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1. 发明公开

KR1020100039170A 가시광선 이미지와 원적외선 이미지를 광학적으로 융합하는장치 有权
标题翻译：用于组合可见图像和红外图像的装置光学
公开(公告)号：KR1020100039170A
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：KR1020080098409
申请日：2008-10-07
申请人： 삼성전자주식회사 , 한국과학기술원
发明人： 오현화 , 황치호 , 이희철 , 이성덕 , 이용수 , 최원희 , 권일웅 , 손혁준
IPC分类号： H04N5/238 , G03B7/00 , H04N5/225
CPC分类号： H04N9/045
摘要： PURPOSE: An apparatus for optically combining visible light images and far-infrared images is provided to remove a fusion process of using a DSP(digital signal processor). CONSTITUTION: An apparatus for optically combining visible light images and far-infrared images comprises the following: an inner light source(207) radiating a light in a wavelength band which can be detected by an image sensor(203); a splitter(201) dividing the light radiated from a subject into visible rays and far infrared rays; and a micro cantilever(206) detecting the far infrared rays divided from the splitter to reflect the light from the inner light source to the image sensor while including a far infrared receptor, a bimetal, and a reflecting plate.
摘要翻译：目的：提供用于光学组合可见光图像和远红外图像的装置，以去除使用DSP（数字信号处理器）的融合处理。一种用于光学地组合可见光图像和远红外图像的装置包括：照射可由图像传感器（203）检测的波长带中的光的内部光源（207）; 将从被检体照射的光分割为可见光和远红外线的分割器（201）以及微型悬臂（206），其检测从分离器分离的远红外线，以将来自内部光源的光反射到图像传感器，同时包括远红外线接收器，双金属片和反射板。

2. 发明授权

KR101441589B1 가시광선 이미지와 원적외선 이미지를 광학적으로 융합하는장치 有权
标题翻译：用于将可视图像和远红外图像光学组合的装置
公开(公告)号：KR101441589B1
公开(公告)日：2014-09-29
申请号：KR1020080098409
申请日：2008-10-07
申请人： 삼성전자주식회사 , 한국과학기술원
发明人： 오현화 , 황치호 , 이희철 , 이성덕 , 이용수 , 최원희 , 권일웅 , 손혁준
IPC分类号： H04N5/238 , G03B7/00 , H04N5/225
CPC分类号： H04N9/045
摘要： 본 발명은 이미지 센서 장치에 관한 것으로, 특히 가시광선 이미지와 원적외선 이미지를 별도의 신호처리과정 없이 광학적으로 융합하는 장치에 관한 것이다. 일 예로써, 이미지 센서가 감지할 수 있는 빛을 내부에서 방출하고, 피사체로부터 원적외선이 감지된 경우에만 위 빛을 반사하여 이미지 센서로 전달함으로써 원적외선 정보를 이미지 센서가 감지할 수 있는 정보로 변환하는 것이 가능하다.
이미지 센서, 가시광선, 원적외선, 캔틸레버, 바이메탈

3. 发明公开

KR1020080093766A 마이크로 전자기계 시스템(ＭＥＭＳ) 액츄에이터 및 이를이용한 응용 소자 无效
标题翻译：微电机机械系统执行机构及其各种适用装置
公开(公告)号：KR1020080093766A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：KR1020070037957
申请日：2007-04-18
申请人： 한국과학기술원
发明人： 윤준보 , 윤영준 , 이형석 , 권일웅 , 이희철
IPC分类号： B81B7/02 , B81B7/00
CPC分类号： B81B7/02 , B81B3/0018 , B81B7/008 , H01H2001/0052
摘要： A MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) actuator and an application device using the same are provided to reduce resistance compositions due to the arrangement of electric wiring by driving third conductive layers using electric field distribution. A MEMS actuator comprises insulation substrates(210), first conductive layers(220) formed on the insulation substrates, second conductive layers(230) separated from the first conductive layers, third conductive layers(240), and power units(260). The third conductive layers are separated from the first and second conductive layers. The power units apply a voltage to the first and second conductive layers. The first and second conductive layers have different areas.
摘要翻译：提供了一种MEMS（微电子机械系统）致动器及其应用装置，以通过使用电场分布驱动第三导电层来减少由于布线而导致的电阻成分。 MEMS致动器包括绝缘基板（210），形成在绝缘基板上的第一导电层（220），与第一导电层分离的第二导电层（230），第三导电层（240）和功率单元（260）。第三导电层与第一和第二导电层分离。功率单元向第一和第二导电层施加电压。第一和第二导电层具有不同的区域。

4. 发明公开

KR1020060094288A 빔 구조를 이용한 에스오엔 모스 트랜지스터 및 이를 이용한 인버터 소자 및 이들의 제조 방법 失效
标题翻译：使用光束结构的SON MOSFET及其使用的逆变器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060094288A
公开(公告)日：2006-08-29
申请号：KR1020050015337
申请日：2005-02-24
申请人： 한국과학기술원
发明人： 권일웅 , 이용수 , 이희철
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66772 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/78654
摘要： 본 발명은 반도체 소자 중 모스 트랜지스터의 성능을 향상시키기 위한 빔(beam) 구조의 SON(Silicon-On-Nothing) 모스 트랜지스터 및 이를 이용한 인버터 소자 및 이들의 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명의 SON 모스 트랜지스터는 반도체 기판 상에 패시베이션막을 형성하고 패터닝을 하는 단계; 패터닝된 패시베이션막 위에 붕소(boron)를 주입하여 붕소층을 형성한 다음, 붕소층을 식각 장벽으로 비등방성 식각을 하여 반도체 기판에 빔 구조를 형성하는 단계; 빔 구조로 형성된 기판에 게이트 절연물질을 증착하는 단계; 증착된 게이트 절연물질 상에 전극 물질을 증착하여 게이트/소오스/드레인 채널을 형성하는 단계를 포함하여 제조된다.
제조시, 기판의 빔구조에 의해 게이트 절연물질 및 게이트/소오스/드레인의 전극 물질은 자기 정렬(Self-Align) 방식으로 증착되므로 비교적 간단한 공정으로 모스 트랜지스터를 구현할 수 있으며, 게이트와 드레인 사이의 공기층을 통해 소자의 채널 길이가 작아지면서 발생하는 단채널 효과를 현저히 줄일 수 있는 효과가 있다.
SON(Silicon-On-Nothing)구조, 모스 트랜지스터, 비등방성 식각, 벌크마이크 로머시닝(Bulkmicromachining), 자기정렬(Self-Align), 단채널 효과

5. 发明授权

KR101181248B1 자기 보호 특성을 갖는 적외선 볼로미터 有权
标题翻译：自保红宝石
公开(公告)号：KR101181248B1
公开(公告)日：2012-09-11
申请号：KR1020110072787
申请日：2011-07-22
申请人： 한국과학기술원
发明人： 이희철 , 조영민 , 권일웅
IPC分类号： G01J5/02
摘要： PURPOSE: An infrared bolometer having a self protection property is provided to solve an afterimage problem occurred when using an infrared bolometer by preventing electric properties of a resistor from being changed in high temperatures. CONSTITUTION: An infrared bolometer comprises an upper substrate(10), a lower substrate(20), a signal bridge(30), and a heat transmitting bridge(40). The upper substrate comprises a resistant in which a resistance is changed according to temperature and an absorption layer absorbing the infrared rays. The lower substrate is spaced from the upper substrate and receives signals according to a change of the resistance of the resistant. The signal bridge mechanically or electrically connects the upper and lower substrate, thereby transmitting the signals to the lower substrate. The heat transmitting bride is connected to the upper substrate and automatically bent according to a temperature change.
摘要翻译：目的：提供一种具有自我保护特性的红外测辐射热量计，以解决当使用红外测辐射热计时，通过防止电阻在高温下的电特性而发生的残像问题。构成：红外测辐射热计包括上基板（10），下基板（20），信号桥（30）和传热桥（40）。上基板包括其中电阻根据温度改变的电阻和吸收红外线的吸收层。下基板与上基板间隔开，并根据电阻电阻的变化接收信号。信号桥机械或电连接上基板和下基板，从而将信号传输到下基板。传热新娘与上基板连接，并根据温度变化自动弯曲。

6. 发明授权

KR100805756B1 트렌스듀서와 이를 이용한 응용 소자 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：传感器及其各种适用的装置及其制造方法
公开(公告)号：KR100805756B1
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：KR1020060078936
申请日：2006-08-21
申请人： 한국과학기술원
发明人： 권일웅 , 황치호 , 김태식 , 이용수 , 이희철
IPC分类号： H01L31/10 , H01P1/161
CPC分类号： H01L31/101 , H01L31/18
摘要： A transducer, an application device using the same and a manufacturing method thereof are provided to isolate an absorbent from a substrate thermally by separating a driving unit from a signal unit. First and second conductive layers(120,130) are formed on a substrate(110), and are spaced apart from each other. An absorbent(140) is formed on the first and second conductive layers at a predetermined interval, and is electrically floated. A driving unit(150) supports the absorbent to adjust the interval of the absorbent, and has a bimaterial member. One end of the driving unit is connected to the absorbent, and the other end is connected to the substrate. The first and second conductive layers are connected to each other by a circuit.
摘要翻译：提供换能器，使用该换能器的应用装置及其制造方法，通过将驱动单元与信号单元分离来将吸收剂与基板热隔离。第一和第二导电层（120,130）形成在基板（110）上并且彼此间隔开。吸收剂（140）以预定的间隔形成在第一和第二导电层上，并且被电漂浮。驱动单元（150）支撑吸收剂以调节吸收剂的间隔，并且具有双重材料构件。驱动单元的一端与吸收体连接，另一端与基板连接。第一和第二导电层通过电路彼此连接。

7. 发明授权

KR100674142B1 빔 구조를 이용한 에스오엔 모스 트랜지스터 및 이를 이용한 인버터 소자 및 이들의 제조 방법 失效
标题翻译：使用光束结构的SON MOSFET及其逆变器及其制造方法
公开(公告)号：KR100674142B1
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：KR1020050015337
申请日：2005-02-24
申请人： 한국과학기술원
发明人： 권일웅 , 이용수 , 이희철
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66772 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/78654
摘要： 본 발명은 반도체 소자 중 모스 트랜지스터의 성능을 향상시키기 위한 빔(beam) 구조의 SON(Silicon-On-Nothing) 모스 트랜지스터 및 이를 이용한 인버터 소자 및 이들의 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명의 SON 모스 트랜지스터는 반도체 기판 상에 패시베이션막을 형성하고 패터닝을 하는 단계; 패터닝된 패시베이션막 위에 붕소(boron)를 주입하여 붕소층을 형성한 다음, 붕소층을 식각 장벽으로 비등방성 식각을 하여 반도체 기판에 빔 구조를 형성하는 단계; 빔 구조로 형성된 기판에 게이트 절연물질을 증착하는 단계; 증착된 게이트 절연물질 상에 전극물질을 증착하여 게이트/소오스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하여 제조된다.
제조시, 기판의 빔구조에 의해 게이트 절연물질 및 게이트/소오스/드레인의 전극물질은 자기 정렬(Self-Align) 방식으로 증착되므로 비교적 간단한 공정으로 모스 트랜지스터를 구현할 수 있으며, 게이트와 드레인 사이의 공기층을 통해 소자의 채널 길이가 작아지면서 발생하는 단채널 효과를 현저히 줄일 수 있는 효과가 있다.
SON(Silicon-On-Nothing)구조, 트랜지스터, 비등방성 식각, 벌크-마이크로머시닝(Bulk-Micromachining), 자기정렬(Self-Align), 단 채널 효과

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