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1. 发明授权

KR101809192B1 식각 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101809192B1
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：KR1020110136430
申请日：2011-12-16
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 솔브레인 주식회사
发明人： 조성혁 , 홍권 , 박형순 , 김규현 , 한지혜 , 임정훈 , 이진욱 , 박재완 , 정찬근
IPC分类号： C09K13/04 , C09K13/06
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L29/66136 , H01L29/66666 , H01L29/861
摘要： 본발명은실릴포스페이트(silyl phosphate) 화합물, 인산및 탈이온수를포함하는식각조성물, 및이를이용하는식각공정을포함하는반도체소자의제조방법에관한것이다. 본발명에따른식각조성물은산화막에대한질화막의식각선택비가높은특징을가지므로, 산화막의식각을최소화하여, EFH를용이하게조절할수 있다. 또한, 본발명의식각조성물을이용하면질화막제거시에산화막의막질손상이나산화막의식각으로인한전기적특성저하를방지하고, 파티클발생이방지되어, 공정의안정성을확보하고소자특성을향상시킬수 있다.

2. 发明公开

KR1020130068952A 식각 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 审中-实审
标题翻译：使用其的半导体器件的蚀刻和制造方法的组合物
公开(公告)号：KR1020130068952A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：KR1020110136430
申请日：2011-12-16
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 솔브레인 주식회사
发明人： 조성혁 , 홍권 , 박형순 , 김규현 , 한지혜 , 임정훈 , 이진욱 , 박재완 , 정찬근
IPC分类号： C09K13/04 , C09K13/06
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L29/66136 , H01L29/66666 , H01L29/861
摘要： PURPOSE: An etching composition is provided to have high etching selectivity, to minimize etching of an oxidation membrane, thereby easily controlling effective field oxide height. CONSTITUTION: An etching composition includes a silyl phosphate compound represented by chemical formula 1, phosphorous, and deionized water represented by chemical formula 1. A manufacturing method of a semiconductor device comprises a step of forming a nitride film on a substrate; a step of forming a trench on the substrate by using the nitride film as a hard mask; a step of forming an oxidation film to cover the trench; a step of conducting chemical and mechanical polishing until the time the nitride film is exposed; and a step of removing nitride film by wet etching process by using the etching composition.
摘要翻译：目的：提供蚀刻组合物以具有高蚀刻选择性，以最小化氧化膜的蚀刻，从而容易地控制有效的场氧化物高度。构成：蚀刻组合物包括由化学式1表示的磷酸甲硅烷酯化合物，由化学式1表示的磷和去离子水。半导体器件的制造方法包括在衬底上形成氮化物膜的步骤; 通过使用氮化物膜作为硬掩模在衬底上形成沟槽的步骤; 形成氧化膜以覆盖沟槽的步骤; 进行化学和机械抛光直到氮化膜暴露的时间的步骤; 以及通过使用蚀刻组合物通过湿法蚀刻工艺除去氮化物膜的步骤。

3. 发明授权

KR102161019B1 질화티타늄막 및 텅스텐막의 적층체용 식각 조성물, 이를 이용한 식각 방법 및 이로부터 제조된 반도체 소자 有权
公开(公告)号：KR102161019B1
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：KR1020130154567
申请日：2013-12-12
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 임정훈 , 이진욱 , 박재완 , 정찬근
IPC分类号： C23F1/44 , C23F1/26 , C09K13/00 , H01L21/3213

4. 发明公开

KR1020170137310A 식각용 조성물의 성능 평가 방법 审中-实审
标题翻译：评估蚀刻组合物性能的方法
公开(公告)号：KR1020170137310A
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：KR1020160069257
申请日：2016-06-03
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 이진욱 , 임정훈 , 박재완
IPC分类号： H01L21/66 , C09K13/04 , G01N1/32 , H01L21/306
摘要： 본발명은식각용조성물의성능평가방법에관한것으로서, 상기식각용조성물의성능평가방법은인산수용액을포함하는식각용조성물을준비하는단계, 상기식각용조성물을실리콘질화막또는실리콘산화막이들어있는평가용기에투입하는단계, 상기식각용조성물의온도를 100 내지 170 ℃의고온으로유지하면서상기식각용조성물의식각성능을측정하는단계를포함한다. 상기식각용조성물의성능평가방법은실리콘질화막및 실리콘산화막의식각을위한고온인산공정에사용되는식각용조성물의식각성능평가시실제고온인산공정에적용된결과에보다근접하고정확한평가결과를얻을수 있다.
摘要翻译：评价在本发明中包含所述蚀刻组合物中的性能评价方法包括的阶段，用于蚀刻的组合物以制备用于氮化硅膜或含有磷酸水溶液涉及一种性能评价方法用于蚀刻组合物的氧化硅膜的蚀刻组合物在容器中的步骤中，同时保持所述蚀刻组合物的温度为高温的100〜170℃的步骤包括测量所述蚀刻的蚀刻组合物的性能的步骤。用于蚀刻组合物的评价方法可以用于蚀刻在热磷酸过程中使用的氮化硅膜和氧化硅膜的蚀刻评价组合物的蚀刻性能期间获得应用于实际高温磷酸工序中的评价结果的较近和准确的结果。

5. 发明公开

KR1020170078219A 식각액의 정제 방법 审中-实审
标题翻译：精炼蚀刻溶液的方法
公开(公告)号：KR1020170078219A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：KR1020150188534
申请日：2015-12-29
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 박재완 , 임정훈 , 이진욱
IPC分类号： C09K13/04 , C09K13/08 , H01L21/306 , H01L21/02
摘要： 본발명은실리콘질화막의식각에사용된인산을포함하는식각액에물을공급하여상기식각액중에포함되는플루오르화화합물을제거하는단계를포함하는식각액의정제방법에관한것으로, 본발명은식각액정제공정효율성을증대시키고, 식각액의수명을늘릴수 있다.
摘要翻译：本发明涉及蚀刻溶液的纯化方法包括去除通过向包括在所述氮化硅膜的蚀刻中使用的酸的蚀刻液供给水包含在蚀刻液中的含氟化合物中，本发明提供了蚀刻溶液的纯化方法效率蚀刻溶液的寿命可以增加。

6. 发明公开

KR1020170066184A 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 审中-实审
标题翻译：用于蚀刻的组合物和使用其的半导体装置的制造方法
公开(公告)号：KR1020170066184A
公开(公告)日：2017-06-14
申请号：KR1020150178778
申请日：2015-12-15
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 임정훈 , 이진욱 , 박재완
IPC分类号： C09K13/06 , C09K13/04 , H01L21/306 , C09K13/08
摘要： 본발명은식각용조성물및 이식각용조성물을이용한식각공정을포함하는반도체소자의제조방법에관한것으로서, 상기식각용조성물은제 1 무기산, 차아인산염(hypophosphite)을포함하는제 1 첨가제, 그리고용매를포함한다. 상기식각용조성물은산화막의식각율을최소화하면서질화막을선택적으로제거할수 있으며, 소자특성에악영향을미치는파티클발생등의문제점을갖지않는고선택비의식각용조성물이다.
摘要翻译：本发明是一种第一添加剂，和溶剂，涉及一种方法，用于制造半导体器件包括使用gakyong蚀刻为所述组合物的组合物和植入物，其包括第一无机酸的蚀刻工艺蚀刻的组合物中，次磷酸盐（次）它包括。用于蚀刻的组合物是高选择性蚀刻组合物，其可以选择性地去除氮化物膜，同时最小化氧化物膜的蚀刻速率，并且不会引起诸如产生对装置特性有不利影响的颗粒的问题。

7. 发明授权

KR101539375B1 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 有权
标题翻译：用于使用其的半导体器件的蚀刻和制造方法的组合物
公开(公告)号：KR101539375B1
公开(公告)日：2015-07-27
申请号：KR1020140090663
申请日：2014-07-17
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 임정훈 , 이진욱 , 박재완
IPC分类号： C09K13/04 , H01L21/306
CPC分类号： C09K13/08 , C09K13/06 , H01L21/31111
摘要： 본발명은식각용조성물및 이식각용조성물을이용한식각공정을포함하는반도체소자의제조방법에관한것으로서, 상기식각용조성물은제1 무기산, 제2 무기산과제2 실란화합물을반응시켜제조된실란무기산염, 그리고용매를포함한다. 상기식각용조성물은산화막의식각율을최소화하면서질화막을선택적으로제거할수 있으며, 소자특성에악영향을미치는파티클발생등의문제점을갖지않는고선택비의식각용조성물이다.
摘要翻译：本发明涉及一种蚀刻组合物及其制造方法，该半导体器件包括使用该蚀刻组合物的蚀刻工艺。蚀刻组合物包括通过使第一无机酸，第二无机酸和第二硅烷化合物与溶剂反应制造的硅烷无机酸盐。蚀刻组合物可以选择性地除去硝化膜，同时使氧化膜的蚀刻比最小化，并且是具有高选择率的蚀刻组合物，而不会产生具有对器件特性的不良影响的颗粒制造等问题。

8. 发明公开

KR1020170078238A 식각액의 정제 방법 审中-实审
标题翻译：精炼蚀刻溶液的方法
公开(公告)号：KR1020170078238A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：KR1020150188564
申请日：2015-12-29
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 박재완 , 임정훈 , 이진욱
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/02 , C09K13/04 , C09K13/08
摘要： 본발명은실리콘질화막의식각에사용된인산을포함하는식각액에스팀을공급하여상기식각액중에포함되는플루오르화화합물을제거하는단계를포함하는식각액의정제방법에관한것으로, 본발명은식각액정제공정효율성을증대시키고, 식각액의수명을늘릴수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于纯化蚀刻剂的方法，包括以下步骤：向用于蚀刻氮化硅膜的含磷酸的蚀刻剂供应蒸汽以去除蚀刻剂中含有的氟化化合物，蚀刻溶液的寿命可以增加。

9. 发明公开

KR1020170066180A 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 审中-实审
标题翻译：用于蚀刻的组合物和使用其的半导体装置的制造方法
公开(公告)号：KR1020170066180A
公开(公告)日：2017-06-14
申请号：KR1020150178774
申请日：2015-12-15
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 임정훈 , 이진욱 , 박재완
IPC分类号： C09K13/04 , C09K13/06 , H01L21/306
摘要： 본발명은식각용조성물및 이식각용조성물을이용한식각공정을포함하는반도체소자의제조방법에관한것으로서, 상기식각용조성물은제 1 무기산, 아인산(phosphorous acid)을포함하는제 1 첨가제, 하기화학식 300으로표시되는알콕시실란화합물을포함하는제 2 첨가제, 그리고용매를포함한다. [화학식 300]상기식각용조성물은산화막의식각율을최소화하면서질화막을선택적으로제거할수 있으며, 소자특성에악영향을미치는파티클발생등의문제점을갖지않는고선택비의식각용조성물이다.
摘要翻译：本发明涉及一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括使用蚀刻组合物和用于注入的组合物的蚀刻工艺，所述蚀刻组合物包含第一无机酸，包含亚磷酸的第一添加剂，包含由通式（I）表示的烷氧基硅烷化合物和溶剂的第二添加剂。用于蚀刻的组合物是高选择性蚀刻组合物，其可以选择性地去除氮化物膜，同时最小化氧化物膜的蚀刻速率，并且不会引起诸如产生对装置特性有不利影响的颗粒的问题。

10. 发明公开

KR1020170058691A 식각 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 审中-实审
标题翻译：蚀刻组合物及使用其的半导体装置的制造方法
公开(公告)号：KR1020170058691A
公开(公告)日：2017-05-29
申请号：KR1020150162603
申请日：2015-11-19
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 이진욱 , 박재완 , 임정훈
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/311
摘要： 본발명은식각조성물, 식각방법및 반도체소자에관한것으로서, 상기식각조성물은인산및 무기산을포함한다. 상기식각조성물은실리콘질화막및 실리콘산화막의선택적식각을가능하게하고, 실리콘첨가제를생략하여첨가제기인파티클생성을억제시키고, 무기산혼합으로인하여용해도를향상시키고, 용액의끓는점을올려높은온도로가열이가능하게한다.
摘要翻译：本发明涉及蚀刻组合物，蚀刻方法和半导体装置，其中蚀刻组合物包含磷酸和无机酸。该蚀刻组合物使得能够选择性地蚀刻氮化硅膜和氧化硅膜，并且消除了硅添加剂以抑制由于添加剂引起的粒子形成，提高了由于无机酸混合而引起的溶解性，并且提高了溶液的沸点，它使。

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