专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020170090346A 전자 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：电子装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170090346A
公开(公告)日：2017-08-07
申请号：KR1020160116249
申请日：2016-09-09
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 도시바 메모리 가부시키가이샤
发明人： 임종구 , 최원준 , 김국천 , 김양곤 , 정구열 , 나가세토시히코 , 이영민 , 와타나베다이스게 , 사와다카즈야 , 나가미네마코토
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/10
CPC分类号： H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： 본기술은가변저항소자를포함하는전자장치및 그제조방법을제공한다. 기판상의자유층, 상기자유층상의고정층, 상기자유층과상기고정층사이에삽입된터널베리어층을포함하는가변저항소자를제1온도에서형성하는단계; 및상기고정층상에자기보정층을형성하되, 상기자기보정층은상기제1온도보다낮은제2온도에서형성하고, 상기자기보정층은상기고정층의자화방향과반평행한(anti-parallel) 자화방향을갖도록형성하는단계를포함할수 있다.
摘要翻译：本技术提供了包括可变电阻元件的电子器件及其制造方法。在第一温度下形成可变电阻元件，所述可变电阻元件包括在所述衬底上的自由层，在所述自由层上的钉扎层以及介于所述自由层和所述钉扎层之间的隧道势垒层; 并且在固定层上形成自补偿层，其中自补偿层在低于第一温度的第二温度形成，自补偿层具有反平行磁化方向这样才能有一个理想的形状。

2. 发明公开

KR1020160019253A 전자 장치 审中-实审
标题翻译：电子设备
公开(公告)号：KR1020160019253A
公开(公告)日：2016-02-19
申请号：KR1020140103754
申请日：2014-08-11
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 도시바 메모리 가부시키가이샤
发明人： 김양곤 , 박기선 , 이보미 , 최원준 , 김국천 , 와타나베다이스게 , 나가미네마코토 , 이영민 , 우에다코지 , 나가세토시히코 , 사와다카즈야
IPC分类号： H01L43/08 , H01L27/115
CPC分类号： G06F12/0875 , G06F2212/1016 , G06F2212/452 , G11C11/161 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： 전자장치가제공된다. 본발명의일 실시예에따른전자장치는, 반도체메모리를포함하는전자장치로서, 상기반도체메모리는, 하부층; 상기하부층상에위치하고, 변경가능한자화방향을갖는제1 자성층; 상기제1 자성층상에위치하는터널베리어층; 및상기터널베리어층상에위치하고, 고정된자화방향을갖는제2 자성층을포함하고, 상기하부층은, NaCl의결정구조를갖는제1 금속질화물층; 및경금속을포함하는제2 금속질화물층을포함할수 있다.
摘要翻译：提供电子设备。根据本发明的实施例的电子设备是包括半导体存储器的电子设备。半导体存储器包括下层; 第一磁性层位于下层上并具有可变化的磁化方向; 隧道势垒层，位于第一磁性层上; 以及位于隧道势垒层上并且具有固定的磁化方向的第二磁性层。下层可以包括具有NaCl晶体结构的第一金属氮化物层; 以及包括轻金属的第二金属氮化物层。

3. 发明公开

KR1020150103866A 전자 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：电子设备及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150103866A
公开(公告)日：2015-09-14
申请号：KR1020140025444
申请日：2014-03-04
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 도시바 메모리 가부시키가이샤
发明人： 동차덕 , 와타나베다이스게 , 사와다카즈야 , 이영민 , 우에다코지 , 나가세토시히코
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： 전자 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는, 제1 자성층, 제2 자성층 및 상기 제1 자성층과 상기 제2 자성층 사이에 개재되는 터널 베리어층을 포함하는 제1 구조물; 및 상기 제1 구조물 상에 배치되고, 상기 제1 구조물의 자기장을 보정하는 자기 보정층을 포함하는 제2 구조물을 포함하고, 상기 제2 구조물의 하면 폭은, 상기 제1 구조물의 상면 폭보다 크다.
摘要翻译：提供电子装置及其制造方法。根据本发明的实施例，一种电子设备包括：第一结构，包括插入在第一磁性层和第二磁性层之间的第一磁性层，第二磁性层和隧道势垒层; 以及第二结构，其包括用于校正第一结构的磁场的磁校正层，布置在第一结构上，其中第二结构的下表面的宽度大于第一结构的顶表面的宽度。

4. 发明授权

KR102149195B1 전자 장치 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102149195B1
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：KR1020140025444
申请日：2014-03-04
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 도시바 메모리 가부시키가이샤
发明人： 동차덕 , 와타나베다이스게 , 사와다카즈야 , 이영민 , 우에다코지 , 나가세토시히코
IPC分类号： G11C11/15

5. 发明授权

KR102133178B1 전자 장치 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102133178B1
公开(公告)日：2020-07-15
申请号：KR1020140069524
申请日：2014-06-09
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 도시바 메모리 가부시키가이샤
发明人： 김양곤 , 이보미 , 최원준 , 김국천 , 와타나베다이스게 , 나가미네마코토 , 이영민 , 우에다코지 , 나가세토시히코 , 사와다카즈야
IPC分类号： G11C11/15 , G11C16/06

6. 发明公开

KR1020150141266A 전자 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：电子设备及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150141266A
公开(公告)日：2015-12-18
申请号：KR1020140069524
申请日：2014-06-09
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 도시바 메모리 가부시키가이샤
发明人： 김양곤 , 이보미 , 최원준 , 김국천 , 와타나베다이스게 , 나가미네마코토 , 이영민 , 우에다코지 , 나가세토시히코 , 사와다카즈야
IPC分类号： G11C11/15 , G11C16/06
CPC分类号： G06F12/0802 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L43/08
摘要： 전자장치가제공된다. 본발명의일 실시예에따른전자장치는, 반도체메모리를포함하는전자장치로서, 상기반도체메모리는, 변경가능한자화방향을갖는제1 자성층; 고정된자화방향을갖는제2 자성층; 및상기제1 자성층과상기제2 자성층사이에개재된터널베리어층을포함하고, 상기제2 자성층은, Mo이첨가된강자성물질을포함할수 있다.
摘要翻译：提供电子设备。根据本发明的实施例的电子设备包括半导体存储器，其中半导体存储器可以包括：具有可变放大方向的第一磁性层; 具有固定放大方向的第二磁性层; 以及设置在所述第一和第二磁性层之间的隧道势垒层，其中所述第二磁性层可以包括加入Mo的铁磁性物质。

7. 实用新型

KR200111512Y1 엘리베이터 시스템 失效
公开(公告)号：KR200111512Y1
公开(公告)日：1997-10-14
申请号：KR2019940007350
申请日：1994-04-08
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이영민
IPC分类号： H01L21/68

8. 发明授权

KR100057014B1 진공 콘트롤러(Vacuum Controller) 失效
公开(公告)号：KR100057014B1
公开(公告)日：1992-12-03
申请号：KR1019890017539
申请日：1989-11-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박종석 , 최광오 , 이기호 , 이영민
IPC分类号： H01L21/265

9. 发明公开

KR1019910010262A 진공 콘트롤러(Vacuum Controller) 失效
公开(公告)号：KR1019910010262A
公开(公告)日：1991-06-29
申请号：KR1019890017539
申请日：1989-11-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박종석 , 최광오 , 이기호 , 이영민
IPC分类号： H01L21/265
摘要： 내용 없음.

10. 发明公开

KR1020010047339A 산화막 마이크로렌즈 제조 방법 및 그를 이용한 이미지센서의 제조방법 失效
标题翻译：制造具有氧化层微镜的图像传感器的方法
公开(公告)号：KR1020010047339A
公开(公告)日：2001-06-15
申请号：KR1019990051513
申请日：1999-11-19
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 변성철 , 이영민
IPC分类号： H01L27/146
摘要： PURPOSE: A method of manufacturing an image sensor having an oxidation layer microlens is provided to improve a photo-sensitivity by maximizing the light incoming to a photo diode. CONSTITUTION: A first oxidation layer is deposited on a semiconductor substrate and a first oxidation layer pattern is formed by the anisotropic etching using a first mask of the first size. A second oxidation layer is deposited and a second oxidation layer pattern is formed on the first oxidation layer pattern by anisotropic etch using the second mask of the second size. A third oxidation layer is deposited and anisotropically etched on the overall surfaces by overetch. A fourth oxidation layer is deposited thereon and the fourth oxidation layer pattern is formed on the second oxidation layer pattern by anisotropic etch using a third mask of the third size. A fifth oxidation layer is deposited and anisotropically overetched.
摘要翻译：目的：提供一种制造具有氧化层微透镜的图像传感器的方法，以通过使进入光电二极管的光最大化来提高光敏性。构成：第一氧化层沉积在半导体衬底上，并且通过使用第一尺寸的第一掩模的各向异性蚀刻形成第一氧化层图案。沉积第二氧化层，并且通过使用第二尺寸的第二掩模的各向异性蚀刻在第一氧化层图案上形成第二氧化层图案。沉积第三氧化层并通过过蚀刻在整个表面上各向异性地蚀刻。在其上沉积第四氧化层，并且使用第三尺寸的第三掩模通过各向异性蚀刻在第二氧化层图案上形成第四氧化层图案。沉积第五氧化层并各向异性过蚀刻。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式