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1. 发明公开

KR1020050008222A 이온 도즈량 측정 장치 无效
标题翻译：用于通过在设备中放置样品来测量保持恒定离子剂量的离子剂量的装置
公开(公告)号：KR1020050008222A
公开(公告)日：2005-01-21
申请号：KR1020030048078
申请日：2003-07-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정용길 , 고영민 , 유옥순 , 이병범
IPC分类号： H01L21/66
摘要： PURPOSE: An apparatus for measuring ion dose of a wafer is provided to keep an ion dose be implanted to a wafer uniformly by placing a standard specimen within the apparatus. CONSTITUTION: An wafer(W) completed the ion implantation is placed on a stage(130) with a first oxide film formed. A standard specimen(170) is arranged at one side of the wafer, and a second oxide film is formed on the standard specimen. A laser beam emitted from a laser source is applied to the standard specimen and to the wafer respectively. A first intensity of the laser beam reflected from the wafer and a second intensity of the laser beam reflected from the standard specimen are detected by a detecting unit. The thickness of the first oxide film and an ion dose implanted into the wafer are measured by a processor, and the measured ion dose is compensated according to the thickness of the measured first oxide film.
摘要翻译：目的：提供一种用于测量晶片离子剂量的设备，通过将标准样品放置在设备内，使离子剂量均匀地注入到晶片上。构成：将完成离子注入的晶片（W）放置在形成有第一氧化膜的载物台（130）上。标准样品（170）布置在晶片的一侧，并且在标准样品上形成第二氧化膜。从激光源发射的激光束分别施加到标准样品和晶片上。通过检测单元检测从晶片反射的激光束的第一强度和从标准样品反射的激光束的第二强度。通过处理器测量第一氧化膜的厚度和注入到晶片中的离子剂量，并且根据所测量的第一氧化物膜的厚度来补偿测量的离子剂量。

2. 发明公开

KR1019980029950A 반도체 웨이퍼 无效
公开(公告)号：KR1019980029950A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019960049283
申请日：1996-10-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이병범
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 웨이퍼의 가장자리부분에 일정 직경을 갖는 홀을 형성하여 웨이퍼의 인식이 이루어지도록 개선시킨 반도체 웨이퍼에 관한 것이다.
본 발명은, 웨이퍼의 인식을 위한 영역을 포함하는 반도체 웨이퍼에 있어서, 상기 인식을 위한 영역은 상기 웨이퍼의 가장자리부분에 일정 직경을 갖는 홀을 형성하여 이루어짐을 특징으로 하고, 상기 웨이퍼는 8인치 또는 12인치와 같은 대구경 웨이퍼인 것이 효율적이다.
따라서, 본 발명에 의하면 웨이퍼의 가장자리부분에 웨이퍼 인식을 위한 홀을 형성하여 이로 인하여 생산성이 증대되는 효과가 있다.

3. 发明公开

KR1020040070486A 웨이퍼 계측 장치 无效
标题翻译：测量波形的装置
公开(公告)号：KR1020040070486A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：KR1020030006531
申请日：2003-02-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이병범 , 전태승 , 강호성
IPC分类号： H01L21/66
摘要： PURPOSE: An apparatus for measuring a wafer is provided to prevent a defect of a semiconductor device due to an error of a measurement unit by managing periodically the measurement unit. CONSTITUTION: An object as a measuring target is loaded on a stage(102). A measurement unit(106) measures the object loaded on the stage. A plurality of standard samples are loaded into a standard sample holder(108) in order to identify the accuracy of the measurement unit. A driver(104) is connected to the standard sample holder in order to measure the standard samples loaded on the sample holder by moving horizontally the standard sample holder. A controller(122) is connected to the driver and the measurement unit in order to control operations of the driver and the measurement unit.
摘要翻译：目的：提供一种用于测量晶片的装置，以通过周期性地管理测量单元来防止由于测量单元的误差导致的半导体器件的缺陷。构成：作为测量对象的物体被装载在舞台（102）上。测量单元（106）测量载物台上的物体。将多个标准样品加载到标准样品架（108）中，以便确定测量单元的精度。驱动器（104）连接到标准样品架上，以便通过水平移动标准样品架来测量装载在样品架上的标准样品。控制器（122）连接到驱动器和测量单元，以便控制驾驶员和测量单元的操作。

4. 发明公开

KR1020000004558A 다수의 단차영역이 구비된 분석웨이퍼 제조방법 无效
标题翻译：用于制造具有多个阶梯区域的分析波形的方法
公开(公告)号：KR1020000004558A
公开(公告)日：2000-01-25
申请号：KR1019980026002
申请日：1998-06-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이병범 , 김정욱
IPC分类号： H01L21/306
摘要： PURPOSE: An analysis wafer fabrication method is provided to reduce a loss time and manufacturing cost by analyzing measuring system to form multi stepped regions on a single analysis wafer. CONSTITUTION: The method comprises the steps of dipping a semiconductor substrate(10) having predetermined layers(12) from the one end portion to the other end portion for desired time in a wet etching bath(14) contained etching solutions; and repeatedly inserting the wafer(10) to the wet etching bath(14) while the inserted length are to be different every time. Thereby, the predetermined layer(12) is wet etched so that an analysis wafer formed multi stepped regions is manufactured. Also, the impurities located on the analysis wafer are removed by cleaning process.
摘要翻译：目的：提供分析晶片制造方法，通过分析测量系统在单个分析晶片上形成多台阶区域来减少损耗时间和制造成本。方案：该方法包括以下步骤：在含有蚀刻溶液的湿式蚀刻浴（14）中将具有预定层（12）的半导体衬底（10）从一个端部浸入所需时间到另一端部; 并将晶片（10）反复插入到湿式蚀刻槽（14）中，同时插入的长度每次都不同。由此，湿式蚀刻预定层（12），从而制造形成多台阶区域的分析晶片。此外，通过清洗处理除去位于分析晶片上的杂质。

5. 发明公开

KR1020030073935A 반도체 웨이퍼에 형성된 박막 두께 측정 방법 无效
标题翻译：用于测量半导体膜形成薄膜厚度的方法
公开(公告)号：KR1020030073935A
公开(公告)日：2003-09-19
申请号：KR1020020013721
申请日：2002-03-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이병범
IPC分类号： H01L21/66
摘要： PURPOSE: A method for measuring the thickness of a thin film formed on a semiconductor wafer is provided to reduce a time loss that a reference value is determined before a loaded silicon wafer is unloaded, by determining the reference value while using a silicon chip attached to a stage of thickness measuring equipment. CONSTITUTION: The wafer whose thickness is to be measured is loaded into the stage(100) of the thickness measuring equipment. The reference value in measuring the thickness is set up by using the silicon chip positioned in the stage. The thickness of the wafer loaded into the stage is measured. The wafer is unloaded.
摘要翻译：目的：提供一种用于测量形成在半导体晶片上的薄膜的厚度的方法，以减少在加载的硅晶片卸载之前确定参考值的时间损耗，通过在使用附接到厚度测量设备的一个阶段。规定：将要测量其厚度的晶片装载到厚度测量设备的台（100）中。测量厚度时的参考值是通过使用位于载物台中的硅芯片来设定的。测量加载到载物台中的晶片的厚度。晶片卸载。

6. 发明公开

KR1019990058170A 반도체 계측설비 및 이의 반도체 공정결과 계측방법 无效
标题翻译：半导体测量设备及其半导体处理结果的测量方法
公开(公告)号：KR1019990058170A
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019970078257
申请日：1997-12-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이병범 , 김봉수
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 본 발명은 반도체 계측설비 및 이의 반도체 공정결과 계측방법에 관한 것으로, 본 발명에서는 스테이션에 웨이퍼들의 로트 아이디들을 파악할 수 있는 바코드 리딩 장치를 구비하고, 이를 통해, 계측설비가 작업자의 전산작업 없이도 각 웨이퍼들의 로트 아이디를 자동으로 인식할 수 있도록 함으로써, 첫째, 계측 데이터의 잘못된 관리를 미연에 방지할 수 있으며, 둘째, 작업자의 업무부담을 현저히 저감시킬 수 있다.

7. 发明公开

KR1020040066649A 유량 측정 장치 无效
标题翻译：用于测量流量的装置
公开(公告)号：KR1020040066649A
公开(公告)日：2004-07-27
申请号：KR1020030003777
申请日：2003-01-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전태승 , 고영민 , 이병범
IPC分类号： G01F23/00
CPC分类号： G01F1/206 , G01D11/26 , G01F15/06
摘要： PURPOSE: A flow rate measurement apparatus is provided to check a status of exhaust gas exhausted through a gas pipe with a naked eye without using an additional measurement device. CONSTITUTION: A flow rate measurement apparatus includes a gas pipe(110), a gauge(130) installed in the gas pipe(110), and a transparent window(120) forming one portion of the gas pipe(110). The gas pipe(110) is used for discharging exhaust gas to an exterior and has a conical shape. The gauge(130) has a semi-circular shape. The gauge(130) is exposed to exhaust gas for a long time so that the gauge(130) is made from a material having an erosion resistance property. The gauge(130) is connected to an inner portion of the gas pipe(110) by means of a hinge(140).
摘要翻译：目的：提供一种流量测量装置，用于通过肉眼检查通过气体管道排出的排气的状态，而不使用附加的测量装置。构成：流量测量装置包括气体管道（110），安装在气体管道（110）中的量规（130）和形成气体管道（110）的一部分的透明窗口（120）。气体管道（110）用于将废气排放到外部并具有圆锥形状。量规（130）具有半圆形形状。仪表（130）长时间暴露于废气，使得量规（130）由具有耐侵蚀性的材料制成。仪表（130）通过铰链（140）连接到气体管道（110）的内部。

8. 发明公开

KR1020080017658A 반도체 소자 제조장비에서의 램프 교체장치 및 그에 따른램프 교체방법 无效
标题翻译：在半导体制造设备中改变灯的装置和方法
公开(公告)号：KR1020080017658A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：KR1020060079106
申请日：2006-08-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김계원 , 김문경 , 송원관 , 이병범 , 이진선
IPC分类号： H01L21/66
摘要： An apparatus and a method for replacing a lamp in equipment for manufacturing a semiconductor device are provided to execute automatically the management and change of the lamp by minimizing interference between equipment. An apparatus for changing a lamp includes lamps(201 204), a lamp turret unit(200), and replacing monitoring units(100,101,102). The lamps are operated as the illumination unit of a measuring unit mounted in semiconductor equipment. The lamp turret unit sets one of the lamps at a set position in response to turret rotation force while setting another one except for the one of the lamps in the set position during a constant time. The replacing monitoring units counts the constant time and generates the turret rotation force.
摘要翻译：提供一种用于更换用于制造半导体器件的设备中的灯的装置和方法，以通过最小化设备之间的干扰来自动执行灯的管理和改变。一种用于更换灯的装置包括灯（201 204），灯转塔单元（200）和更换监控单元（100,101,102）。这些灯作为安装在半导体设备中的测量单元的照明单元来操作。灯塔单元响应于转塔转动力将一个灯设置在设定位置，同时在一定时间内将另一个灯除了一个灯外设置在设定位置。替换监控单元计数恒定时间并产生转塔旋转力。

9. 发明公开

KR1019990060943A 반도체장치 제조용 계측설비의 기준 웨이퍼 및 이의 제조방법 无效
标题翻译：用于半导体器件制造的测量设备的参考晶片及其制造方法
公开(公告)号：KR1019990060943A
公开(公告)日：1999-07-26
申请号：KR1019970081190
申请日：1997-12-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이진선 , 이병범
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 본 발명은 반도체장치 제조용 계측설비의 기준 웨이퍼 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 기준 웨이퍼 상에는, 서로 단차진 복수의 계단이 구비되는 계단형상의 특정막이 형성되어 있고, 본 발명에 따른 기준 웨이퍼 제조방법은, 특정막이 형성된 웨이퍼 상에 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 특정막을 1차 식각하는 단계, 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 제거함으로서 제 1 식각영역 및 제 1 계단을 형성하는 단계, 상기 제 1 계단 상부와 상기 제 1 계단과 연계되는 상기 제 1 식각영역의 소정영역을 마스킹하는 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제 2 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 특정막을 2차 식각하는 단계 및 상기 제 2 포토레지스트 패턴을 제거함으로서 제 2 식각영역 및 제 2 계단을 형성하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징 으로 한다.
따라서, 한 장의 기준 웨이퍼를 사용하여 캘리브레이션 작업을 용이하게 진행할 수 있는 효과가 있다.

10. 发明公开

KR1019990058169A 웨이퍼 카세트 구조 无效
标题翻译：晶圆盒式结构
公开(公告)号：KR1019990058169A
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019970078256
申请日：1997-12-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이병범
IPC分类号： H01L21/68
摘要： 본 발명은 웨이퍼 카세트 구조에 관한 것으로, 본 발명에서는 웨이퍼 카세트의 손잡이 인접부 뿐만 아니라, 그것의 저부에도 웨이퍼들의 로트 아이디들을 전달할 수 있는 바코드를 구비시킴으로써, 계측설비가 작업자의 전산작업 없이도 각 웨이퍼들의 로트 아이디를 자동으로 인식하게 할 수 있으며, 또한, 작업자의 전산작업을 미연에 방지시킴으로써, 작업자의 업무부담을 현저히 저감시킬 수 있다.

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