基本信息:
- 专利标题: 결정질 산화 인듐 주석막 식각용액
- 专利标题(英):Composition for wet etching of Crystallized ITO
- 专利标题(中):结晶ITO湿法蚀刻的组成
- 申请号:KR1020110056232 申请日:2011-06-10
- 公开(公告)号:KR101293628B1 公开(公告)日:2013-08-13
- 发明人: 임정훈 , 이양화
- 申请人: 솔브레인 주식회사
- 申请人地址: 경기도 성남시 분당구 판교로***번길 ** (삼평동)
- 专利权人: 솔브레인 주식회사
- 当前专利权人: 솔브레인 주식회사
- 当前专利权人地址: 경기도 성남시 분당구 판교로***번길 ** (삼평동)
- 代理人: 권오식; 김종관; 박창희
- 主分类号: C23F1/30
- IPC分类号: C23F1/30 ; C09K13/04 ; C23F1/02
摘要:
본 발명은 투명도전막에 사용되는 결정질 산화 인듐 주석막 식각용액에 관한 것으로서, 결정질 산화인듐 주석막에 대해 우수한 식각능력을 갖고, 식각용액 조성이 안정적이며, 식각 공정시 포토레지스트(Photo Resist)와 같은 광반응 물질에 대한 손상(Damage)이 없으며, 잔사를 남기지 않는 우수한 특성을 가지는 식각용액에 관한 것이다.
摘要(英):
The present invention relates to a tin film etching solution in crystalline indium oxide used for transparent conductive film, such as having a superior etching ability for a crystalline indium tin oxide film, an etching solution in the composition is stable, the etching process when the photoresist (Photo Resist) There is no damage (damage) for the photo-reaction material, the present invention relates to an etching solution with excellent characteristics that can not leave a residue.
公开/授权文献:
- KR1020120136977A 결정질 산화 인듐 주석막 식각용액 公开/授权日:2012-12-20