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1. 发明授权

KR101853365B1 기판 처리 장치 有权
公开(公告)号：KR101853365B1
公开(公告)日：2018-05-02
申请号：KR1020160083456
申请日：2016-07-01
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 이학주 , 이승표 , 김정동 , 김형준
IPC分类号： H01L21/02 , H01J37/32 , H05H1/46 , H01L21/683 , H01L21/3065
摘要： 본발명은기판처리장치에관한것으로, 보다상세하게는플라즈마를이용한기판처리장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른기판처리장치는내부에처리공간을가지는챔버; 상기챔버내에배치되며기판을지지하는지지유닛; 상기처리공간내로가스를공급하는가스공급유닛; 상기챔버의상부에제공되며, 고주파전력이인가되어상기처리공간내에서상기가스로부터플라즈마를발생시키는안테나유닛을포함하되; 상기안테나유닛은수평방향으로이동가능하도록상기챔버에결합될수 있다.

2. 发明公开

KR1020150025575A 기판처리장치 审中-实审
标题翻译：用于处理基板的装置
公开(公告)号：KR1020150025575A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：KR1020130103225
申请日：2013-08-29
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 김형준 , 이승표
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205
摘要： 본 발명은 배플에 형성된 관통홀들 중 일부를 차단하여 공정가스의 흐름을 조절한다. 이로 인해 기판의 전체 영역으로 공정가스를 균일하게 공급할 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种基板处理装置。根据本发明的基板处理装置通过阻挡形成在挡板上的部分通孔来控制处理气体流动。由此，在基板的整个区域均匀地供给处理气体。基板处理装置包括提供第一处理空间的第一室，提供第二处理空间的第二室，基板支撑构件，气体供给构件和排气组件。

3. 发明授权

KR101395229B1 기판 처리 장치 有权
标题翻译：基板处理设备
公开(公告)号：KR101395229B1
公开(公告)日：2014-05-15
申请号：KR1020120156272
申请日：2012-12-28
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 김형준 , 이승표
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 챔버 내에 배치되며 기판을 지지하는 지지 부재, 상기 챔버 내로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 챔버 내로 공급되는 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스, 상기 공정 챔버 내에서 상기 지지 부재를 감싸도록 배치되며, 상기 처리 공간 내 가스를 배기하는 관통홀들이 형성된 배플 및 상기 챔버 내부로부터 전자기장이 상기 챔버 외부로 유출되는 것을 방지하는 차폐 유닛을 포함한다.
摘要翻译：基板处理设备技术领域本发明涉及一种基板处理设备，并且更具体地涉及一种使用等离子体处理基板的设备。

4. 发明公开

KR1020140042624A 기판 처리 장치 有权
标题翻译：用于处理基板的装置
公开(公告)号：KR1020140042624A
公开(公告)日：2014-04-07
申请号：KR1020120156272
申请日：2012-12-28
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 김형준 , 이승표
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32651 , H01J2237/0266
摘要： The present invention relates to an apparatus for treating substrate. More particularly, the present invention relates to an apparatus for treating substrate using plasma. an apparatus for treating a substrate according to the embodiment of the present invention includes a chamber having an inner process space, a support member which is arranged in the chamber and supports the substrate, a gas supply unit which supplies a gas to the chamber, a plasma source which generates plasma from the gas supplied from the chamber, a baffle which surrounds the support member in the process chamber and has through holes for discharging the gas in the process space, and a shield unit which prevents an electric field from being leaked from the inner part of the chamber to the outer part of the chamber.
摘要翻译：本发明涉及一种处理基板的设备。更具体地说，本发明涉及使用等离子体处理衬底的设备。根据本发明的实施例的用于处理基板的设备包括具有内部处理空间的腔室，布置在腔室中并支撑衬底的支撑构件，向腔室供应气体的气体供应单元，从室供给的气体产生等离子体的等离子体源，围绕处理室中的支撑构件并具有用于排出处理空间中的气体的通孔的挡板以及防止电场从电场泄漏的屏蔽单元室的内部部分到室的外部。

5. 发明授权

KR101966806B1 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
公开(公告)号：KR101966806B1
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：KR1020170111604
申请日：2017-09-01
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 이승표 , 김형준
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065

6. 发明公开

KR1020160118080A 검출 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 검출 방법 审中-实审
标题翻译：检测单元基板处理装置及其检测方法
公开(公告)号：KR1020160118080A
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：KR1020150046379
申请日：2015-04-01
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 이승표 , 김형준
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/66 , H01L21/683 , H01L21/205 , H01L21/02
摘要： 본발명은기판처리장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른기판처리장치는, 챔버, 지지유닛, 가스공급유닛, 플라스마소스및 검출유닛등을포함한다. 검출유닛은커패시터가제공된제 1 검출부재를이용해챔버의처리공간에서발생되는반응부산물의양에따라변화되는커패시터의정전용량을측정하거나, 배플이제공된제 2 검출부재를이용해반응부산물의양에따라변화되는배플의진동수를측정하여챔버의처리공간내의반응부산물의상태를검출할수 있다.

7. 发明公开

KR1020160110904A 기판 처리 장치 审中-实审
标题翻译：用于处理基板的装置
公开(公告)号：KR1020160110904A
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：KR1020160083456
申请日：2016-07-01
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 이학주 , 이승표 , 김정동 , 김형준
IPC分类号： H01L21/02 , H01J37/32 , H05H1/46 , H01L21/683 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/02315 , H01J37/321 , H01L21/02274 , H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
摘要： 본발명은기판처리장치에관한것으로, 보다상세하게는플라즈마를이용한기판처리장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른기판처리장치는내부에처리공간을가지는챔버; 상기챔버내에배치되며기판을지지하는지지유닛; 상기처리공간내로가스를공급하는가스공급유닛; 상기챔버의상부에제공되며, 고주파전력이인가되어상기처리공간내에서상기가스로부터플라즈마를발생시키는안테나유닛을포함하되; 상기안테나유닛은수평방향으로이동가능하도록상기챔버에결합될수 있다.
摘要翻译：本发明涉及基板处理装置，更具体地说，涉及使用等离子体的基板处理装置。根据本发明的实施例，基板处理装置包括：其中具有处理空间的室; 设置在所述腔室内以支撑衬底的支撑单元; 气体供给单元，其向处理空间供给气体; 以及天线单元，其设置在所述室的上部，并且接收高频电力以从所述处理室内的气体产生等离子体。天线单元可以耦合到腔室以在水平方向上移动。

8. 发明授权

KR101408790B1 기판 처리 장치 有权
标题翻译：用于处理基材的设备
公开(公告)号：KR101408790B1
公开(公告)日：2014-06-19
申请号：KR1020120154514
申请日：2012-12-27
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 김형준 , 이승표 , 우형제
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 하우징, 상기 하우징 내에 배치되며 기판을 지지하는 지지 부재, 상기 하우징 내로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 하우징 내로 공급되는 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스 및 상기 하우징 내에서 상기 지지 부재를 감싸도록 배치되며, 상기 처리 공간 내 가스를 배기하는 관통홀들이 형성된 배플을 가지는 배플 유닛을 포함하되, 상기 배플은 상부에서 바라볼 때 복수개의 영역으로 구분되고, 상기 복수개의 영역 중 일부는 금속 재질로 제공되고, 다른 일부는 비금속 재질로 제공된다.

9. 发明公开

KR1020140017414A 기판 처리 장치 有权
标题翻译：用于处理基板的装置
公开(公告)号：KR1020140017414A
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：KR1020120154514
申请日：2012-12-27
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 김형준 , 이승표 , 우형제
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32633
摘要： The present invention relates to a substrate processing apparatus and more specifically, to a substrate processing apparatus by using plasma. The substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a housing having a process space in the inside; a support member arranged inside the housing and for supporting the substrate; a gas supply unit for supplying gas to the inner part of the housing; and a baffle unit arranged to cover a plasma source generating plasma from the gas supplied to the inner part of the housing and the support member inside the housing and having baffles in which through-holes are formed to discharge the gas inside the process space. The baffle is divided into a plurality of regions when it is looked at the top. One part of the regions is provided to a metallic material. The other part is provided to a non-metallic material.
摘要翻译：本发明涉及基板处理装置，更具体地，涉及使用等离子体的基板处理装置。根据本发明的实施例的基板处理装置包括：壳体，其在内部具有处理空间; 支撑构件，其布置在所述壳体内并用于支撑所述基板; 气体供给单元，用于向壳体的内部供给气体; 以及挡板单元，其布置成覆盖从供应到壳体的内部的气体和壳体内的支撑构件产生等离子体的等离子体源，并且具有挡板，其中形成有通孔以排出处理空间内的气体。当它看在顶部时，挡板被分成多个区域。一部分区域被提供给金属材料。另一部分被提供给非金属材料。

10. 发明授权

KR102171514B1 기판처리장치 有权
公开(公告)号：KR102171514B1
公开(公告)日：2020-10-29
申请号：KR1020130103225
申请日：2013-08-29
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 김형준 , 이승표
IPC分类号： H01L21/67 , H01J37/32

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