基本信息:
- 专利标题： 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법
- 专利标题（英）：KR101897288B1 - Resist composition and method for producing resist pattern
- 申请号：KR1020120035937 申请日：2012-04-06
- 公开(公告)号：KR101897288B1 公开(公告)日：2018-09-11
- 发明人： 이찌까와,고지 , 야스에,다까히로 , 야마구찌,사또시
- 申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
- 申请人地址： **-*, Shinkawa *-chome, Chuo-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： **-*, Shinkawa *-chome, Chuo-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 장수길; 이석재
- 优先权： JPJP-P-2011-085016 2011-04-07
- 主分类号： G03F7/038
- IPC分类号： G03F7/038 ; G03F7/004
摘要：
본발명의레지스트조성물은 (A) 알칼리수용액에불용성또는난용성이지만산의작용에의해알칼리수용액에가용성이되는수지, (B) 화학식 (II)로표시되는산발생제, 및 (D) 화학식 (I)로표시되는화합물을포함한다.(식중, R, R, m, n, Q, Q, L, 환 W및 Z는본 명세서에정의되어있음)
摘要（英）：
The resist composition of the present invention (A) but insoluble or poorly soluble in an alkaline aqueous solution of a resin which is soluble in an aqueous alkali solution by the action of an acid, (B) an acid generator, and (D) represented by the general formula (II) formula ( It includes compounds represented by I).
(In the
formula, R 1, R 2, m , n, Q 1, Q 2, L 1, ring W
1 and Z
+ is as defined herein)
公开/授权文献:
- KR1020120115137A 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 公开/授权日：2012-10-17