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1. 发明公开

KR1020170097427A 기화기 및 이를 구비하는 박막 증착 장치 审中-实审
标题翻译：具有蒸发器的蒸发器和薄膜沉积装置
公开(公告)号：KR1020170097427A
公开(公告)日：2017-08-28
申请号：KR1020160019165
申请日：2016-02-18
申请人： 삼성전자주식회사 , 가부시키가이샤 호리바 에스텍
发明人： 심현식 , 니시카와이치로 , 오정석 , 김재석 , 김호곤 , 데라사카마사노리 , 이준원 , 김형호 , 최혁열 , 하마다마사시 , 신동옥 , 염장현 , 이태훈 , 이혁재 , 최상진
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/54
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C16/4481 , C23C16/455
摘要： 본발명의기술적사상은높이방향으로좁아지는상단부를가지는제1 바디, 상기제1 바디가수용되는캐비티가형성된제2 바디, 및상기제1 바디와상기제2 바디에사이에형성된혼합실을포함하며, 상기제2 바디는, 상기혼합실의상부에형성된캐리어가스주입구와연결되고, 상기혼합실로주입되는캐리어가스가이동하는캐리어가스주입경로와, 상기혼합실에형성된원료주입구와연결되고, 상기혼합실로주입되는액상의원료가이동하는원료주입경로와, 상기혼합실의하부에형성된배출구와연결되고, 상기혼합실로부터배출된상기캐리어가스와상기원료가혼합된혼합유체가이동하는배출경로를가지는것을특징으로하는기화기를제공한다.
摘要翻译：本发明的技术特征包括所述第二本体与所述第一主体和所述第二主体之间界定的混合室是第一主体，其中，所述第一主体被收纳用的上端部的空腔的高度的方向变窄，形成并且，第一和第二主体，并与形成在所述混合物破碎顶部的载气导入口相连接，具有用于确实注入的载气，混合运动，形成在所述混合腔室中的原料入口，混合载气导入路径连接和原始材料注射通道向液体运动的原料是确实注入，连接到形成在破碎下部的混合物排出口，具有放电路径到混合室中的所述载气和原料混合的混合流体从移动排出提供蒸发器。

2. 外观设计

KR3007272840000S 有权
公开(公告)号：KR3007272840000S
公开(公告)日：2015-02-02
申请号：KR3020120063078
申请日：2012-12-28
申请人： 삼성전자주식회사
设计人： 천동원 , 이의주 , 이태훈 , 최상휘

3. 发明公开

KR1020150002333A 무선 통신시스템의 반송파 집적 서비스 제공 장치 및 방법 审中-实审
标题翻译：在无线通信系统中提供载波聚合服务的装置和方法
公开(公告)号：KR1020150002333A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：KR1020130076041
申请日：2013-06-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조중근 , 양일용 , 이재환 , 이정훈 , 이태훈 , 장형석
IPC分类号： H04W88/08 , H04W72/00 , H04W52/02
CPC分类号： Y02D70/00 , H04W72/044 , H04W52/0209 , H04W72/0486 , H04W88/08
摘要： 반송파 집적 기술을 사용하는 무선 통신시스템에서 무선 자원의 낭비 및 단말의 배터리 소모를 줄일 수 있는 반송파 집적 서비스 제공 장치 및 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 하나의 주반송파 및 적어도 하나의 부반송파를 사용하여 반송파 집적 서비스를 제공하는 무선 통신시스템의 기지국 장치는: 사용자 단말이 사용하는 서비스의 특성을 검출하는 검출기; 및 상기 검출된 서비스 특성에 기초하여 상기 반송파 집적 서비스의 제공을 제어하는 제어부를 포함한다.
摘要翻译：一种用于提供载波聚合服务的装置和方法，其可以使用载波聚合技术减少无线电资源的浪费和无线通信系统中的终端的电池消耗。根据本发明的实施例，用于使用一个主载波和至少一个子载波提供载波聚合业务的无线通信系统中的基站装置包括：用于检测用户使用的业务的特征的检测器终奌站; 以及控制单元，用于基于检测到的服务特征来控制提供载波聚合服务。

4. 发明授权

KR101042818B1 휴대단말기의 슬라이딩 키패드 장치 失效
标题翻译：滑动移动电话的键盘设备
公开(公告)号：KR101042818B1
公开(公告)日：2011-06-20
申请号：KR1020050018315
申请日：2005-03-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이태훈
IPC分类号： H04B1/38
摘要： 본 발명은 휴대 단말기의 본체내에서 슬라이딩 이동하는 슬라이딩 키패드와, 상기 본체에 구비되어 상기 슬라이딩 키패드를 슬라이딩 이동가능하게 가이드 하는 가이드 수단과, 상기 본체내의 소정 위치에 장착되고, 상기 슬라이딩 키패드의 슬라이딩 이동함에 따라서 전기적으로 접속되어 다양한 키입력 기능으로 사용할 수 있게 전환시키는 키패드 전환 장치부로 구성되어짐을 특징으로 하며, 이에 따라, 단말기의 키패드 기능을 향상시킬 수 있고, 다양한 부가적인 기능을 수행하며, 단말기의 키패드에 제공되는 키들의 수를 줄여 단말기를 소형화 할 수 있는 이점이 있다.
슬라이딩 키패드, 가이드 수단, 키패드 전환 장치부, 제 1, 2 인쇄면.

5. 发明公开

KR1020090126544A 화학 기계 연마 공정을 이용한 반도체 장치의 제조방법 无效
标题翻译：使用化学机械抛光工艺制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020090126544A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：KR1020080052683
申请日：2008-06-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이태훈 , 윤일영 , 추재욱
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/7684 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device using a chemical mechanical polishing process is provided to divide the tungsten plug from the node by firstly polishing the tungsten film on the first platen, by polishing the insulating layer on the second platen and by secondly polishing the tungsten film on the third platen or by polishing the tungsten film the insulating layer on the third platen at the same time. CONSTITUTION: An insulating layer(210) is formed in on the semiconductor board. The vias are formed by etching the insulating layer. The conductive film is formed on the insulating layer in order to bury the vias. In the first polishing process, the conductive film is etched until the upper side of the insulating layer is exposed. In the second polishing process, the insulating layer is etched as the constant thickness. In the third polishing process protrusion parts(221a,225a) of the conductive film are removed.
摘要翻译：目的：提供一种使用化学机械抛光工艺制造半导体器件的方法，通过首先对第一压板上的钨膜进行抛光，通过抛光第二压板上的绝缘层并将第二压板上的第二抛光或者通过在第三压板上同时抛光钨膜上的绝缘层。构成：在半导体基板上形成绝缘层（210）。通过蚀刻绝缘层形成通路。导电膜形成在绝缘层上，以便掩埋通孔。在第一抛光工艺中，蚀刻导电膜，直到绝缘层的上侧露出。在第二次抛光工艺中，绝缘层被刻蚀为恒定的厚度。在第三抛光工艺中，去除导电膜的突出部分（221a，225a）。

6. 发明授权

KR100929348B1 비정상 동작을 감시하기 위한 반도체 장치 및 방법 有权
公开(公告)号：KR100929348B1
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：KR1020070061706
申请日：2007-06-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이태훈 , 김정현
IPC分类号： G06F12/16 , G11C29/00 , G11C11/34
CPC分类号： G11C7/24 , G06F21/86
摘要： A semiconductor device includes a pull-up unit pulling up a voltage of an output node to a first voltage in response to a control signal, a photo sensing unit pulling down a voltage of the output node to a second voltage in response to an incident light, and a CPU, the CPU reset in response to the voltage of the output node produced in response to the incident light.

7. 发明公开

KR1020090007658A ＣＭＯＳ 소자의 셀프 얼라인된 듀얼 스트레스 라이너 형성방법 및 그에 의해 제조된 듀얼 스트레스 라이너 ＣＭＯＳ소자 有权
标题翻译：用于形成CMOS半导体器件和双应力衬底的自对准双应力衬层的方法CMOS半导体器件
公开(公告)号：KR1020090007658A
公开(公告)日：2009-01-20
申请号：KR1020070127680
申请日：2007-12-10
申请人： 삼성전자주식회사 , 인터내셔널 비즈니스 머신즈 코오퍼레이션
发明人： 이경우 , 이태훈 , 구자흠 , 최승만 , 다이어,토마스어.
IPC分类号： H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/823807 , H01L21/823871 , H01L29/7843
摘要： A self-aligned dual stress liner formation method of a CMOS device and a dual stress liner CMOS device manufactured by the same are provided to improve properties of the device by controlling physical and chemical properties, applied when various layers are formed, so as to obtain a desired value. To conformably cover first and second transistor elements(205,206), a first stress liner film(210) is formed on first and second element areas(202,203). A first insulating layer(215) is formed on the first stress liner film. A part of the first stress liner film and the first insulating layer on the second element area is removed by patterning the first insulating layer and the first stress liner film. A step structure defined as a residual domain of the insulating layer and the first stress liner film laminated on the first element area is formed. The step structure comprises a vertical side wall. The vertical side wall is vertically formed on an element isolation region(204), and is defined by a patterned side wall of the first insulating layer and a patterned side wall of the first stress liner film. A second stress liner film(220) is formed on the first and second element areas. A second insulating layer(225) is formed on the first and second element areas in order to cover the second stress liner film. A substrate surface is planarized up to a height on the first and second transistors enough to remove a sacrifice vertical pillar on an interface with no gap between the first and second stress liner films formed in the element isolation region.
摘要翻译：提供一种CMOS器件的自对准双重应力衬垫形成方法和由其制造的双应力衬垫CMOS器件，以通过控制在形成各种层时应用的物理和化学性质来改善器件的性能，从而获得一个所需的值。为了适形地覆盖第一和第二晶体管元件（205,206），第一应力衬垫膜（210）形成在第一和第二元件区域（202,203）上。第一绝缘层（215）形成在第一应力衬垫膜上。通过图案化第一绝缘层和第一应力衬垫膜，去除第一应力衬垫膜和第二元件区域上的第一绝缘层的一部分。形成定义为层叠在第一元件区域上的绝缘层和第一应力衬垫膜的残留区域的台阶结构。台阶结构包括垂直侧壁。垂直侧壁垂直地形成在元件隔离区域（204）上，并且由第一绝缘层的图案化侧壁和第一应力衬垫膜的图案化侧壁限定。第二应力衬垫膜（220）形成在第一和第二元件区域上。为了覆盖第二应力衬垫膜，在第一和第二元件区域上形成第二绝缘层（225）。衬底表面被平坦化直到第一和第二晶体管上的高度足以在界面上除去牺牲垂直柱，而在第一和第二应力衬垫膜之间没有间隙地形成在元件隔离区域中。

8. 发明公开

KR1020070122276A 자유낙하 감지 센서에서의 흔들림에 따른 오작동 방지 방법 无效
标题翻译：用于防止在FREEFALL传感器中的摆动操作的方法
公开(公告)号：KR1020070122276A
公开(公告)日：2007-12-31
申请号：KR1020060057632
申请日：2006-06-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이상엽 , 이태훈 , 이준범
IPC分类号： G11B19/02 , G11B21/22 , G11B20/10 , G11B33/08
摘要： A method for preventing malfunction due to the swing in a freefall sensor is provided to prevent a head from being damaged by counting the number with which acceleration is increased over the initial limit value and judging that the swing occurs when the counted result exceeds a predetermined value. A drive is protected when acceleration according to motion reaches the gravity acceleration(401,403). The number with which acceleration is increased over the initial limit value is counted(405). When the counted result exceeds the predetermined number, it is judged that the swing occurs(407). When it is judged that the swing occurs, the initial limit value is increased to stop the drive protection operation(409). The variation of the acceleration value is measured(411). When it is judged that the swing is finished, the changed limit value is lowered to the initial limit value(413).
摘要翻译：提供了一种用于防止由自由落体传感器中的摆动引起的故障的方法，以通过对加速度增加的数量超过初始极限值进行计数来防止头部损坏，并且当计数结果超过预定值时判断摆动发生。当根据运动的加速达到重力加速度时，驱动器受到保护（401,403）。计数加速度超过初始限制值的数字（405）。当计数结果超过预定数时，判断为摆动（407）。当判断为摆动时，增加初始极限值以停止驱动保护操作（409）。测量加速度值的变化（411）。当判断为摆动结束时，改变的限制值被降低到初始极限值（413）。

9. 发明授权

KR100725955B1 하드디스크 드라이브 및 그 하드디스크 드라이브의탐색방법 失效
标题翻译：硬盘驱动器及其追踪方法
公开(公告)号：KR100725955B1
公开(公告)日：2007-06-11
申请号：KR1020050101024
申请日：2005-10-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이태훈 , 박승철
IPC分类号： G11B21/10
摘要： 하드디스크 드라이브 및 그 하드디스크 드라이브의 탐색방법이 개시된다. 본 발명의 하드디스크 드라이브의 탐색방법은, (a) 실질적으로 디스크의 최내주의 트랙으로부터 실질적으로 최외주의 트랙으로 자기 헤드를 이동시키면서 자기 헤드에 인가되는 바이어스에 의한 영향을 상쇄시키기 위한 외주방향 바이어스 보상값들을 측정하여 외주방향 바이어스 보상곡선을 작성하는 단계; (b) 실질적으로 디스크의 최외주의 트랙으로부터 실질적으로 최내주의 트랙으로 자기 헤드를 이동시키면서 자기 헤드에 인가되는 바이어스에 의한 영향을 상쇄시키기 위한 내주방향 바이어스 보상값들을 측정하여 내주방향 바이어스 보상곡선을 작성하는 단계; (c) 외주방향 바이어스 보상값들과 내주방향 바이어스 보상값들을 평균하여 평균 바이어스 보상값들을 결정하여 평균 바이어스 보상곡선을 작성하는 단계; (d) 자기 헤드를 이동시켜 목표 트랙을 탐색할 때 탐색 거리가 소정 범위 이내의 짧은 탐색인지를 판단하는 단계; 및 (e) 판단 결과 탐색 거리가 짧은 탐색인 경우, 평균 바이어스 보상곡선에 기초하여 바이어스를 보상하면서 탐색하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 짧은 탐색 시에 적용되는 바이어스 보상값을 간단한 방법으로 결정할 수 있을 뿐만 아니라 이러한 바이어스 보상값에 기초하여 바이어스를 보상하면서 짧은 탐색을 수행할 때 오버슈트(overshoot)의 발생을 방지하여 탐색시간을 감소시키는 등 탐색 성능을 종래보다 향상시킬 수 있다.
하드디스크 드라이브(HDD), 탐색, 짧은 탐색, 바이어스, 보상

10. 发明公开

KR1020070044844A 하드디스크 드라이브 및 그 하드디스크 드라이브의탐색방법 失效
标题翻译：硬盘驱动器及其追踪方法
公开(公告)号：KR1020070044844A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：KR1020050101024
申请日：2005-10-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이태훈 , 박승철
IPC分类号： G11B21/10
摘要： 하드디스크 드라이브 및 그 하드디스크 드라이브의 탐색방법이 개시된다. 본 발명의 하드디스크 드라이브의 탐색방법은, (a) 실질적으로 디스크의 최내주의 트랙으로부터 실질적으로 최외주의 트랙으로 자기 헤드를 이동시키면서 자기 헤드에 인가되는 바이어스에 의한 영향을 상쇄시키기 위한 외주방향 바이어스 보상값들을 측정하여 외주방향 바이어스 보상곡선을 작성하는 단계; (b) 실질적으로 디스크의 최외주의 트랙으로부터 실질적으로 최내주의 트랙으로 자기 헤드를 이동시키면서 자기 헤드에 인가되는 바이어스에 의한 영향을 상쇄시키기 위한 내주방향 바이어스 보상값들을 측정하여 내주방향 바이어스 보상곡선을 작성하는 단계; (c) 외주방향 바이어스 보상값들과 내주방향 바이어스 보상값들을 평균하여 평균 바이어스 보상값들을 결정하여 평균 바이어스 보상곡선을 작성하는 단계; (d) 자기 헤드를 이동시켜 목표 트랙을 탐색할 때 탐색 거리가 소정 범위 이내의 짧은 탐색인지를 판단하는 단계; 및 (e) 판단 결과 탐색 거리가 짧은 탐색인 경우, 평균 바이어스 보상곡선에 기초하여 바이어스를 보상하면서 탐색하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 짧은 탐색 시에 적용되는 바이어스 보상값을 간단한 방법으로 결정할 수 있을 뿐만 아니라 이러한 바이어스 보상값에 기초하여 바이어스를 보상하면서 짧은 탐색을 수행할 때 오버슈트(overshoot)의 발생을 방지하여 탐색시간을 감소시키는 등 탐색 성능을 종래보다 향상시킬 수 있다.
하드디스크 드라이브(HDD), 탐색, 짧은 탐색, 바이어스, 보상

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