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1. 发明公开

KR1020130081749A 반도체 소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130081749A
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：KR1020120002726
申请日：2012-01-10
申请人： 서울대학교산학협력단 , 국민대학교산학협력단
发明人： 주영창 , 연한울 , 이영주 , 이재갑 , 이치영 , 한정석
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/28556 , H01L21/288 , H01L21/76877 , H01L21/76898
摘要： PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to secure an even step coverage property by using a self-assembled monolayer. CONSTITUTION: A barrier layer (120) comprises a Mercapto Propyl Tri Methoxy Silane (MPTMS). The barrier layer comprises a monomolecular film. The MPTMS is formed on a substructure (110). A conductive layer (130) is formed on the barrier layer. The conductive layer comprises a copper.
摘要翻译：目的：提供一种半导体器件及其制造方法，以通过使用自组装单层来确保均匀阶梯覆盖性。构成：阻挡层（120）包含巯基丙基三甲氧基硅烷（MPTMS）。阻挡层包含单分子膜。 MPTMS形成在子结构（110）上。导电层（130）形成在阻挡层上。导电层包括铜。

2. 发明授权

KR101326711B1 반도체 소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101326711B1
公开(公告)日：2013-11-08
申请号：KR1020120002726
申请日：2012-01-10
申请人： 서울대학교산학협력단 , 국민대학교산학협력단
发明人： 주영창 , 연한울 , 이영주 , 이재갑 , 이치영 , 한정석
IPC分类号： H01L21/31
摘要： 본 발명은 신뢰성이 향상된 반도체 소자 및 그 제조방법을 위하여, 하부 구조체, 하부 구조체 상에 형성된 MPTMS(mercaptopropyltrimethoxysilane)를 포함하는 장벽층, 장벽층 상에 형성된 도전층을 포함하는, 반도체 소자 및 그 제조방법이 제공된다.
摘要翻译：对于可靠性，本发明是改进的半导体器件及其制造方法，所述下部结构的方法，其包括形成在其下的结构，包括形成在所述阻挡层中，半导体器件及其制造的方法上的导电层的MPTMS（巯基丙基）的势垒层等等。

3. 发明公开

KR1020140108809A 다층박막에 의해 형성된 팽창 흡수막을 이용한 반도체 소자의 금속 배선 제작 방법 有权
标题翻译：半导体器件金属线的制造方法使用层间薄膜形成的扩展吸收膜
公开(公告)号：KR1020140108809A
公开(公告)日：2014-09-15
申请号：KR1020130022267
申请日：2013-02-28
申请人： 국민대학교산학협력단
发明人： 이재갑 , 한정석 , 정대균
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/312
CPC分类号： H01L21/76831 , H01L21/76822 , H01L21/76832
摘要： The present invention relates to a method for manufacturing a metal line using an expansive absorbing film formed by multi-layered thin films, comprising a step for preparing a base material where a pattern is formed; a step for arranging one or more layers of an organic matter layer on the base material where the pattern is formed; and a step for filling inside the pattern of the base material by absorbing metal on the organic matter layer.
摘要翻译：本发明涉及一种使用由多层薄膜形成的膨胀吸收膜制造金属线的方法，包括制备形成图案的基材的步骤; 在形成图案的基材上排列一层或多层有机物层的工序; 以及通过在有机物层上吸收金属填充基材的图案内的步骤。

4. 发明公开

KR1020130030478A 반도체소자 및 그 형성 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其形成方法
公开(公告)号：KR1020130030478A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：KR1020110093980
申请日：2011-09-19
申请人： 국민대학교산학협력단
发明人： 이재갑 , 이치영 , 한정석
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768
摘要： PURPOSE: A semiconductor device and a forming method thereof are provided to improve reliability by forming a diffusion preventing layer using a self-assembled monolayer. CONSTITUTION: A self-assembled monolayer(110) is formed on a semiconductor substrate and is made of a mixture. The mixture includes thiol group in one side thereof and one of carboxyl group, carbonyl group, and hydroxyl group in the other side thereof. A metal layer(120) is formed on the self-assembled monolayer.
摘要翻译：目的：提供半导体器件及其形成方法，以通过使用自组装单层形成扩散防止层来提高可靠性。构成：在半导体衬底上形成自组装单层（110）并由混合物制成。该混合物在其一侧包含硫醇基团，另一侧包含羧基，羰基和羟基中的一个。金属层（120）形成在自组装单层上。

5. 发明授权

KR101567888B1 다층박막에 의해 형성된 팽창 흡수막을 이용한 반도체 소자의 금속 배선 제작 방법 有权
标题翻译：半导体器件金属线的制造方法使用层间薄膜形成的扩展吸收膜
公开(公告)号：KR101567888B1
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：KR1020130022267
申请日：2013-02-28
申请人： 국민대학교산학협력단
发明人： 이재갑 , 한정석 , 정대균
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/312
摘要： 본원은, 다층박막에의해형성된팽창흡수막을이용한금속배선제작방법에관한것으로, 패턴이형성된기재를준비하는단계; 상기패턴이형성된기재에한 층이상의유기물층을적층하는단계; 및, 상기유기물층에금속을흡착시켜상기기재의패턴내부를충진하는단계를포함한다.

6. 发明授权

KR101268458B1 반도체소자 및 그 형성 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其形成方法
公开(公告)号：KR101268458B1
公开(公告)日：2013-06-04
申请号：KR1020110093980
申请日：2011-09-19
申请人： 국민대학교산학협력단
发明人： 이재갑 , 이치영 , 한정석
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768
摘要： 본 발명은 자기조립단분자막(self-assembled monolayers, SAMs)을 이용하여 금속소재와의 강한결합을 형성하고, 기존의 확산 방지막에 비해 두께가 얇은 것은 물론 신뢰성이 향상된 반도체 소자와 확산 방지막의 형성을 위하여, 반도체 기판을 제공하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 일단에는 티올(thiol)기를 포함하고, 타단에는 작용기로서 카르복실(carboxyl)기, 카르보닐(carbonyl)기 및 수산기(hydroxyl)기 중 어느 하나를 포함하는 혼합물로 이루어지는, 자기조립단분자막을 형성하는 단계; 및 상기 자기조립단분자막 상에 금속층을 형성하는 단계;를 포함하는, 반도체소자의 형성 방법을 제공한다.
摘要翻译：用于膜的自组装单层（自组装单层，自组装膜）来使用，以形成与所述金属材料强键的形成本发明中，它有一个厚度比传统的扩散阻挡更薄以及可靠性提高半导体元件和所述扩散提供半导体衬底; 其中半导体衬底包括一端的硫醇基和另一端的羧基，羰基和羟基作为官能团的混合物，形成单分子膜; 并在自组装单分子层上形成金属层。

7. 发明授权

KR101349976B1 나노입자로 조립된 3차원 구조물을 이용한 광학소자 有权
标题翻译：用于三维纳米结构的光学器件
公开(公告)号：KR101349976B1
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：KR1020120076887
申请日：2012-07-13
申请人： 서울대학교산학협력단 , 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단
发明人： 정기남 , 한정석 , 피키트사페트로 , 최호섭 , 하경연 , 노승렬 , 김웅식 , 최만수
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00 , C23C14/32
CPC分类号： B82B1/008 , B82B3/0019 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C14/04 , C23C14/16 , C23C14/32 , H01L31/02366 , Y02E10/50 , Y10T428/24909
摘要： The present invention relates to a method for manufacturing a nanoparticle structure by a focused patterning and to a nanoparticle structure obtained by the method. The method of the present invention comprises the steps of: primarily accumulating ions generated by corona discharge on a substrate in which micro/nano patterns are formed; inducing electrically charged nanoparticles and ions generated by spark discharge to the micro/nano patterns of the substrate; and depositing on the micro/nano pattern. According to the present invention, the complex structured three dimensional shaped deliberate nanoparticle structure can be efficiently manufactured.
摘要翻译：本发明涉及通过聚焦图案化制造纳米颗粒结构的方法和通过该方法获得的纳米颗粒结构。本发明的方法包括以下步骤：主要在形成微/纳米图案的基片上积聚由电晕放电产生的离子; 将带电荷的纳米粒子和通过火花放电产生的离子诱导到衬底的微/纳米图案; 并沉积在微/纳米图案上。根据本发明，可以有效地制造复杂结构的三维形状的有意纳米颗粒结构。

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