专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020170102658A 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 审中-实审
公开(公告)号：KR1020170102658A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：KR1020160025041
申请日：2016-03-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이방린 , 이금희 , 이선영 , 최현호
IPC分类号： C07F15/00 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/00 , H05B33/14
CPC分类号： H01L51/0087 , C07F15/0086 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/1033 , C09K2211/1044 , C09K2211/1088 , C09K2211/185 , H01L51/0094 , H01L51/5012 , H01L51/5016
摘要： 유기금속화합물및 이를포함한유기발광소자가제시된다.

2. 发明公开

KR1020170039443A 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 审中-实审
公开(公告)号：KR1020170039443A
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：KR1020150138594
申请日：2015-10-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이금희 , 황규영 , 곽윤현 , 권오현 , 전아람 , 최현호 , 최병기
IPC分类号： C07F15/00 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/00
CPC分类号： H01L51/0085 , C07F15/0033 , C09K11/06 , C09K2211/1029 , C09K2211/185 , H01L51/0081 , H01L51/5016 , H01L51/5206 , H01L51/5221
摘要： 유기금속화합물및 상기유기금속화합물을포함한유기발광소자가개시된다.

3. 发明公开

KR1020170021737A 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 审中-实审
标题翻译：有机金属化合物和含有它们的有机发光器件
公开(公告)号：KR1020170021737A
公开(公告)日：2017-02-28
申请号：KR1020160101888
申请日：2016-08-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최종원 , 곽윤현 , 이금희 , 이방린 , 이정인 , 구현 , 김상동
IPC分类号： C07F15/00 , C07F7/02 , C09K11/06 , H01L51/50
摘要： 유기금속화합물및 상기유기금속화합물을포함한유기발광소자가개시된다.
摘要翻译：公开了含有上述有机金属化合物的有机金属化合物和有机发光器件。

4. 发明授权

KR100327227B1 표면광 레이저 및 그 제조방법 失效
标题翻译：表面光激光器及其制造方法
公开(公告)号：KR100327227B1
公开(公告)日：2002-06-20
申请号：KR1019980042548
申请日：1998-10-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이금희 , 이정관
IPC分类号： H01S5/30
摘要： 선택적 산화법에 의하여 전류의 흐름을 가이드하는 고저항부가 형성되는 표면광 레이저 및 그 제조방법이 개시되어 있다.
개시된 표면광 레이저는 인가된 전원에 의해 레이저 광을 생성 조사하는 포스트와; 포스트 주위의 상부반사기층과, 활성층 및 하부반사기층의 적어도 일부분에 걸쳐 인입 형성된 트렌치와; 트렌치에 의해 소정 간격 이격된 채로 포스트를 감싸도록 형성된 블록과; 윈도우 및 그 주위를 제외한 포스트 상면 일부와, 트렌치 및, 블록 상에 형성된 절연막과; 절연막 상부에 형성되며, 윈도우 주변에서는 포스트 상면에 직접 형성된 상부전극과; 기판 하면에 형성된 하부전극;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 그 제조방법으로 인입된 트렌치를 형성하여, 트렌치를 경계로 포스트와, 포스트를 감싸도록 된 블록으로 구분하는 단계와; 소정 시간동안 수증기 분위기에서 산화에 의해 고저항부를 형성하는 단계와; 절연막을 형성하는 단계와; 상부전극을 형성하는 단계와; 기판을 소정 두께로 래핑하고, 그 래핑면에 하부전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

5. 发明公开

KR1020000051561A 표면광 레이저 어레이 및 그 제조방법 失效
标题翻译：垂直孔表面激光（VCSEL）阵列的装置和制造方法
公开(公告)号：KR1020000051561A
公开(公告)日：2000-08-16
申请号：KR1019990002093
申请日：1999-01-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이금희
IPC分类号： H01S3/0941
摘要： PURPOSE: A device and manufacturing method for Vertical Cavity Surface Emitting Laser(VCSEL) array is provided to successfully eliminate a space removal process by forming a trench near a post of a vertical cavity surface emitting laser. CONSTITUTION: A device and manufacturing method for Vertical Cavity Surface Emitting Laser(VCSEL) array includes the following steps. Forming lower reflective layer(110), revitalization layer(120), oxidation layer, and upper reflective layer(140) by setting the layers one by one on a substrate(100, 100'). Separating a post(200) array and the areas near a post(200). Forming a high-voltage unit(135) by oxidation of oxidation layer. Revealing parts of the upper reflective layer(140) on the post(200) by detecting parts of an insulator film(150). Forming a upper electrode(160) on the revealed part of the upper reflective layer(140) and the upper part of the insulator film(150) so as to independently submit electricity to each posts(200). Forming a lower electrode(170) on a rapping part after rapping the substrate(100, 100').
摘要翻译：目的：提供垂直腔面发射激光器（VCSEL）阵列的装置和制造方法，以通过在垂直腔表面发射激光器的柱附近形成沟槽来成功地消除空间去除过程。构成：用于垂直腔面发射激光（VCSEL）阵列的装置和制造方法包括以下步骤。通过在衬底（100,100'）上逐层地设置层来形成下反射层（110），振动层（120），氧化层和上反射层（140）。分离柱（200）阵列和柱（200）附近的区域。通过氧化层形成高压单元（135）。通过检测绝缘膜（150）的部分，显示柱（200）上的上反射层（140）的部分。在上反射层（140）的露出部分和绝缘膜（150）的上部形成上电极（160），以便独立地向每个支柱（200）提供电力。在敲击基板（100,100'）之后，在敲击部分上形成下电极（170）。

6. 发明授权

KR100234339B1 모니터용 광검출기 일체형 광출력장치 失效
公开(公告)号：KR100234339B1
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019960049349
申请日：1996-10-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이금희 , 제임스에이로트
IPC分类号： H01S3/13
摘要： 모니터용 광검출기 일체형 광출력장치가 개시되어 있다.
이 모니터용 광검출기 일체형 광출력장치는 기판과, 이 기판상에 집적되어 입사광을 수광하는 모니터용 광검출수단과, 광검출수단상에 순차로 적층된 제1반사기층, 활성층, 제2반사기층을 포함하여 적층 방향으로 광을 출사하는 표면광 레이저와, 제1반사기층과 마주하는 광검출수단상의 일부와 제2반사기층상에 각각 형성된 제1 및 제2전극을 구비한 모니터용 광검출기 일체형 광출력장치에 있어서, 광검출수단은 표면광 레이저의 하면으로 출사되는 광을 수광할 수 있도록 순차로 적층 형성된 제1 및 제2모니터용 광검출기와, 제1모니터용 광검출기의 노출된 상면과 기판의 하면에 각각 형성된 제3 및 제4전극과, 제2모니터용 광검출기의 하부층상의 노출면에 형성된 제5전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 표면광 레이저에서 출사되는 광량의 변화를 알 수 있으므로 출사되는 광량을 일정하게 유지하도록 효과적으로 제어할 수 있다.

7. 发明公开

KR1020160064952A 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 审中-实审
标题翻译：有机化合物和有机发光装置，包括它们
公开(公告)号：KR1020160064952A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：KR1020150103013
申请日：2015-07-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이금희 , 권오현 , 황규영 , 곽윤현 , 최현호
IPC分类号： C07F15/00 , C07F7/02 , C07F7/28 , C09K11/06 , H01L51/50
摘要： 유기금속화합물및 상기유기금속화합물을포함한유기발광소자가개시된다.
摘要翻译：公开了由化学式1表示的有机金属化合物M（L_1）_（n1）（L_2）_（n2）。此外，还公开了包含有机金属化合物的有机发光器件。根据本发明，包括有机金属化合物的有机发光器件显示出优异的驱动电压，电流效率，电力和寿命特性。

8. 发明公开

KR1020030088252A 가스 공급 시스템 및 이의 가스 배출 방법 无效
标题翻译：气体供应系统及其排气方法
公开(公告)号：KR1020030088252A
公开(公告)日：2003-11-19
申请号：KR1020020026317
申请日：2002-05-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 허종렬 , 조도현 , 김필원 , 강형돈 , 임충현 , 최원석 , 이금희 , 이원정 , 서정석 , 권순홍
IPC分类号： H01L21/02
摘要： PURPOSE: A gas supply system and a gas exhausting method thereof are provided to be capable of minimizing the exhaust of gas residues by controlling the exhausted volume of the liquefied gas by-passed when abnormality happens to a semiconductor manufacturing process. CONSTITUTION: A gas supply system is provided with a gas supply part(50) for supplying the mixed gas of liquefied gas and carrier gas to a chamber(60), a gas removing part(58) located at a gas line(78) between the gas supply part and the chamber for removing the mixed carrier gas, and a gas exhaust part(70) connected with vacuum lines(80a,80b) branched off from the gas line and the gas removing part when abnormality happens to a semiconductor manufacturing process for filtering and exhausting the liquefied gas by-passed through the vacuum lines. The gas supply system further includes a gas detecting part(72) installed at the vacuum line for alarming a worker when detecting the by-passed liquefied gas and a flow control valve(74) installed at the vacuum line for controlling the flow of the by-passed liquefied gas.
摘要翻译：目的：提供一种气体供给系统及其排气方法，其能够通过在半导体制造过程中发生异常时通过控制被排出的液化气体的排出体积来最小化排气。构成：气体供应系统设置有气体供应部分（50），用于将液化气体和载体气体的混合气体供应到室（60），气体去除部分（58）位于气体管线（78）之间，气体供给部和用于除去混合载气的室，以及当从半导体制造过程发生异常时从与气体管线分支的真空管线（80a，80b）和气体除去部分连接的气体排出部（70）用于过滤和排出通过真空管线的液化气体。气体供给系统还包括安装在真空管路处的气体检测部（72），用于在检测旁路液化气体时对工作人员进行报警;以及流量调节阀（74），其安装在真空管路处，用于控制通过通过液化气。

9. 发明授权

KR100234340B1 광출력장치 失效
标题翻译：具有集成照相晶体管的表面发射激光器，用于电力稳定
公开(公告)号：KR100234340B1
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019960049775
申请日：1996-10-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이금희 , 신현국 , 이용희
IPC分类号： H01S3/13
CPC分类号： H01S5/0264 , H01L31/173 , H01S5/0683 , H01S5/18308
摘要： 모니터 효율 및 광출력특성이 개선된 표면광 레이저를 채용한 광출력장치가 개시되어 있다.
이 광출력장치는 기판과 이 기판의 상부에 형성되어 광을 생성하는 활성층과 이 활성층의 하,상면에 각각 형성되어 생성된 광을 반사시킴으로써 공진시키는 제1 및 제2반사기층과 기판의 하면과 제2반사기층의 상면 일부에 각각 형성된 제1 및 제2전극을 포함하며 적층 방향으로 광을 출사하는 표면광 레이저와, 표면광 레이저에서 출사되는 광의 일부를 검출하여 그 출사광량을 모니터링할 수 있도록 제2반사기층 상에 적층 형성된 모니터용 광검출기를 구비하며, 모니터용 광검출기는 제2반사기층 상에 순차로 적층 형성된 제1반도체물질층 흡수층 및 제2반도체물질층과, 제2반도체물질층 상에 형성되어 모니터용 광검출기의 검출신호를 출력하도록 된 제3전극과, 흡수층의 하부에 형성되어 표면광 레이저로부터 모니터용 광검출기쪽으로 입사되는 광� � 일부를 차단시키는 제어층을 포함하여 된 것을 특징으로 한다.

10. 发明公开

KR1020170035257A 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 审中-实审
公开(公告)号：KR1020170035257A
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：KR1020150134134
申请日：2015-09-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황규영 , 권오현 , 곽승연 , 이금희 , 전아람 , 최현호 , 최병기
IPC分类号： C07F15/00 , C07F7/28 , C07D471/04 , C07D403/04 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/0085 , C07F15/0026 , C07F15/0033 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1044 , C09K2211/185 , H01L51/5016
摘要： 유기금속화합물및 상기유기금속화합물을포함한유기발광소자가개시된다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式