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1. 发明授权

KR101897291B1 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101897291B1
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：KR1020120078195
申请日：2012-07-18
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 이찌까와,고지 , 야스에,다까히로
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/26 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041
摘要： 본발명은화학식 (I)로표시되는구조단위를갖는수지, 알칼리수용액에불용성또는난용성이지만산의작용에의해알칼리수용액에가용성이되며화학식 (I)로표시되는구조단위를포함하지않는수지, 및산발생제를갖는레지스트조성물에관한것이다.(식중, R, A, A, A, X, R, R, m' 및 n'는명세서에정의되어있음)

2. 发明授权

KR101897288B1 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101897288B1
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：KR1020120035937
申请日：2012-04-06
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 이찌까와,고지 , 야스에,다까히로 , 야마구찌,사또시
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0046 , G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/2041
摘要： 본발명의레지스트조성물은 (A) 알칼리수용액에불용성또는난용성이지만산의작용에의해알칼리수용액에가용성이되는수지, (B) 화학식 (II)로표시되는산발생제, 및 (D) 화학식 (I)로표시되는화합물을포함한다.(식중, R, R, m, n, Q, Q, L, 환 W및 Z는본 명세서에정의되어있음)

3. 发明授权

KR101897283B1 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101897283B1
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：KR1020120018903
申请日：2012-02-24
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 이찌까와,고지 , 야마구찌,사또시
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/30 , G03F7/38 , Y10S430/108 , Y10S430/111 , Y10S430/121 , Y10S430/122 , Y10S430/123
摘要： 본발명은우수한포커스마진(DOF)이며, 또한결함이적은레지스트패턴을얻을수 있는레지스트조성물을제공하는것을목적으로한다. 본발명은 (A1) 화학식 (I)로표시되는구조단위를갖는수지, (A2) 알칼리수용액에불용또는난용이고, 산의작용에의해알칼리수용액에용해될수 있는수지, 및 (B) 화학식 (II)로표시되는산 발생제를함유하는레지스트조성물을제공한다.[식에서, R은수소원자또는메틸기; A은알칸디일기; R는불소원자를갖는탄화수소기; Q및 Q는서로독립적으로불소원자또는퍼플루오로알킬기; L은 *-CO-O-L- 또는 *-CH-O-L-를나타내고, *는 -C(Q)(Q)-와의결합손을나타내고, L및 L는서로독립적으로 2가의포화탄화수소기를나타내며; 환 W은복소환; Z는유기양이온을나타냄]

4. 发明授权

KR101897281B1 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101897281B1
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：KR1020120018898
申请日：2012-02-24
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 이찌까와,고지 , 사까모또,히로무 , 무까이,유이찌
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/004 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/027 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/2041 , Y10S430/121
摘要： 본발명은우수한노광마진및 마스크에러팩터를가지며, 결함의발생이적은레지스트패턴을얻을수 있는레지스트조성물을제공하는것을목적으로한다. 본발명의레지스트조성물은화학식 (I)로표시되는구조단위를갖는수지, 알칼리수용액에불용또는난용이고, 산의작용에의해알칼리수용액에용해될수 있는수지, 산발생제, 화학식 (II1) 또는화학식 (II2)로표시되는화합물을함유한다.[식중, R은수소원자또는메틸기; A은알칸디일기; R는불소원자함유탄화수소기; R은알킬기, 지환식탄화수소기또는방향족탄화수소기를나타내고, 이들기는치환기를가질수도있고 ; X은단결합또는알칸디일기; X는 -O- 또는 -N(R)-, R는수소원자또는알킬기; R, R및 R는각각수소원자, 알킬기또는방향족탄화수소기를나타냄]

5. 发明授权

KR101865951B1 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101865951B1
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：KR1020120078187
申请日：2012-07-18
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 이찌까와,고지 , 히라오까,다까시 , 오찌아이,미쯔요시
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/26 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041
摘要： 화학식 (I)로표시되는구조단위를갖는수지, 알칼리수용액에불용성또는난용성이지만산의작용에의해알칼리수용액에가용성이되며, 화학식 (I)로표시되는구조단위를포함하지않는수지, 및화학식 (II)로표시되는산발생제를갖는레지스트조성물을제공한다.(식중, R, A, R, Q및 Q, L, 환 W, R및 R, n 및 Z는본 명세서에정의되어있음)

6. 发明授权

KR101844070B1 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 有权
标题翻译：抗蚀剂组合物和用于产生抗蚀剂图案的方法
公开(公告)号：KR101844070B1
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：KR1020110109072
申请日：2011-10-25
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 마스야마,다쯔로 , 야마모또,사또시 , 이찌까와,고지
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/2041 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397
摘要： 레지스트조성물은화학식 (aa)로표시되는구조단위및 화학식 (ab)로표시되는구조단위를갖는수지; 및산발생제를포함한다.(식중, R은수소원자및 메틸기를나타내고; A은치환될수도있는 C내지 C의알칸디일기등을나타내고; R는치환될수도있는 C내지 C의지방족탄화수소기를나타내고; R은수소원자및 메틸기를나타내고; A은단일결합, 치환될수도있는 C내지 C의알칸디일기등을나타내고; W은치환될수도있는 C내지 C의지환식탄화수소기를나타내고; n은 1 또는 2을나타내고; A는각 경우독립적으로치환될수도있는 C내지 C의지방족탄화수소기를나타내고; R는각 경우독립적으로 C내지 C의불소화알킬기를나타냄)
摘要翻译：该抗蚀剂组合物包含具有由式（aa）表示的结构单元和由式（ab）表示的结构单元的树脂; （其中R代表氢原子和甲基，A代表可被取代的C至C的链烷二基，R代表可被取代的C至C的脂族烃基，这里，代表甲基;一个eundan组合，doelsudo取代的C 1至C UIAL代表烷二基，例如; W表示C 1至C将环烃doelsudo取代; n表示1或2;如果独立地每一个上出现并且R独立地为C至C的氟化烷基，

7. 发明授权

KR101827574B1 염, 산 발생제 및 레지스트 조성물 有权
标题翻译：盐，酸发生剂和抗蚀剂组合物
公开(公告)号：KR101827574B1
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：KR1020110062723
申请日：2011-06-28
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 히라오까,다까시 , 사까모또,히로무 , 이찌까와,고지
IPC分类号： C07D211/46 , C07D211/44 , G03F7/004 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/0045 , C07D207/12 , C07D211/46 , C07D233/60 , C07D307/77 , C07D327/08 , G03F7/0046 , G03F7/0397
摘要： 본발명은화학식 (I)로표시되는염에관한것이다.[식중, R및 R는서로독립적으로불소원자또는탄소수 1 내지 6의퍼플루오로알킬기를나타내고; L은탄소수 1 내지 17의 2가의포화탄화수소기를나타내고, 상기포화탄화수소기에포함되는 -CH-는 -O- 또는 -CO-로치환될수도있고; 환 W은탄소수 2 내지 36의복소환을나타내고; R은수소원자또는탄소수 1 내지 12의탄화수소기를나타내고, 상기탄화수소기에포함되는 -CH-는 -O- 또는 -CO-로치환될수도있고; R는각각독립적으로탄소수 1 내지 6의탄화수소기를나타내고, 상기탄화수소기에포함되는 -CH-는 -O- 또는 -CO-로치환될수도있고; m은 0 내지 6의정수를나타내고; Z는유기양이온을나타냄]
摘要翻译：本发明涉及由式（I）表示的盐：其中R和R彼此独立地表示氟原子或具有1至6个碳原子的全氟烷基; L表示碳原子数1〜17的二价饱和烃基，饱和烃基中所含的-CH-可以被-O-或-CO-取代。表示环中的2至36个碳原子和环中的碳原子数; R表示氢原子或具有1至12个碳原子的烃基，并且该烃基中包含的-CH-可以是-O-或-CO-; 各R分别独立地表示碳原子数为1〜6的烃基，烃基中所含的-CH-可以为-O-或-CO-; m代表0至6的数; Z代表有机阳离子]

8. 发明授权

KR101787102B1 염, 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 有权
标题翻译：盐，抗蚀剂组合物和用于产生抗蚀剂图案的方法
公开(公告)号：KR101787102B1
公开(公告)日：2017-10-18
申请号：KR1020100130568
申请日：2010-12-20
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 시마다,마사히꼬 , 이찌까와,고지
IPC分类号： C07D205/12 , C07C381/12 , G03F7/004 , H01L21/027
摘要： 본발명의염을레지스트조성물에이용함으로써, 우수한해상도및 라인엣지러프니스를가지는패턴을얻는것을목적으로한다. 본발명은하기화학식 (I)로표시되는염에관한것이다.[식 (I) 중, Q및 Q는서로독립적으로불소원자또는 C내지 C퍼플루오로알킬기를나타내고, L은 2가의 C내지 C포화탄화수소기를나타내고, 상기 2가의포화탄화수소기에포함되는 -CH-는 -O- 또는 -CO-로치환될수 있고, W은 C내지 C의복소환을나타내고, 상기복소환에포함되는수소원자는할로겐원자, 수산기, C내지 C의탄화수소기, C내지 C의알콕시기, C내지 C의아실기또는 C내지 C의아실옥시기로치환될수 있고, 상기복소환에포함되는 -CH-는 -O-로치환될수 있으며, Z는유기상대이온을나타냄]
摘要翻译：本发明的目的是通过在抗蚀剂组合物中使用本发明的盐来获得具有优异分辨率和线边缘粗糙度的图案。本发明涉及由下式（I）表示的盐：其中Q和Q独立地表示氟原子或C至C全氟烷基，L表示二价C至C 表示的饱和烃，可包括-CH-与所述二价饱和烃环可以是-O-或-CO-罗奇，W表示C 1至C服装回顾，包括在杂环希望的卤原子，羟基，烃基C 1至C的，可以用烷氧基取代，C 1至C怀疑基或C 1至C怀疑-1,3-期间C至C，-CH-包含在杂环可以是-O-罗奇 Z代表有机抗衡离子。

9. 发明授权

KR101424248B1 착색 조성물 有权
标题翻译：着色组合物
公开(公告)号：KR101424248B1
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：KR1020060018135
申请日：2006-02-24
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 이찌까와,고지
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/028
摘要： (A) 염료, (B) 고분자 화합물 및 (E) 용매를 포함하며, 상기 염료 (A)는 용매 (E)에 용해된 고분자 화합물 (B)로 처리된 염료 분산액인 착색 조성물에 관한 것이다.
착색 감광성 수지 조성물, 화상 센서, 색 필터

10. 发明公开

KR1020120098473A 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：耐蚀组合物及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120098473A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：KR1020120018893
申请日：2012-02-24
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 이찌까와,고지 , 야스에,다까히로 , 가마부찌,아끼라
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/027 , G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/2041 , G03F7/0046 , G03F7/0047 , G03F7/26
摘要： PURPOSE: A resist composition and a method for manufacturing resist patterns using the same are provided to sufficiently widen the focus margin of the resist patterns. CONSTITUTION: A resist composition includes a resin with a structural unit represented by chemical formula I, an acid generator, and a compound represented by chemical formula II. In chemical formula I, R1 is a hydrogen atom, a halogen atom, or a C1-6 alkyl group with/without one or more halogen atoms; X1 is a C2-36 heterocyclic group, and one or more hydrogen atoms in the heterocyclic group is substitutable with a halogen atom, a hydroxyl group, a C1-24 hydrocarbon group, a C1-C12 alkoxy group, a C2-4 acyl group, or a C2-4 acyloxy group. In chemical formula II, R3 and R4 are respectively C1-12 hydrocarbon groups, C1-6 alkoxy groups, C2-7 acyl groups, C2-7 acyloxy groups, C2-7 alkoxycarbonyl groups, nitro groups, or halogen atoms; and m and n are respectively the integer of 0 to 4.
摘要翻译：目的：提供抗蚀剂组合物和使用其制造抗蚀剂图案的方法，以充分加宽抗蚀剂图案的聚焦边缘。构成：抗蚀剂组合物包括具有由化学式I表示的结构单元的树脂，酸产生剂和由化学式II表示的化合物。在化学式I中，R 1为氢原子，卤素原子或具有或不具有一个或多个卤素原子的C 1-6烷基; X1是C2-36杂环基，杂环基中的一个或多个氢原子可以与卤素原子，羟基，C1-24烃基，C1-C12烷氧基，C2-4酰基取代，或C 2-4的酰氧基。在化学式II中，R3和R4分别为C1-12烃基，C1-6烷氧基，C2-7酰基，C2-7酰氧基，C2-7烷氧基羰基，硝基或卤素原子; m和n分别为0〜4的整数。

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