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1. 发明授权

KR102254122B1 전자전달매개체 및 이를 채용한 전기화학식 바이오센서 有权
公开(公告)号：KR102254122B1
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：KR1020140109959
申请日：2014-08-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조성제 , 김광복 , 김재홍 , 이수호 , 정선태 , 조재걸 , 조철호
IPC分类号： G01N33/68 , G01N33/573 , G01N27/49
摘要： 본개시의일 측면에따른전자전달매개체시스템의일 구현예는제1 전이금속착물및 제2 전이금속착물을포함하되, 상기전자전달매개체시스템의작동전압은제1 전이금속착물의작동전압과제2 전이금속착물의작동전압의 "몰평균"과 "실질적으로동일"하다.

2. 发明授权

KR102102787B1 기판 처리 장치 및 블록커 플레이트 어셈블리 有权
公开(公告)号：KR102102787B1
公开(公告)日：2020-04-22
申请号：KR1020130157325
申请日：2013-12-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이소영 , 이수호 , 이창윤 , 김익수 , 이주현 , 홍종원
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458

3. 发明公开

KR1020170091346A 반지형 웨어러블 기기 审中-实审
标题翻译：环型可穿戴设备
公开(公告)号：KR1020170091346A
公开(公告)日：2017-08-09
申请号：KR1020160012237
申请日：2016-02-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 민진홍 , 이재혁 , 조성욱 , 조신희 , 이수호
IPC分类号： A44C9/00 , A61B5/04 , G06F1/16
CPC分类号： A44C9/00 , A61B5/04 , G06F1/16
摘要： 반지형웨어러블기기가개시된다. 개시된반지형웨어러블기기는외측링 부재; 상기외측링 부재의내측에분리가능하게삽입되는내측링 부재; 상기외측링 부재에배치된센서부; 및상기외측링 부재에배치되어상기센서부와전기적으로연결된제어부;를포함하며, 상기센서부는상기내측링 부재의두께에대응하여일정한센싱감도를유지할수 있다.
摘要翻译：披露了一种可穿戴式环型可穿戴设备。一种环型可佩戴装置，包括：外环构件; 内环构件，可拆卸地插入到外环构件中; 传感器单元，设置在外环构件上; 控制单元设置在外环构件上并电连接到传感器单元，其中传感器单元可以保持与内环构件的厚度相对应的预定感测灵敏度。

4. 发明公开

KR1020160066340A 기판 처리 장치 审中-实审
标题翻译：制作基板的装置
公开(公告)号：KR1020160066340A
公开(公告)日：2016-06-10
申请号：KR1020140170590
申请日：2014-12-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이수호 , 박성규 , 박종록 , 최진혁 , 한문형 , 한상철
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32633 , C23C16/452 , C23C16/45563 , C23C16/4558 , C23C16/4584 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
摘要： 챔버, 상기챔버의상부에위치하는플라즈마생성부, 상기챔버의중간에위치하고기판을지지하는서셉터, 상기플라즈마생성부에서생성된플라즈마를통과시켜상기서셉터로공급하는가스분배플레이트, 및상기챔버의하부에위치하여상기서셉터를회전시키는회전부를포함하는기판처리장치가설명된다.
摘要翻译：提供了均匀地处理基板的基板处理装置。基板处理装置包括：室; 位于所述室的上部的等离子体产生单元; 位于室的中间并支撑衬底的感受器; 在等离子体产生单元中产生等离子体的气体分配板，并将其供给到基座; 以及位于所述室的下部以旋转所述基座的旋转单元。

5. 发明授权

KR100689847B1 화학기상증착장치 失效
标题翻译：化学蒸气沉积装置
公开(公告)号：KR100689847B1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：KR1020050064273
申请日：2005-07-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김응수 , 안드레이유스코브 , 이승무 , 이수호 , 임경춘
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 본 발명은, 화학기상증착(VCD)장치에 관한 것으로서, 반응공간을 형성하며 상부개구를 갖는 챔버본체와; 상기 상부개구에 설치되어 공정가스를 분배하며 고주파전극을 형성하는 샤워헤드와; 상기 챔버본체의 벽면과 상기 샤워헤드 사이에 개재되어 상호 절연하는 절연부와, 상기 절연부에서 하향 연장되며 공정가스의 흐름이 분산되도록 방사상으로 다수의 공정가스배출공이 형성된 스커트부를 갖는 절연체를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 부품수를 줄여 간단하며 공정가스의 흐름이 비교적 원활하게 이루어 질 수 있는 화학기상증착장치가 제공된다.

6. 发明授权

KR100688985B1 기판검사장치 및 그의 제어방법 有权
标题翻译：用于检查基板的装置及其控制方法
公开(公告)号：KR100688985B1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：KR1020050071940
申请日：2005-08-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이수호 , 안드레이유사코 , 임순규 , 민경선 , 정경석
IPC分类号： G01N21/88
摘要： 본 발명은, 기판검사장치 및 그의 제어방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 기판검사장치는, 상기 기판을 검사하는 검사유닛과; 상기 검사유닛의 입구영역에 마련되며, 상기 검사유닛으로 상기 기판을 순차적으로 공급하도록 적어도 하나의 상기 기판을 지지하는 복수의 공급스테이지와, 상기 검사유닛의 입구측에 대응하여 복수의 상기 공급스테이지를 이동시키는 공급구동부를 갖는 공급유닛과; 상기 검사유닛의 출구영역에 마련되며, 상기 검사유닛에서 순차적으로 배출되는 적어도 하나의 상기 기판을 지지하는 복수의 배출스테이지와, 상기 검사유닛의 출구측에 대응하여 복수의 상기 배출스테이지를 이동시키는 배출구동부를 갖는 배출유닛을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 비교적 신속하며 간단하게 기판을 검사할 수 있는 기판검사장치 및 그의 제어방법이 제공된다.

7. 发明公开

KR1020070008333A 기판처리장치와 이를 이용한 기판처리방법 无效
标题翻译：用于处理基板的设备和使用该基板处理基板的方法
公开(公告)号：KR1020070008333A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：KR1020050063464
申请日：2005-07-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 안드레이유스코브 , 임순규 , 오성태 , 박선미 , 이수호
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45574 , C23C16/45565 , C23C16/509 , C23C16/513
摘要： A substrate process apparatus is provided to form a carbon thin film of an excellent quality by preventing a flow path from being contaminated. A substrate process apparatus has a reaction space. First reaction gas including hydrocarbon gas is supplied by a first gas supply part. Second reaction gas containing hydrogen is supplied by a second gas supply part. A shower head includes a first flow path and a second flow path. The first reaction gas is supplied to the reaction space by the first flow path, connected to the first gas supply part. The second reaction gas is supplied to the reaction gas, connected to the second gas supply part. The shower head includes a first block, a second block in contact with the reaction space, and a third block in contact with the reaction space wherein at least a part of the third block overlaps the second block.
摘要翻译：提供一种基板处理装置，通过防止流路被污染而形成质量优良的碳薄膜。基板处理装置具有反应空间。包括烃气体的第一反应气体由第一气体供给部供给。含有氢的第二反应气体由第二气体供给部供给。淋浴头包括第一流路和第二流路。第一反应气体通过与第一气体供给部连接的第一流路供给反应空间。将第二反应气体供给到与第二气体供给部连接的反应气体。淋浴头包括第一块，与反应空间接触的第二块，以及与反应空间接触的第三块，其中第三块的至少一部分与第二块重叠。

8. 发明公开

KR1020060127599A 기판처리장치 无效
标题翻译：用于处理基板的装置
公开(公告)号：KR1020060127599A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：KR1020050048793
申请日：2005-06-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정화준 , 감도영 , 차상엽 , 이수호 , 이상호
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C16/4585 , H01L21/67017 , H01L21/68785 , H01L21/68792
摘要： A substrate processor is provided to support a substrate and exhaust process gas using a simple structure. A process chamber(10) defines a reaction space(11). A discharge port(12) is formed at a lower portion of the process chamber. A substrate support member includes a positioning portion(31) and a support shaft(32). The positioning portion is positioned inside the process space. The support shaft the discharge port. A housing(40) encloses the support shaft exposed to an outside of the process chamber. A vertical driver drives the support shaft up and down. A rotation driver rotates the support shaft.
摘要翻译：提供基板处理器以使用简单的结构来支撑基板和排气处理气体。处理室（10）限定反应空间（11）。排出口（12）形成在处理室的下部。基板支撑构件包括定位部分（31）和支撑轴（32）。定位部分位于处理空间内。支撑轴排出口。壳体（40）包围暴露于处理室外部的支撑轴。垂直驱动器上下驱动支撑轴。旋转驱动器旋转支撑轴。

9. 发明授权

KR100643396B1 기판처리 장치 失效
标题翻译： 기판처리장치
公开(公告)号：KR100643396B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020050103327
申请日：2005-10-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 안드레이,유스코브 , 이수호 , 김응수
IPC分类号： H01L21/02
摘要： An apparatus for processing a substrate is provided to improve uniformity of the substrate by changing electrode shape and a process gas flow route. A substrate processing apparatus includes a base unit(11), a first electrode(20), a second electrode(51), a carrier unit(61), a process gas supplying unit(31), and a power supplying unit(41). The first and second electrodes are located on an upper portion of the base unit and define a processing space(71) where a process target substrate(100) is located. The carrier unit fixes and reciprocates the first electrode. The process gas supplying unit supplies a process gas to the first electrode. The power supplying unit applies power to the process gas supplying unit and the first electrode. An exhaust unit(12) is formed on the base unit to pass through an upper surface and a side thereof. The first electrode includes an electrode main frame(21) and a vertical extending unit(22) vertically extended from the electrode main frame to the base unit.
摘要翻译：提供一种用于处理基板的装置，以通过改变电极形状和处理气体流动路径来改善基板的均匀性。本发明公开了一种基板处理装置，包括基座单元（11），第一电极（20），第二电极（51），载体单元（61），处理气体供应单元（31）和供电单元（41）。第一和第二电极位于基座单元的上部并且限定处理目标基板（100）所处的处理空间（71）。载体单元固定并往复运动第一电极。处理气体供应单元向第一电极供应处理气体。供电单元向处理气体供应单元和第一电极供电。排气单元（12）形成在基部单元上以穿过其上表面和侧部。第一电极包括电极主框架（21）和从电极主框架垂直延伸到基部单元的垂直延伸单元（22）。

10. 发明公开

KR1020160133599A 전원 변환 장치 및 히스테리시스 벅 컨버터 审中-实审
标题翻译：功率转换电路和HYSTERESIS BUCK转换器
公开(公告)号：KR1020160133599A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020150065993
申请日：2015-05-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 노미야마,타카히로 , 손일영 , 이수호 , 조민수 , 한재열
IPC分类号： H02M3/155
CPC分类号： H02M3/158 , H02M2001/0025 , H02M2003/1566 , H03K5/24
摘要： 본발명에따른전원변환장치는전압변환부, 피드백회로부, 구동신호생성부, 천이상태탐지부, 및저항값조절부를포함한다. 전압변환부는입력전압을제공받아구동신호에응답하여입력전압의전압레벨을변경하여출력전압으로출력한다. 피드백회로부는상기출력전압을전압분배하기위한피드백저항들을포함하며, 상기분배된출력전압을피드백전압으로출력한다. 구동신호생성부는상기피드백전압의레벨과기준전압의레벨을비교하여상기구동신호를출력한다. 천이상태탐지부는상기피드백전압의레벨과상기기준전압의레벨을비교하여상기출력전압의천이상태에대응하는천이상태신호를출력한다. 저항값조절부는상기천이상태신호에응답하여상기피드백저항들의저항값을변경한다.
摘要翻译：电力转换电路包括电压转换电路，反馈电路，驱动信号发生器，瞬态状态检测器和电阻值调节器。电压转换电路响应于驱动信号改变输入电压的电压电平，并且根据输入电压的改变的电压电平输出输出电压。反馈电路分压输出电压，将分压输出电压输出为反馈电压。驱动信号发生器将反馈电压的电平与参考电压的电平进行比较，并输出驱动信号。瞬态状态检测器将反馈电压的电平与参考电压的电平进行比较，并输出与输出电压的过渡状态对应的瞬态状态信号。电阻值调节器根据瞬态状态信号调整反馈电阻值，该值反映输出电压。

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