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1. 发明授权

KR100955168B1 노광마스크 및 이를 이용한 반도체소자의 형성방법 失效
标题翻译：曝光掩模和使用其形成半导体器件的方法
公开(公告)号：KR100955168B1
公开(公告)日：2010-04-29
申请号：KR1020080049166
申请日：2008-05-27
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 문재인
IPC分类号： G03F1/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/36
摘要： 본 발명은 노광마스크 및 이를 이용한 반도체소자의 형성방법에 관한 것으로, 콘택홀 영역에 형성된 직사각형의 제1 투광패턴과, 상기 직사각형 투광패턴의 단축방향 양측으로 수직하게 형성된 제2 투광패턴을 포함하는 노광마스크를 이용하여 하측의 도전층을 노출시키는 콘택홀을 용이하게 형성할 수 있도록 하는 기술이다.

2. 发明公开

KR1020090123198A 노광마스크 및 이를 이용한 반도체소자의 형성방법 失效
标题翻译：曝光掩模和使用其形成半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020090123198A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：KR1020080049166
申请日：2008-05-27
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 문재인
IPC分类号： G03F1/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/36 , G03F1/144 , H01L21/76802
摘要： PURPOSE: An exposure mask and a forming method of a semiconductor device using the same are provided to improve a margin of an exposure process used in micro lithography by easily performing the exposure process with low intensity of a light. CONSTITUTION: A first light transmitting pattern(21) is formed in a contact hole region, and has a rectangular shape. A second light transmitting pattern(23) is vertically formed into both sides of a short direction of the first light transmitting pattern. The second light transmitting pattern is a sub light transmitting pattern. The second light transmitting pattern is formed with a bar type, and is formed into an inner side of both end parts of the first light transmitting pattern.
摘要翻译：目的：提供使用其的半导体器件的曝光掩模和形成方法，以通过以低强度的光轻易地进行曝光处理来提高微光刻中使用的曝光处理的余量。构成：第一透光图案（21）形成在接触孔区域中，并且具有矩形形状。第二透光图案（23）垂直地形成在第一透光图案的短方向的两侧。第二透光图案是亚光透过图案。第二透光图案形成为棒状，并且形成为第一透光图案的两端部的内侧。

3. 发明公开

KR1020090069102A 반도체 소자의 제조 방법 失效
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020090069102A
公开(公告)日：2009-06-29
申请号：KR1020070136952
申请日：2007-12-24
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 문재인
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0337 , H01L21/0338
摘要： A method for manufacturing a semiconductor device is provided to increase the process margin of the semiconductor photo process by implementing the isolated pattern in terms of the natural disposition. A manufacturing method of a semiconductor device comprises a formation step of a first hard mask layer(310) and etched layer(305), a formation step of a pad pattern and a second hard mask pattern, and a formation step of a spacer(330). The formation step of a first hard mask layer and an etched layer are performed to successively form the etched layer and a first hard mask layer on the semiconductor substrate. The formation step of a second hard mask pattern and pad pattern are performed to form the pad pattern and the second hard mask pattern on the first hard mask layer. A second hard mask pattern has a line shape contacting with the pad pattern. The formation step of the spacers is performed to form spacers on the side wall of the second hard mask pattern. The manufacturing method of the semiconductor device more includes the decimation stage of the second hard mask pattern, the formation step of the space pattern, the formation step of the photosensitive pattern, and the formation step of the first hard mask pattern and formation step of the blood etch pattern. The decimation stage of the second hard mask pattern is performed to remove the second hard mask pattern and leaves spacers. The formation step of the spacer pattern is performed to remove one among spacers and forms the spacer pattern. The formation step of the photosensitive pattern is performed to form the photosensitive pattern overlapping with the space pattern. The formation step of the first hard mask pattern is performed to form the first hard mask pattern by etching the first hard mask layer using the photosensitive pattern and spacer pattern as the etching mask.
摘要翻译：提供一种用于制造半导体器件的方法，以通过根据自然布置实现隔离图案来增加半导体照相处理的工艺余量。半导体器件的制造方法包括第一硬掩模层（310）和蚀刻层（305）的形成步骤，焊盘图案和第二硬掩模图案的形成步骤以及间隔物（330）的形成步骤）。执行第一硬掩模层和蚀刻层的形成步骤，以在半导体衬底上依次形成蚀刻层和第一硬掩模层。执行第二硬掩模图案和焊盘图案的形成步骤以在第一硬掩模层上形成焊盘图案和第二硬掩模图案。第二硬掩模图案具有与焊盘图案接触的线形。执行间隔件的形成步骤以在第二硬掩模图案的侧壁上形成间隔物。半导体器件的制造方法还包括第二硬掩模图案的抽取阶段，空间图案的形成步骤，感光图案的形成步骤以及第一硬掩模图案的形成步骤和形成步骤血液蚀刻图案。执行第二硬掩模图案的抽取阶段以移除第二硬掩模图案并留下间隔物。执行间隔图案的形成步骤以移除间隔物中的一个并形成间隔图案。执行感光图案的形成步骤以形成与空间图案重叠的感光图案。通过使用感光图案和间隔图案作为蚀刻掩模蚀刻第一硬掩模层，执行第一硬掩模图案的形成步骤以形成第一硬掩模图案。

4. 发明授权

KR100653996B1 위상 반전 포토 마스크 失效
标题翻译：相移光罩
公开(公告)号：KR100653996B1
公开(公告)日：2006-12-05
申请号：KR1020050024591
申请日：2005-03-24
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 문재인
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 위상 반전 포토 마스크가 제공된다. 위상 반전 포토 마스크는 투명 기판, 및 투명 기판 상에 형성되고 빛을 차폐하는 광차폐부와 광차폐부 사이의 소정 영역에 배치되어 제 1 위상의 빛이 입사되는 제 1 광입사부와 제 1 광입사부와 광차폐부를 사이에 두고 배치되어 제 1 위상과 180°의 위상차를 가지는 제 2 위상의 빛이 입사되는 제 2 광입사부를 정의하는 마스크 패턴을 포함하며, 제2 광입사부를 통과하는 빛이 제2 위상을 갖도록 해주기 위해 투명 기판의 제3 영역에 홈, 돌출부 또는 빈영역을 형성한다.
위상 반전 포토 마스크, 반도체 소자, 노광

5. 发明授权

KR101097026B1 ＥＵＶ 마스크 및 그 형성방법 失效
公开(公告)号：KR101097026B1
公开(公告)日：2011-12-20
申请号：KR1020100009297
申请日：2010-02-01
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 문재인
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/00
CPC分类号： G03F1/24 , G03F1/38 , G03F1/54
摘要： 본 발명은 EUV 마스크의 다중 박막 내에 구조체 패턴을 삽입하여 그림자 효과(Shadowing Effect) 없이 노광이 가능하도록 하여 노광 시 해상도가 향상시키고, 패턴의 CD 균일도를 향상시키는 기술이다.
본 발명에 따른 EUV 마스크는 석영 기판 및 상기 석영 기판의 상부에 형성되는 다중 박막을 포함하되, 상기 다중 박막의 박막들 사이에 구조체 패턴을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 EUV 마스크 형성방법은 석영 기판 상부에 제 1 다중 박막을 형성하는 단계와, 제 1 다중 박막의 상부에 구조체 패턴을 형성하는 단계와, 어스시트 패턴을 포함하는 상기 제 1 다중 박막 표면에 제 2 다중 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

6. 发明公开

KR1020110091217A ＥＵＶ 마스크 및 그 형성방법 无效
标题翻译：极品超紫外线掩膜及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110091217A
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：KR1020100010935
申请日：2010-02-05
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 문재인
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F1/22 , G03F1/24 , G03F7/70433 , H01L21/0332
摘要： PURPOSE: EUV(Extreme Ultra Violet) reflective mask and a forming method thereof are provided to simplify a mask manufacturing process by changing the structure of an EUV mask. CONSTITUTION: A multi thin film(115), which includes a plurality of trenches(120), is included on the top of a quartz substrate. The multi thin film includes molybdenum(105) and silicon(110). Forty molybdenum and forty silicon are alternatively laminated on multi thin film which is exposed in a trench. A quartz substrate is exposed in the trench. A method for manufacturing a EUV mask comprises a step which forms the multi thin film on a quartz substrate and a step which forms the trench by etching the multi thin film.
摘要翻译：目的：提供EUV（极紫外）反射罩及其成型方法，以通过改变EUV掩模的结构来简化掩模制造过程。构成：包括多个沟槽（120）的多薄膜（115）被包括在石英衬底的顶部上。多薄膜包括钼（105）和硅（110）。四十个钼和四十个硅交替层压在暴露在沟槽中的多薄膜上。石英衬底暴露在沟槽中。一种制造EUV掩模的方法包括在石英基板上形成多层薄膜的步骤以及通过蚀刻多层薄膜形成沟槽的步骤。

7. 发明公开

KR1020110089759A ＥＵＶ 마스크 및 그 형성방법 失效
标题翻译：极品超紫外线掩膜及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110089759A
公开(公告)日：2011-08-09
申请号：KR1020100009297
申请日：2010-02-01
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 문재인
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/00
CPC分类号： G03F1/24 , G03F1/38 , G03F1/54 , G03F7/70433 , H01L21/0332
摘要： PURPOSE: An extreme ultra violet mask and a formation method thereof are provided to modify a structure of an extreme ultra violet mask, thereby increasing resolution power by improving mask reflectivity and simplifying a mask manufacturing process. CONSTITUTION: An extreme ultra violet(EUV) mask includes a quartz substrate, a multilayered membrane(115), and a structure pattern. The multilayered membrane is formed on the upper part of the quartz substrate. The structure pattern is included between layers of the multilayered membrane. The multilayered membrane includes molybdenum(105) and silicon(110). The structure pattern is comprised of an insulating layer.
摘要翻译：目的：提供极紫外线掩膜及其形成方法，以改变极紫外线掩膜的结构，从而通过提高掩模反射率和简化掩模制造工艺来提高分辨率。构成：极紫外（EUV）掩模包括石英衬底，多层膜（115）和结构图案。多层膜形成在石英基板的上部。结构图案包括在多层膜的层之间。多层膜包括钼（105）和硅（110）。结构图案由绝缘层构成。

8. 发明公开

KR1020100026330A 반도체소자의 형성방법 失效
标题翻译：形成半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020100026330A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：KR1020080085301
申请日：2008-08-29
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 문재인
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L27/1052 , G03F1/70 , H01L21/31144 , H01L27/105 , G03F1/36 , G03F1/144 , G03F7/70441 , H01L21/0337 , H01L21/0338
摘要： PURPOSE: A method for forming a semiconductor device is provided to form a fine pattern by improving a process margin and realizing a resolution beyond optical limits with a spacer patterning technique. CONSTITUTION: A layer to be etched(12) and a first hard mask layer are formed on the upper side of a semiconductor substrate(10). A first mask layer is patterned on the high-density area(1000) and the low-density area(2000) of a semiconductor device with a exposure mask. A first spacer(20) is formed on the side wall of the first hard mask layer in the high-density area. A second spacer is formed on the side wall of the first hard mask layer in the low-density area. The end part to which the first spacer is connected is etched to form a first spacer pattern using a second exposure mask. A second hard mask layer(28) which exposes the first spacer pattern and the second spacer is formed.
摘要翻译：目的：提供一种用于形成半导体器件的方法，以通过利用间隔物图案化技术改善工艺余量并实现超出光学限制的分辨率来形成精细图案。构成：在半导体衬底（10）的上侧形成被蚀刻层（12）和第一硬掩模层。在具有曝光掩模的半导体器件的高密度区域（1000）和低密度区域（2000）上对第一掩模层图案化。在高密度区域中的第一硬掩模层的侧壁上形成第一间隔物（20）。在低密度区域中的第一硬掩模层的侧壁上形成第二间隔物。蚀刻第一间隔物连接到的端部，以使用第二曝光掩模形成第一间隔图案。形成露出第一间隔物图案和第二间隔物的第二硬掩模层（28）。

9. 发明授权

KR100924193B1 반도체 소자의 제조 방법 失效
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR100924193B1
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：KR1020070136952
申请日：2007-12-24
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 문재인
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0337
摘要： 본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 하드마스크층 패턴을 형성한 후 상기 하드마스크층 패턴 양측에 스페이서를 형성한다. 다음에, 상기 스페이서 중 한 방향의 스페이서만 남겨 스페이서 패턴을 형성하고, 상기 스페이서 패턴 일측과 중첩되는 패드 형태의 감광막 패턴을 형성한다. 그 다음, 상기 감광막 패턴 및 상기 스페이스 패턴을 마스크로 피식각층을 식각하여 독립 패턴을 형성함으로써, 해상력 및 공정 마진을 향상시켜 고집적화된 트랜지스터의 구현을 가능하게 하는 기술을 개시한다.

10. 发明公开

KR1020090097473A 노광마스크 및 이를 이용한 반도체소자 형성방법 失效
标题翻译：曝光掩模和使用其形成半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020090097473A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：KR1020080022620
申请日：2008-03-11
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 문재인
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F1/36 , G03F1/144 , G03F7/70441
摘要： An exposure mask and a method for forming a semiconductor device using the same are provided to form a fine pattern by preventing a scum phenomenon in a space between a first pattern and a second pattern. A first pattern(11) and a second pattern(13) are adjacent. A space is adjacent between the first pattern and the second pattern. The width of the space is 100 nm to 24.9 um. The dipole illumination is used as the exposure mask. The width of a concave-convex part(15,17) is 10 to 100 nm and the depth of the concave-convex part is 50 nm to 12.9 um. The first pattern and the second pattern are one of the line pattern or island pattern.
摘要翻译：提供曝光掩模和使用其的半导体器件的形成方法，以通过防止第一图案和第二图案之间的空间中的浮渣现象来形成精细图案。第一图案（11）和第二图案（13）相邻。空间在第一图案和第二图案之间相邻。空间的宽度为100nm至24.9μm。使用偶极子照明作为曝光掩模。凹凸部（15,17）的宽度为10〜100nm，凹凸部的深度为50nm〜12.9μm。第一图案和第二图案是线图案或岛图案之一。

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