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1. 发明授权

KR100387237B1 초고밀도기록을 위한 수직 기록용 자성 박막 失效
标题翻译：在高科技领域，
公开(公告)号：KR100387237B1
公开(公告)日：2003-06-12
申请号：KR1020010001352
申请日：2001-01-10
申请人： 삼성전자주식회사 , 한국과학기술원
发明人： 이경진 , 이택동 , 이인선 , 황민식
IPC分类号： G11B5/31
CPC分类号： G11B5/64 , Y10S428/90 , Y10T428/12465 , Y10T428/12854 , Y10T428/265
摘要： A perpendicular magnetic recording medium is provided. The perpendicular magnetic recording medium has an underlayer for leading perpendicular orientation of a perpendicular magnetic recording layer, stacked between a substrate and the perpendicular magnetic recording layer, and thickness of the perpendicular magnetic recording layer is controlled within the range of 5-40 nm to have a negative nucleation field.
摘要翻译：提供垂直磁记录介质。垂直磁记录介质具有用于引导垂直磁记录层的垂直取向的底层，层叠在基板和垂直磁记录层之间，垂直磁记录层的厚度被控制在5-40nm的范围内以具有负核化场。

2. 发明授权

KR100829556B1 자기 저항 램 및 그의 제조방법 失效
标题翻译：磁阻随机存取存储器及其制造方法
公开(公告)号：KR100829556B1
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：KR1020020029956
申请日：2002-05-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박완준 , 이택동 , 박병국 , 김태완 , 송이헌 , 박상진
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： H01L27/228 , B82Y10/00
摘要： 본 발명은 자기저항 램 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 반도체 기판 상에 제1게이트와 소스 및 드레인 정션으로 형성된 모스 트랜지스터와, 소스 정션에 연결된 하부전극과, 이 하부전극 상 면에 형성된 제1자성체막과, 제1자성체막 상에 형성되어 이 제1자성체막과 포텐셜 웰을 형성하도록 알루미늄(Al)과 하프늄(Hf)이 함유된 절연성의 배리어막와, 제2자성체막과 대응되어 배리어막의 상부에 형성된 제2자성체막과, 제2자성체막 상에 형성된 상부전극과, 하부전극과 게이트 사이에 개재되어 제1자성체막의 자성정보를 조정하는 제2게이트 및 제1게이트와 수직으로 교차하여 상부 전극과 연결된 비트라인을 포함한다.
이렇게 배리어막으로서 알루미늄 산화막(Al
2 O
3 )에 하프늄(Hf)이 첨가된 산화막을 적용함으로써, 배리어막의 특성이 개선되어 자기저항률(MAGNETIC RESISTANCE RATIO)가 향상되고 따라서, 자기저항 램의 정보저장 능력이 향상된다.

3. 发明公开

KR1020110071710A 수직 자기터널접합과 이를 포함하는 자성소자 및 그 제조방법 无效
标题翻译：贯通磁性隧道结构，包含该磁性连接的磁性装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110071710A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020090128344
申请日：2009-12-21
申请人： 삼성전자주식회사 , 한국과학기술원
发明人： 김광석 , 이택동 , 김우진 , 서순애 , 김기원 , 김선옥
IPC分类号： G11C11/15 , H01L27/115
CPC分类号： H01L43/12 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10 , B82Y25/00 , G11C11/16 , Y10S977/935
摘要： PURPOSE: A perpendicular magnetic tunnel junction, a magnetic device comprising the same and a method of manufacturing the same are provided to make the spin torque switching of a MTJ fast reducing a switching time. CONSTITUTION: In a perpendicular magnetic tunnel junction, a magnetic device comprising the same and a method of manufacturing the same, a tunneling layer(34) is formed on a lower magnetic layer(L1). An upper magnetic layer(U1) is formed on the tunneling layer. The magnetization direction of one of the upper and lower magnetic layers is changed by a spin polarization current One magnetic layer comprises a free layer(40) indicates a vertical magnetic anisotropy A polarization reinforcement layer and an interface barrier layer are laminated between the tunneling layer and the free layer.
摘要翻译：目的：提供垂直磁性隧道结，包括该磁场的磁性装置及其制造方法，以使MTJ的自旋转矩切换快速地减少切换时间。构成：在垂直磁性隧道结中，包括该磁性装置的磁性装置及其制造方法，在下部磁性层（L1）上形成有隧道层（34）。在隧道层上形成上磁层（U1）。上磁层和下磁层之一的磁化方向由自旋极化电流改变一个磁性层包括一个表示垂直磁各向异性的自由层（40），一个偏振加强层和界面阻挡层层叠在隧穿层与自由层。

4. 发明授权

KR100604922B1 하드 디스크 드라이브의 자기 디스크와 그 제조 방법 失效
标题翻译：用于硬盘驱动器的磁盘及其制造方法
公开(公告)号：KR100604922B1
公开(公告)日：2006-07-28
申请号：KR1020040109288
申请日：2004-12-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 홍수열 , 탁영욱 , 이형재 , 이택동
IPC分类号： G11B5/66
摘要： 하드 디스크 드라이브의 디스크가 개시된다. 상기 디스크는 기판 위에 위치한 하부 연자성체층과, 하부 연자성체층 위에 위치한 중간층과, 중간층 위에 위치한 상부 연자성체층을 포함한다. 따라서, 연자성체층들은 합성 반강자성 결합된(AFC) 형태의 필름 구조를 형성한다. 그리고, 합성 AFC 형태의 연자성체층과 기판 사이에 반강자성체층이 위치한다. 합성 AFC 형태의 연자성체층은 반강자성체층에 의해 핀드되어 매체의 신호 대 노이즈 비율을 향상시킨다.

5. 发明授权

KR100604844B1 자기 디스크 및 그 제조 방법 및 이를 적용한 하드디스크드라이브 失效
标题翻译：磁盘及其制造方法及其使用的硬盘驱动器
公开(公告)号：KR100604844B1
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：KR1020040022556
申请日：2004-04-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 홍수열 , 이형재 , 신경호 , 오세충 , 이택동
IPC分类号： G11B5/66
CPC分类号： G11B5/66
摘要： 하드디스크 드라이브용 자기 디스크가 개시되어 있다. 개시된 자기 디스크는 상부 자기 층과 아래의 안정화 자기 층 사이에 위치된 크롬층을 포함한다. 크롬은 상부 자기 층내로 확산되어 자기 물질의 그레인들을 자기적으로 분리시킨다. 자기 물질의 그레인들을 분리하는 것은 자기 디스크의 자기적인 노이즈를 감소시키고 하드디스크 드라이브의 신호대 잡음비를 개선한다.

6. 发明公开

KR1020040088396A 자기 디스크 및 그 제조 방법 및 이를 적용한 하드디스크드라이브 失效
标题翻译：磁盘，其制造方法和应用磁性磁盘的硬盘驱动器，涉及磁性分离磁性物质颗粒和减少磁性噪声
公开(公告)号：KR1020040088396A
公开(公告)日：2004-10-16
申请号：KR1020040022556
申请日：2004-04-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 홍수열 , 이형재 , 신경호 , 오세충 , 이택동
IPC分类号： G11B5/66
CPC分类号： G11B5/66
摘要： PURPOSE: A magnetic disk, a fabrication method thereof and a hard disk drive applying magnetic disk thereto are provided to dispose a spacer chromium layer between a stabilizing magnetic layer and an upper magnetic layer, to spread chromium inside the upper magnetic layer. CONSTITUTION: A magnetic disk(12) includes a stabilizing magnetic layer(50) located on a substrate(52). A lower layer(54) is inserted between the stabilizing magnetic layer(50) and the substrate(52) to improve an adhesion of a stabilizing material. The substrate(52) is made of an aluminum material. The stabilizing magnetic layer(50) is covered with a spacer chromium layer(56). The chromium layer(56) is covered with an upper magnetic layer(58). Chromium is spread between magnetic material grains within the upper magnetic layer(58).
摘要翻译：目的：提供一种磁盘，其制造方法和向其施加磁盘的硬盘驱动器，以在稳定磁性层和上部磁性层之间设置间隔层铬，以在上部磁性层内部扩散铬。构成：磁盘（12）包括位于衬底（52）上的稳定磁性层（50）。在稳定磁性层（50）和基底（52）之间插入下层（54），以改善稳定材料的粘合性。基板（52）由铝材料制成。稳定磁性层（50）被间隔层铬层（56）覆盖。铬层（56）被上磁性层（58）覆盖。铬分布在上磁性层（58）内的磁性材料颗粒之间。

7. 发明公开

KR1020040031637A 자기 기록매체 및 그 제조 방법 및 이를 채용한하드디스크 드라이브 失效
标题翻译：磁记录介质，其制造方法和使用其的HDD
公开(公告)号：KR1020040031637A
公开(公告)日：2004-04-13
申请号：KR1020030068916
申请日：2003-10-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 홍수열 , 홍대훈 , 이형재 , 이택동
IPC分类号： G11B5/66 , G11B5/84 , G11B21/02
CPC分类号： G11B5/012 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/82 , G11B2005/0029 , Y10S428/90 , Y10T428/12465 , Y10T428/12806 , Y10T428/12951
摘要： PURPOSE: A magnetic recording medium, a manufacturing method thereof, and an HDD(Hard Disk Driver) adopting the same are provided to increase saturation magnetization and obtain favorable negative nucleation fields. CONSTITUTION: A spindle motor(14) is coupled to a base plate(16). The magnetic recording medium(12) comprises a substrate, the first magnetic material layer including iron, hafnium and nitrogen, a mid layer placed on the first magnetic material layer, and the second magnetic material layer placed on the mid layer, and is coupled to the spindle motor. An actuator arm(24) is installed to the base plate. A voice coil motor(32) is coupled to the actuator arm. A flexure arm(22) is coupled to the actuator arm. A head(20) is coupled to the flexure arm and the magnetic recording medium.
摘要翻译：目的：提供一种磁记录介质及其制造方法和采用该磁记录介质的HDD（硬盘驱动器），以增加饱和磁化强度并获得有利的负成核场。构成：主轴电动机（14）联接到基板（16）。磁记录介质（12）包括基板，第一磁性材料层包括铁，铪和氮，中间层放置在第一磁性材料层上，第二磁性材料层放置在中间层上，并与主轴电机。致动臂（24）安装在基板上。音圈马达（32）耦合到致动器臂。挠性臂（22）联接到致动器臂。磁头（20）耦合到挠曲臂和磁记录介质。

8. 发明公开

KR1020030092324A 자기 저항 램 및 그의 제조방법 失效
标题翻译：磁阻电阻RAM及其制造方法
公开(公告)号：KR1020030092324A
公开(公告)日：2003-12-06
申请号：KR1020020029956
申请日：2002-05-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박완준 , 이택동 , 박병국 , 김태완 , 송이헌 , 박상진
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： H01L27/228 , B82Y10/00
摘要： PURPOSE: A magnetic resistance RAM and a method for manufacturing the same are provided to drastically improve the magnetic resistance ratio of the semiconductor memory device of the magnetic resistance RAM by using an aluminum-hafnium-oxide as a barrier layer, thereby improving the reliability of the barrier layer. CONSTITUTION: A magnetic resistance RAM includes a lower electrode(141), a first magnetic layer(142), a barrier layer(143), a second magnetic layer(144), a top electrode(145), a second gate(130) and a bitline(150). The lower electrode(141) is connected to the source junction and the first magnetic layer(142) is formed on the top of the lower electrode(141). The barrier layer(143) made of an insulating layer consisting of an aluminum and a hafnium. The second magnetic layer(144) is formed on top of the barrier layer corresponding to the first magnetic layer(142) and the top electrode(145) is formed on the second magnetic layer(144). The second gate(130) inserted between the first gate(120) and the lower electrode(141) for controlling the magnetic information among the first and the second magnetic layers(141,144). And, the bitline(150) is electrically connected to the top electrode(145) with vertically crossing to the first gate(120).
摘要翻译：目的：提供磁阻RAM及其制造方法，通过使用铝 - 铪氧化物作为阻挡层，显着提高磁阻RAM的半导体存储元件的磁阻比，从而提高阻挡层。构成：磁阻RAM包括下电极（141），第一磁性层（142），阻挡层（143），第二磁性层（144），顶电极（145），第二栅极（130）和一个位线（150）。下电极141连接到源极结，第一磁性层142形成在下部电极141的顶部。由由铝和铪组成的绝缘层制成的阻挡层（143）。第二磁性层（144）形成在对应于第一磁性层（142）的阻挡层的顶部上，顶部电极（145）形成在第二磁性层（144）上。插入在第一栅极（120）和下部电极（141）之间的第二栅极（130），用于控制第一和第二磁性层（141,144）中的磁信息。并且，位线（150）与顶部电极（145）电连接，垂直于第一栅极（120）。

9. 发明公开

KR1020020060332A 초고밀도기록을 위한 수직 기록용 자성 박막 失效
标题翻译：全密度记录薄膜非常高密度记录
公开(公告)号：KR1020020060332A
公开(公告)日：2002-07-18
申请号：KR1020010001352
申请日：2001-01-10
申请人： 삼성전자주식회사 , 한국과학기술원
发明人： 이경진 , 이택동 , 이인선 , 황민식
IPC分类号： G11B5/31
CPC分类号： G11B5/64 , Y10S428/90 , Y10T428/12465 , Y10T428/12854 , Y10T428/265
摘要： PURPOSE: A perpendicular recording thin film for very high density recording is provided to use a perpendicular magnetic recording medium having a perpendicular recording magnetic layer, in which a nucleation field exists in a second quadrant of a magnetization curve, so as to have excellent thermal stability with the increased crystal magnetic anisotropic energy and have a low noise characteristic even at a high density. CONSTITUTION: A magnetic recording medium accumulates an underlayer therein for inducing perpendicular alignment of a perpendicular magnetic recording layer, between a substrate and the perpendicular magnetic recording layer. The thickness of the perpendicular magnetic recording layer is adjusted to from 5nm to 40nm, to generate a negative nucleation field. The perpendicular magnetic recording layer is composed of an alloy of CoCoPt family. A Pt content of the perpendicular magnetic recording layer is 8-20 at%. A Cr content of the perpendicular magnetic recording layer is 12-20 at%. The perpendicular magnetic recording layer includes Ta, Nb or Ta+Nb of under 4 at%, as a fourth or fifth content. And the underlayer is composed of an ally of Ti family.
摘要翻译：目的：提供用于非常高密度记录的垂直记录薄膜，以使用具有垂直记录磁性层的垂直磁记录介质，其中成核场存在于磁化曲线的第二象限中，以具有优异的热稳定性具有增加的晶体磁各向异性能量，并且即使在高密度下也具有低噪声特性。构成：磁记录介质在其中积累底层，用于引起垂直磁记录层在基板和垂直磁记录层之间的垂直取向。将垂直磁记录层的厚度调整为5nm至40nm，以产生负成核场。垂直磁记录层由CoCoPt族合金组成。垂直磁记录层的Pt含量为8〜20原子％。垂直磁记录层的Cr含量为12-20at％。垂直磁记录层包括低于4at％的Ta，Nb或Ta + Nb，为第四或第五含量。底层由Ti族的盟友组成。

10. 发明授权

KR100618813B1 자기 기록매체 및 그 제조 방법 및 이를 채용한하드디스크 드라이브 失效
标题翻译：磁记录介质及其制造方法及其使用的硬盘驱动器
公开(公告)号：KR100618813B1
公开(公告)日：2006-09-08
申请号：KR1020030068916
申请日：2003-10-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 홍수열 , 홍대훈 , 이형재 , 이택동
IPC分类号： G11B5/66 , G11B5/84 , G11B21/02
CPC分类号： G11B5/012 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/82 , G11B2005/0029 , Y10S428/90 , Y10T428/12465 , Y10T428/12806 , Y10T428/12951
摘要： 디스크 드라이브용 디스크가 개시되어 있다. 디스크는 기판 상에 위치된 제1자기 물질층, 제1자기 물질층 상에 위치된 중간층 및 중간층 상에 위치된 제2자기 물질층을 포함한다. 제2자기 물질층은 코발트 및 크롬을 포함할 수 있다. 중간층은 티타늄을 포함할 수 있다. 제1자기 물질층은 철, 하프늄 및 질소(FeHfN)를 포함한다. 제1자기 물질층의 이러한 구성은 보다 높은 포화 자화 및 보다 낮은 거칠기를 보여주며, 디스크의 핵형성 필드를 증가시킨다.

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