量和压力的信息。控制单元基于水的通量和压力计算水的参考单元中所含的材料的量，以计算海水处理装置中的反渗透膜组件的结垢。控制单元根据计算出的模块结垢执行诊断和故障响应功能。

4. 发明公开

KR1020110118992A 이온수기 정수필터 有权
标题翻译：离子净化器
公开(公告)号：KR1020110118992A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：KR1020100038431
申请日：2010-04-26
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 문경희 , 이창호 , 오현환 , 이상덕 , 정재열 , 계정일 , 김민정
IPC分类号： B01D35/00 , B01D39/02
摘要： PURPOSE: A water purifying filter for an ionizing apparatus is provided to simultaneously eliminate harmful materials and sterilization byproducts contained in target water by arranging activated carbon and absorber in an activated carbon filtering part. CONSTITUTION: A water purifying filter(1) for an ionizing apparatus includes an activated carbon filtering part(20). The activated carbon filtering part includes activated carbon. The particle size of the activated carbon is between 48 and 200 meshes. The iodine absorption value of the activated carbon is between 900 and 2000mg/g. The pore volume of the activated carbon is between 0.3 and 0.8cm^3/g. The average pore size and the meso-pore size of the activate carbon are respectively between 14 and 20 angstrom and between 30 and 37 angstrom. The activated carbon filtering part includes an upper activated carbon filtering part(22) and a lower activated carbon filtering part(24).
摘要翻译：目的：提供一种电离装置的净水过滤器，通过将活性炭和吸收剂置于活性炭过滤部分中，同时消除目标水中含有的有害物质和灭菌副产物。构成：用于电离装置的净水过滤器（1）包括活性炭过滤部分（20）。活性炭过滤部分包括活性炭。活性炭的粒径在48至200目之间。活性炭的碘吸收值为900〜2000mg / g。活性炭的孔体积在0.3至0.8cm 3 / g之间。活性炭的平均孔径和介孔孔径分别在14和20埃之间，在30和37埃之间。活性炭过滤部分包括上活性炭过滤部分（22）和下活性炭过滤部分（24）。

5. 发明公开

KR1020100008268A 이온성분 분리장치 및 그 방법 有权
标题翻译：用于分离离子的装置和方法
公开(公告)号：KR1020100008268A
公开(公告)日：2010-01-25
申请号：KR1020080068754
申请日：2008-07-15
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 이승민 , 계정일 , 이병구
IPC分类号： F25C1/18 , F25C1/24 , F25C1/00
摘要： PURPOSE: An ionic component separating device which divides ionic component from the water and a method thereof are provided to supply the drinking water after filtering the excessive ionic component dissolving in the water. CONSTITUTION: An ionic component separating device(10) comprises a main inlet(15), a pipe(20), a magnet, electrodes(70a,70b,72a,72b,74a,74b), and a main outlet(40). The purified water flows in into the main inlet. The water passes through the pipe. The magnet makes the magnetic field in the vertical direction meeting with the pipe at a right angle. The electric field applies electric field in both sides of the pipe and maintains ion separating with the magnetic field. The water is exhausted through the main outlet.
摘要翻译：目的：提供一种将离子成分与水分离的离子成分分离装置及其方法，用于在过滤溶解在水中的过量离子成分之后提供饮用水。构成：离子成分分离装置（10）包括主入口（15），管（20），磁体，电极（70a，70b，72a，72b，74a，74b）和主出口（40）。净化水流入主入口。水通过管道。磁铁使垂直方向的磁场与管道成直角。电场在管道两侧施加电场，并保持与磁场的离子分离。水通过主出口排出。

6. 发明公开

KR1020090058115A 플라즈마 디스플레이 장치 无效
标题翻译：等离子显示设备
公开(公告)号：KR1020090058115A
公开(公告)日：2009-06-09
申请号：KR1020070124759
申请日：2007-12-04
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 이승민 , 계정일 , 정윤권
IPC分类号： G09G3/294 , G09G3/296
摘要： A plasma display apparatus is provided to reduce electromagnetic interference due to a drive pulse by using a sustain buffer unit to prevent the induction of high frequency voltage. In a plasma display apparatus, a plasma display panel comprises a sustain electrode. A sustain drive unit comprises a sustain buffer unit, and a sustain buffer unit(500Z) reduces a noise which is generated when the highest voltage of the sustainer pulse to the sustain electrode for a sustain period. The sustain buffer unit comprises an inductor(L3) for shock-absorbing.
摘要翻译：提供了一种等离子体显示装置，以通过使用维持缓冲单元来减少由驱动脉冲引起的电磁干扰，以防止高频电压的感应。在等离子体显示装置中，等离子体显示面板包括维持电极。维持驱动单元包括维持缓冲单元和维持缓冲单元（500Z），用于在持续时段内将维持电极的维持器脉冲的最高电压产生的噪声降低。维持缓冲单元包括用于减震的电感器（L3）。

7. 发明公开

KR1020060023442A 박막 공정에 의한 열전모듈 제작 방법 无效
标题翻译：使用薄层成型工艺的热电模块的制造方法
公开(公告)号：KR1020060023442A
公开(公告)日：2006-03-14
申请号：KR1020040072290
申请日：2004-09-09
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 이승민 , 계정일 , 이병구
IPC分类号： H01L35/32
CPC分类号： H01L35/34 , H01L35/02 , H01L35/32
摘要： 본 발명에 따른 열전모듈 제작 방법은, (Ⅰ)절연 기판 위에 다수 개의 전극을 형성시켜 모듈 상판 및 하판을 각각 제작하는 단계; (Ⅱ)상기 모듈 상판과 모듈 하판 사이에 위치하여 두 모듈간 열을 전달시키는 단위 열전 칩을 제작하는 단계; (Ⅲ)상기 모듈 하판 위에 단위 열전 칩을 붙이는 단계; (Ⅳ)상기 단위 열전 칩 위에 상기 모듈 하판의 전극이 맞닿도록 플립-칩 본딩시키는 단계; 및 (Ⅴ)상기 모듈 하판의 전극의 양끝에 리드선을 연결시키는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 또 다른 열전모듈 제작 방법은, (ⅰ)절연 기판 위에 다수 개의 전극을 형성시켜 모듈 상판 및 하판을 각각 제작하는 단계; (ⅱ)상기 모듈 상판과 모듈 하판 사이에 위치하여 두 모듈간 열을 전달시키는 단위 열전 칩을 제작하는 단계; (ⅲ)상기 모듈 상판 및 모듈 하판 상부에 이방성 도전 필름을 붙이는 단계; (ⅳ)상기 모듈 하판 위에 형성된 이방성 도전 필름 위에 단위 열전 칩을 붙이는 단계; (ⅴ)상기 단위 열전 칩 위에 상기 모듈 상판의 이방성 도전 필름이 맞닿도록 플립-칩 본딩시키는 단계; 및 (ⅵ)상기 모듈 하판의 전극의 양끝에 리드선을 연결시키는 단계를 포함한다.
상기 단위 열전 칩을 제작하는 단계는, (A)분리 가능한 기판 위에 금속 박막을 일정한 크기로 패터닝하는 단계; (B)상기 금속 박막 위에 박막 열전 소자를 섀도 마스크를 이용하여 증착 또는 스크린 프린팅하는 단계; (C)상기 박막 열전 소자 위에 금속 박막을 섀도 마스크를 이용하여 증착 또는 스크린 프린팅하는 단계; 및 (D)상기 분리 가능한 기판과 상기 기판 이외의 층(이하, '단위 열전 칩'이라고도 함)으로 분리시키는 단계를 포함한다.
박막 열전 소자, 섀도 마스크, 이방서 오전 필름

8. 发明授权

KR100421865B1 화학처리법을 이용한 조셉슨 접합 제조 방법 失效
标题翻译： 화학처리법을이용한조셉슨접합제조방법
公开(公告)号：KR100421865B1
公开(公告)日：2004-03-09
申请号：KR1020010028402
申请日：2001-05-23
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 윤주환 , 문승현 , 계정일
IPC分类号： H01L39/22
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing Josephson junction is provided to simplify manufacturing processes and to shrink processing time by damaging the surface of Josephson junction using a chemical etching instead of Ar ion milling. CONSTITUTION: A first superconductive film made of YBCO and a first insulating film of STO are sequentially formed on a SrTiO3 substrate(S10). The SrTiO3 substrate is partially exposed by etching a bridge region of the first superconductive film and the insulating film(S20). After cleaning the resultant structure(S30), the etched bridge region is chemically treated by dipping the resultant structure in ethanol solution added Br, thereby forming a barrier layer(S40). A second superconductive film and a second insulating film are sequentially formed on the resultant structure(S50). The first superconductive film is exposed by selectively etching the second superconductive film and the second insulating film(S60). Pads are formed on the exposed superconductive films(S70).
摘要翻译：目的：提供一种制造约瑟夫森结的方法，以简化制造工艺并通过使用化学蚀刻而不是Ar离子铣削破坏约瑟夫森结的表面来缩短处理时间。构成：在SrTiO3基板上依次形成由YBCO构成的第一超导膜和STO的第一绝缘膜（S10）。通过蚀刻第一超导膜和绝缘膜的桥接区域来部分地暴露SrTiO 3基板（S20）。在清洗所得结构（S30）之后，通过将得到的结构浸渍在添加Br的乙醇溶液中来对蚀刻的桥接区域进行化学处理，由此形成阻挡层（S40）。在所得结构上顺序形成第二超导膜和第二绝缘膜（S50）。通过选择性地蚀刻第二超导膜和第二绝缘膜来暴露第一超导膜（S60）。在暴露的超导膜上形成垫（S70）。

9. 发明公开

KR1020030033375A 고온 초전도 조셉슨 접합 소자 제조 방법 无效
标题翻译：制造高温超导体JOSEPHSON JUNCTION DEVICE的方法
公开(公告)号：KR1020030033375A
公开(公告)日：2003-05-01
申请号：KR1020010065119
申请日：2001-10-22
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 이기영 , 문승현 , 계정일
IPC分类号： H01L39/22
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a high temperature superconductor Josephson junction device is provided to be capable of determining the structure of a metal deposited on a superconducting thin film by directly patterning the metal. CONSTITUTION: After sequentially depositing a superconducting thin film(200) and a metal layer(300) on a substrate(100), the metal layer(300) and the superconducting thin film(200) are etched by one selected from group consisting of ion milling, RIE and wet etching processes. After forming a photoresist on the metal layer(300), a photoresist pattern is formed by carrying out a thermal annealing at the temperature of 50-200°C for 5-20 minutes. The metal layer(300) is etched by an ion milling process using the photoresist pattern as a mask. Then, ions are implanted into the metal layer(300).
摘要翻译：目的：提供一种用于制造高温超导体约瑟夫逊结装置的方法，以能够通过直接图案化金属来确定沉积在超导薄膜上的金属的结构。构成：在衬底（100）上依次沉积超导薄膜（200）和金属层（300）之后，金属层（300）和超导薄膜（200）被选自离子研磨，RIE和湿法蚀刻工艺。在金属层（300）上形成光致抗蚀剂后，通过在50-200℃的温度下进行5-20分钟的热退火来形成光致抗蚀剂图案。通过使用光致抗蚀剂图案作为掩模的离子研磨工艺来蚀刻金属层（300）。然后，将离子注入到金属层（300）中。

10. 发明授权

KR102232418B1 그래핀 멤브레인 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102232418B1
公开(公告)日：2021-03-29
申请号：KR1020140051829
申请日：2014-04-29
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 이창호 , 박형규 , 계정일 , 비스로만엠
IPC分类号： B01D69/10 , B01D71/06
摘要： 본발명은그래핀에관한것으로특히, 그래핀멤브레인및 그제조방법에관한것이다. 이러한본 발명은, 그래핀멤브레인에있어서, 크기가 5 내지 100 나노미터인다수의기공을포함하는다공성패턴을가지는그래핀층; 및상기그래핀층을지지하는것으로서, 상기그래핀층의기공보다크기가큰 다수의기공을포함하는지지체를포함하여구성될수 있다.

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