会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 3. 发明授权
    • 반도체 메모리 장치의 로우 리던던시 인에이블신호 발생회로 및 방법
    • 在半导体存储器装置中产生原始冗余使能信号的装置和方法
    • KR100605496B1
    • 2006-07-31
    • KR1019990039864
    • 1999-09-16
    • 삼성전자주식회사
    • 정창용신주원최병혁이해준이희준
    • G11C29/00
    • 본 발명은 반도체 메모리 장치의 로우 리던던시 인에이블신호 발생회로 및 방법에 관한 것으로서, 특히 본 발명의 장치는 정상 메모리 블록의 불량 로우 셀 어레이를 로우 리던던시 블록으로 대체한 경우에 리페어 신호를 발생하기 위한 리페어 신호 발생수단, 복수의 모드 레지스터 세트 어드레스와 모드 레지스터 세트 펄스신호에 응답하여 멀티 로우 어드레스 디스터브 테스트 동작을 위한 테스트 인에이블 신호를 출력하는 테스트 인에이블신호 발생수단, 및 정상 동작모드에서 외부에서 인가되는 디코딩된 로우 어드레스 신호가 로우 리던던시 블록의 어드레스 신호인 경우에 리페어 신호와 외부에서 인가되는 로우 리던던시 워드라인 인에이블신호에 응답하여 활성화되고, 멀티 로우 어드레스 디스터브 테스트 동작모드에서는 테스트 인에이블신호와 로우 리던던시 워드라인 인에이블신호에 응답하여, 디코딩된 로우 어드레스 신호가 노말 블록의 어드레스 신호인 경우에는 비활성화되고, 디코딩된 로우 어드레스 신호가 로우 리던던시 블록의 어드레스 신호인 경우에는 활성화되는 로우 리던던시 인에이블 신호를 발생하는 로우 리던던시 인에이블수단을 구비한 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에서는 리던던시의 방식 및 리페어 여부에 관계없이 멀티 로우 어드레스 디스터브 테스트가 가능하므로, 테스트 비용을 줄일 수 있다.
    • 4. 发明公开
    • 반도체 메모리 장치의 로우 리던던시 인에이블신호 발생회로 및 방법
    • 用于生成半导体存储器件的冗余使能信号的电路和方法
    • KR1020010027886A
    • 2001-04-06
    • KR1019990039864
    • 1999-09-16
    • 삼성전자주식회사
    • 정창용신주원최병혁이해준이희준
    • G11C29/00
    • PURPOSE: A circuit and a method for generating a row redundancy enable signal of a semiconductor memory device are provided to reduce a test cost because a multi row address disturb test is capable of being applied irrespective of a redundancy method or repair or not as inactivating a row redundancy enable signal when the multi row address disturb test is operated. CONSTITUTION: The circuit includes a repair signal generating portion(10), a test enable signal generating portion(20), and a row redundancy enable portion(30). The repair signal generating portion generates a repair signal when a defect row cell array of a normal memory block is replaced with a row redundancy block. The test enable signal generating portion outputs a test enable signal for a multi row address disturb testing operation in response to a mode register set address. The row redundancy enable portion generates a row redundancy enable signal which is inactivated in response to the test enable signal when a normal block is tested and activated in response to a row redundancy word line enable signal when a row redundancy block is tested in the multi row address disturb test operation mode and then activated in response to the repair signal in a normal operation mode.
    • 目的:提供一种用于产生半导体存储器件的行冗余使能信号的电路和方法,以降低测试成本,因为能够不考虑冗余方法或修复而不施加多行地址干扰测试,从而使其失效 多行地址干扰测试运行时的行冗余使能信号。 构成:电路包括修复信号生成部分(10),测试使能信号产生部分(20)和行冗余使能部分(30)。 当正常存储器块的缺陷行单元阵列被行冗余块替换时,修复信号产生部分产生修复信号。 测试使能信号产生部分响应于模式寄存器集地址输出用于多行地址干扰测试操作的测试使能信号。 行冗余使能部分产生行冗余使能信号,当在多行测试行冗余块时,响应于行冗余字线使能信号测试和激活正常块时,响应于测试使能信号而被激活的行冗余使能信号 地址干扰测试操作模式,然后在正常操作模式下响应于修复信号而被激活。