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1. 发明公开

KR1020080101868A ＳＯＩ 기판의 제조 방법 无效
标题翻译：制造SOI衬底的方法
公开(公告)号：KR1020080101868A
公开(公告)日：2008-11-21
申请号：KR1020087013120
申请日：2007-02-08
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 아키야마,쇼지 , 구보타요시히로 , 이토아츠오 , 가와이마코토 , 도비사카유우지 , 다나카고이치
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： A hydrogen ion-implanted layer is formed on the surface side of a first substrate of a single-crystal silicon substrate, and at least one of the surface of a second substrate, which is a transparent insulating substrate, and the surface of the first substrate is subjected to surface activation treatment, followed by lamination of both the substrates onto each other. The laminated substrate composed of the single-crystal Si substrate (10) and the transparent insulating substrate (20) thus obtained is mounted on a susceptor (33), and the assembly is placed under an infrared lamp (31). Light in a wave number range including an Si-H bond absorption band is applied to the assembly for a predetermined period of time to cut the Si-H bond localized within "fine cell layer" in the hydrogen ion-implanted layer (11) and thus to separate the thin film of silicon. Here the light to be applied is infrared light in a wave number range including an "Si-H bond" absorption band of 2200 to 2300 cm-1. The Si crystal is substantially "transparent" to the light in the absorption band and thus can be separated without raising the substrate temperature.
摘要翻译：在单晶硅基板的第一基板的表面侧形成氢离子注入层，并且作为透明绝缘基板的第二基板的表面和第一基板的表面中的至少一个进行表面活化处理，然后将两个基板层叠在一起。将由单晶Si衬底（10）和由此获得的透明绝缘衬底（20）组成的层压衬底安装在基座（33）上，并将组件放置在红外灯（31）下。将包含Si-H键吸收带的波数范围的光施加到组件上预定的时间以切割定位在氢离子注入层（11）中的“细胞细胞层”内的Si-H键，以及从而分离硅薄膜。这里所使用的光是包含2200〜2300cm -1的“Si-H键”吸收带的波数范围的红外线。 Si晶体对吸收带中的光基本上是“透明的”，因此可以在不提高衬底温度的情况下分离。

2. 发明公开

KR1020090042138A 반도체 기판의 제조 방법 有权
标题翻译：制造半导体基板的方法
公开(公告)号：KR1020090042138A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：KR1020080073997
申请日：2008-07-29
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 아키야마,쇼지 , 구보타요시히로 , 이토아츠오 , 가와이마코토 , 도비사카유우지 , 다나카고이치
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： A manufacturing method of a semiconductor substrate is provided to reduce a metal pollution of an SOI(Silicon On Insulator) film by sintering the SOI substrate with temperature of 600~1250°C. A surface of a monocrystalline silicon substrate(10) is activated by a plasma process. The monocrystalline silicon substrate and a quartz substrate(20) are bonded in a low temperature. An SOI substrate which is a semiconductor substrate having an SOI film(12) is prepared. The SOI substrate is sintered. A metal impurity mixed in the SOI film and an interface of the SOI film and the quartz substrate is gettered on a surface region of the silicon film. A semiconductor substrate having a final SOI film(13) is obtained by removing a gettering layer of the silicon film of the SOI substrate.
摘要翻译：提供半导体衬底的制造方法，通过在600〜1250℃的温度下烧结SOI衬底来减少SOI（绝缘体上硅）膜的金属污染。单晶硅衬底（10）的表面通过等离子体工艺激活。单晶硅衬底和石英衬底（20）在低温下接合。制备作为具有SOI膜（12）的半导体衬底的SOI衬底。将SOI衬底烧结。混杂在SOI膜中的金属杂质和SOI膜和石英衬底的界面被吸收在硅膜的表面区域上。通过除去SOI衬底的硅膜的吸杂层，获得具有最终SOI膜（13）的半导体衬底。

3. 发明公开

KR1020080101864A ＳＯＩ 기판 및 ＳＯＩ 기판의 제조 방법 无效
标题翻译： SOI衬底和制造SOI衬底的方法
公开(公告)号：KR1020080101864A
公开(公告)日：2008-11-21
申请号：KR1020087012516
申请日：2007-02-08
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 아키야마,쇼지 , 구보타요시히로 , 이토아츠오 , 다나카고이치 , 가와이마코토 , 도비사카유우지
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/26533 , H01L29/78603
摘要： An oxide film (11) having a thickness tOX of not less than 0.2 mum is provided on a single-crystal silicon substrate (10) on its laminating face. In a method for manufacturing an SOI substrate according to the present invention, a low-temperature process is adopted for suppressing the occurrence of thermal distortion attributable to the difference in the coefficient of thermal expansion between the silicon substrate (10) and a quartz substrate (20). To this end, the thickness tOX of the oxide film (11) is brought to a large value of not less than 0.2 mum to impart satisfactory mechanical strength to the thin film to be separated and, at the same time, to allow strain to be absorbed in and relaxed by the relatively thick oxide film to suppress the occurrence of transfer defects during the step of separation. A substrate satisfying a relationship of 2L
摘要翻译：在其层压面上的单晶硅衬底（10）上设置厚度tOX不小于0.2μm的氧化膜（11）。在本发明的SOI基板的制造方法中，采用低温工艺来抑制由于硅基板（10）和石英基板（10）之间的热膨胀系数差异引起的热变形的发生 20）。为此，使氧化膜（11）的厚度tOX达到不小于0.2μm的大值，以对要分离的薄膜赋予令人满意的机械强度，并且同时使应变为被相对较厚的氧化膜吸收和松弛，以抑制分离步骤期间的转印缺陷的发生。满足2L <= tOX的关系的基板，其中tOX表示氧化膜的厚度，L表示氢离子注入层（12）的平均离子注入深度，可以用作单晶硅基板（ 10）层压到石英基板（20）上。

4. 发明授权

KR101384895B1 마이크로칩 및 마이크로칩 제조용 ＳＯＩ 기판 有权
标题翻译：用于制造MICROCHIP的微型芯片和SOI基板
公开(公告)号：KR101384895B1
公开(公告)日：2014-04-15
申请号：KR1020087012265
申请日：2007-03-12
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 아키야마,쇼지 , 구보타요시히로 , 이토아츠오 , 다나카고이치 , 가와이마코토 , 도비사카유우지
IPC分类号： C12M1/00 , G01N33/53 , G01N37/00 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/84
摘要： 단결정 Si 기판(10)의 표면에 수소 이온을 주입하고, 단결정 Si 기판(10)의 표층에 수소 이온 주입층을 형성한다. 수소 이온 주입층(11)을 형성한 단결정 Si 기판(10)과 석영 기판(20)의 각각의 접합면에 표면 청정화나 표면 활성화 등을 목적으로 한 플라즈마 처리나 오존 처리를 행하여 접합시킨다. 그리고, 접합된 기판에 충격력을 부여하여 수소 이온 주입층(11)을 따라 실리콘 박막을 단결정 Si의 벌크부(13)로부터 박리시키고, 석영 기판(20) 상에 SOI층(12)을 갖는 SOI 기판을 얻는다. 이와 같이 하여 얻어진 SOI 기판의 석영 기판(20)의 표면에 홀이나 마이크로 유로 등의 오목부를 형성하여 DNA칩이나 마이크로플루이딕스칩으로서 필요한 가공을 행하고, SOI층(12)에는 이 오목부에 부착ㆍ유지된 시료를 분석ㆍ평가하기 위한 실리콘 반도체 소자를 형성한다.
실리콘 반도체 소자

5. 发明授权

KR101380514B1 반도체 기판의 제조 방법 有权
标题翻译：制造半导体基板的方法
公开(公告)号：KR101380514B1
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：KR1020080073997
申请日：2008-07-29
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 아키야마,쇼지 , 구보타요시히로 , 이토아츠오 , 가와이마코토 , 도비사카유우지 , 다나카고이치
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： 본 발명은 저온에서의 접합이 가능하고, 게다가, SOI막 속의 금속 오염량을 저감시키는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
플라즈마 처리하여 표면 활성화시킨 단결정 Si 기판(10)과 석영 기판(20)을 저온에서 접합시키고, 이것에 외부 충격을 부여하여 단결정 실리콘 벌크로부터 실리콘막을 기계적으로 박리하여 실리콘막(SOI막)(12)을 형성한 반도체 기판(SOI 기판)을 얻는다.
다음에 이 SOI 기판을 600℃∼1250℃의 온도에서 열처리하고, 플라즈마 처리 등의 공정에 있어서 SOI막/석영 기판 계면 및 SOI막 속에 우발적으로 혼입된 금속 불순물을 실리콘막(12)의 표면 영역에 게터링한다. 그리고, 마지막으로, 열처리 후의 SOI 기판의 실리콘막(12)의 표면층(게터링층)을 제거하여 최종적인 SOI막(13)으로 하고, 반도체 기판(SOI 기판)을 얻는다.
석영 기판

6. 发明公开

KR1020080100160A ＳＯＩ 기판의 제조 방법 无效
标题翻译：制造SOI衬底的方法
公开(公告)号：KR1020080100160A
公开(公告)日：2008-11-14
申请号：KR1020087012517
申请日：2007-02-08
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 아키야마,쇼지 , 구보타요시히로 , 이토아츠오 , 가와이마코토 , 도비사카유우지 , 다나카고이치
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/2007 , H01L27/1203 , H01L27/1214 , H01L29/78603
摘要： A heating plate (32) having a smooth surface is placed on a hot plate (31) which constitutes a heating section, and the smooth surface of the heating plate (32) is adhered on the rear surface of a single crystal Si substrate (10) bonded to a transparent insulating substrate (20). The temperature of the heating plate (32) is kept at 200°C or higher but not higher than 350°C. When the rear surface of the single crystal Si substrate (10) bonded to the insulating substrate (20) is adhered on the heating plate (32), the single crystal Si substrate (10) is heated by thermal conduction, and a temperature difference is generated between the single crystal Si substrate and the transparent insulating substrate (20). Since the thermal expansion coefficient of silicon crystal is larger than that of a material used for the transparent insulating substrate, when the single crystal Si substrate (10) in the bonded status is heated from the rear surface, a large stress is generated between the both substrates due to rapid expansion of the single crystal Si substrate (10), and peeling is generated on a hydrogen ion implantation interface.
摘要翻译：将具有光滑表面的加热板（32）放置在构成加热部分的加热板（31）上，加热板（32）的光滑表面粘附在单晶Si基板（10 ）结合到透明绝缘基板（20）上。加热板（32）的温度保持在200℃以上且350℃以下。当结合到绝缘基板（20）上的单晶Si衬底（10）的后表面粘附在加热板（32）上时，通过热传导来加热单晶Si衬底（10），并且温度差在单晶Si衬底和透明绝缘衬底（20）之间产生。由于硅晶体的热膨胀系数大于用于透明绝缘基板的材料的热膨胀系数，所以当接合状态的单晶硅基板（10）从背面被加热时，两者之间产生大的应力由于单晶Si衬底（10）的快速膨胀而引起衬底，并且在氢离子注入界面上产生剥离。

7. 发明公开

KR1020080093968A 반도체 기판의 제조 방법 有权
标题翻译：制造半导体基板的方法
公开(公告)号：KR1020080093968A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：KR1020087012689
申请日：2007-02-08
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 아키야마,쇼지 , 구보타요시히로 , 이토아츠오 , 가와이마코토 , 도비사카유우지 , 다나카고이치
IPC分类号： H01L33/12
CPC分类号： H01L21/76254 , C30B33/04 , H01L21/265
摘要： A hydrogen ion is implanted into a nitride-based semiconductor crystal (10) provided on a first substrate (20) to form a hydrogen ion-implanted layer (13) within a low-dislocation density region (12). The nitride-based semiconductor crystal (10) is applied onto a second substrate (30). In this state, impact is externally applied to the assembly to separate the low-dislocation density region (12) in the nitride-based semiconductor crystal (10) along the hydrogen ion-implanted layer (13) and to transfer (separate) the low-dislocation density region (12) in its surface layer part (12b) onto the second substrate (30). In this case, The low-dislocation density region (12) in its lower layer part (12a)is not transferred onto the second substrate (30) but stays on the first substrate (20). The second substrate (30) onto which the surface layer part (12b) in the low-dislocation density region (12) has been transferred, is brought to a semiconductor substrate manufactured by the manufacturing process of the present invention, and the first substrate (20) in which the low-dislocation density region (12) in its lower layer part (12a) stays, is reutilized as a substrate for epitaxial growth.
摘要翻译：将氢离子注入到设置在第一衬底（20）上的氮化物基半导体晶体（10）中，以在低位错密度区域（12）内形成氢离子注入层（13）。将氮化物基半导体晶体（10）施加到第二基板（30）上。在这种状态下，外部对组件产生冲击以沿着氢离子注入层（13）分离氮化物基半导体晶体（10）中的低位错密度区域（12）并将（低分）在其表面层部分（12b）中的位于第二基板（30）上的位错密度区域（12）。在这种情况下，其下层部分（12a）中的低位错密度区域（12）不会转移到第二基板（30）上，而是停留在第一基板（20）上。将低位错密度区域（12）中的表面层部分（12b）转印到其上的第二基板（30）被带到通过本发明的制造工艺制造的半导体基板，并且第一基板 20），其中下层部分（12a）中的低位错密度区域（12）停留，作为用于外延生长的基板被再利用。

8. 发明授权

KR101339573B1 광전 변환 소자용 기판의 제조 방법 失效
标题翻译：光电转换元件制造基板的方法
公开(公告)号：KR101339573B1
公开(公告)日：2013-12-10
申请号：KR1020087012152
申请日：2007-03-12
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 아키야마,쇼지 , 구보타요시히로 , 이토아츠오 , 가와이마코토 , 도비사카유우지 , 다나카고이치
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L31/0687 , H01L31/1804 , H01L31/1892 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 실리콘 기판(100)의 표면에 벌크의 도전형과는 반대인 도전형인 실리콘층(10B)을 마련하고, 표면 영역의 정해진 깊이(L)에 실리콘층(10B)을 통해 수소 이온을 주입하여 수소 이온 주입층(11)을 형성한다. 계속해서, 실리콘층(10B)과 반대의 도전형인 n형의 게르마늄계 결정층(20A) 및 게르마늄계 결정층(20A)과 반대의 도전형인 p형의 게르마늄계 결정층(20B)을 순차적으로 기상 성장하여 게르마늄계 결정(20)을 형성한다. 게르마늄계 결정층(20B)의 표면과 지지 기판(30)의 표면을 접착시키고, 이 상태에서 외부로부터 충격을 부여하여 수소 이온 주입층(11)을 따라 실리콘 기판(100)으로부터 실리콘 결정(10)을 분리시켜 게르마늄계 결정(20)과 실리콘 결정(10)의 적층 구조체를 지지 기판(30) 상에 전사(박리)한다.
실리콘 기판

9. 发明公开

KR1020080109712A 마이크로칩 및 마이크로칩 제조용 ＳＯＩ 기판 有权
标题翻译：用于制造MICROCHIP的微型芯片和SOI基板
公开(公告)号：KR1020080109712A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：KR1020087012265
申请日：2007-03-12
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 아키야마,쇼지 , 구보타요시히로 , 이토아츠오 , 다나카고이치 , 가와이마코토 , 도비사카유우지
IPC分类号： C12M1/00 , G01N33/53 , G01N37/00 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/84
摘要： Hydrogen ions are implanted on the front plane of a single crystal Si substrate (10), and a hydrogen ion implanted layer is formed on the front layer of the single crystal Si substrate (10). The single crystal Si substrate (10) whereupon the hydrogen ion implanted layer (11) is formed is bonded with a quartz substrate (20) by performing plasma processing and ozone processing to each of the bonding planes for cleaning and activating the surfaces. Then, an impact force is applied to the bonded substrates, a silicon thin film is peeled from a single crystal Si bulk section (13) along the hydrogen ion implanted layer (11), and an SOI substrate having an SOI layer (12) is obtained on the quartz substrate (20). On the front plane of the quartz substrate (20) of the SOI substrate obtained in such manner, recesses such as a hole and a micro flow channel are formed, processing required for a DNA chip and a microfluidics chip is performed, and a silicon semiconductor element for analyzing and evaluating a sample adhered and held in the recess is formed on the SOI layer (12). ® KIPO & WIPO 2009
摘要翻译：在单晶Si衬底（10）的正面上注入氢离子，在单晶Si衬底（10）的前层形成氢离子注入层。通过对每个用于清洁和激活表面的接合平面进行等离子体处理和臭氧处理，形成氢离子注入层（11）的单晶Si衬底（10）与石英衬底（20）接合。然后，对接合的基板施加冲击力，沿着氢离子注入层（11）从单晶Si体部（13）剥离硅薄膜，具有SOI层（12）的SOI衬底为在石英基板（20）上获得。在以这种方式获得的SOI衬底的石英衬底（20）的正面上形成诸如空穴和微流动通道的凹槽，执行DNA芯片和微流体芯片所需的处理，并且硅半导体用于分析和评估粘附并保持在凹部中的样品的元件形成在SOI层（12）上。 ®KIPO＆WIPO 2009

10. 发明授权

KR100691668B1 유리 모재를 제조하는 장치 및 그 방법 失效
标题翻译：玻璃基材料制造设备和玻璃基材料制造方法
公开(公告)号：KR100691668B1
公开(公告)日：2007-03-12
申请号：KR1020060041200
申请日：2006-05-08
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 도비사카유우지 , 시마다다다카쓰 , 마치다히로시 , 와타나베마사타카 , 쓰무라히로시 , 히라사와히데오
IPC分类号： C03B37/018 , C03B37/00
CPC分类号： C03B37/0142 , C03B37/01406 , C03B37/0144 , C03B37/01486 , C03B2207/52 , C03B2207/60 , C03B2207/66 , C03B2207/70 , Y02P40/57
摘要： 본 발명에 따른 광섬유 유리 모재 제조 장치는 상기 유리 모재가 둘레를 따라 형성된 베이스 로드, 상기 유리 모재인 가스재를 상기 베이스 로드 둘레를 따라 가수 분해 및 퇴적하는 버너, 상기 버너를 상기 베이스 로드의 길이 방향과 평행인 방향으로 이동시키는 제1 버너-이동-유닛, 및 상기 제1 버너-이동-유닛의 이동방향과 동일한 방향으로 상기 제1 버너-이동-유닛을 이동시키는 제2 버너-이동-유닛을 포함한다.
유리 모재, 베이스 로드, 버너, 제1 버너-이동-유닛, 제2 버너-이동-유닛

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