基本信息:
- 专利标题： 기판 처리 장치
- 专利标题（英）：Apparatus for treating substrate
- 专利标题（中）：基板处理设备
- 申请号：KR1020120156272 申请日：2012-12-28
- 公开(公告)号：KR101395229B1 公开(公告)日：2014-05-15
- 发明人： 김형준 , 이승표
- 申请人： 세메스 주식회사
- 申请人地址： **, *sandan *-gil, Jiksan-eup, Seobuk-gu, Cheonan-si, Chungcheongnam-do, Korea
- 专利权人： 세메스 주식회사
- 当前专利权人： 세메스 주식회사
- 当前专利权人地址： **, *sandan *-gil, Jiksan-eup, Seobuk-gu, Cheonan-si, Chungcheongnam-do, Korea
- 代理人： 권혁수; 오세준; 송윤호
- 优先权： KR1020120108998 2012-09-28
- 主分类号： H01L21/3065
- IPC分类号： H01L21/3065
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 챔버 내에 배치되며 기판을 지지하는 지지 부재, 상기 챔버 내로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 챔버 내로 공급되는 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스, 상기 공정 챔버 내에서 상기 지지 부재를 감싸도록 배치되며, 상기 처리 공간 내 가스를 배기하는 관통홀들이 형성된 배플 및 상기 챔버 내부로부터 전자기장이 상기 챔버 외부로 유출되는 것을 방지하는 차폐 유닛을 포함한다.
The present invention relates to a device for handling and, more particularly, to a substrate using the plasma relates to a substrate processing apparatus.
The substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, disposed within the chamber, the chamber having a processing space therein, and the support member, the gas supplied into the gas supply unit, the chamber for supplying gas into the chamber for supporting a substrate from being arranged so as to surround the support member in the plasma source, the process chamber to generate plasma, thereby preventing the electromagnetic field from the baffle and the chamber formed are through holes for exhausting the gas in the processing space is discharged to the outside the chamber, It includes a shielding unit.
公开/授权文献:
- KR1020140042624A 기판 처리 장치 公开/授权日：2014-04-07
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/3065 | .......等离子腐蚀；活性离子腐蚀 |