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热词
    • 1. 发明公开
    • 발광소자 및 그 제조방법
    • 发光装置及其制造方法
    • KR1020120110867A
    • 2012-10-10
    • KR1020110029029
    • 2011-03-30
    • 삼성전자주식회사
    • 백호선김학환오승경
    • H01L33/36
    • H01L33/0079H01L33/007H01L33/0075H01L33/22H01L33/382H01L33/385H01L33/44H01L33/505H01L33/62H01L2933/0016
    • PURPOSE: A light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to simplify a process by forming electrode materials to pass through insulating materials. CONSTITUTION: A compound semiconductor structure(120) includes a first N-type compound semiconductor layer(123), an active layer(122) and a P-type semiconductor layer(121). A P-type electrode layer(150) is formed on the upper side of the P-type compound semiconductor layer. The P-type electrode layer is electrically connected to the P-type compound semiconductor layer. A plurality of insulating walls(131,132) is arranged on both sides of the compound semiconductor structure. A plurality of N-type electrode layer(141,142) is formed to pass through the plurality of insulting walls.
    • 目的:提供发光器件及其制造方法,以通过形成通过绝缘材料的电极材料来简化工艺。 构成:化合物半导体结构(120)包括第一N型化合物半导体层(123),有源层(122)和P型半导体层(121)。 P型电极层(150)形成在P型化合物半导体层的上侧。 P型电极层与P型化合物半导体层电连接。 多个绝缘壁(131,132)布置在化合物半导体结构的两侧。 多个N型电极层(141,142)形成为穿过多个绝缘壁。
    • 6. 发明公开
    • 발광소자 패키지
    • 发光装置包装
    • KR1020120021592A
    • 2012-03-09
    • KR1020100076823
    • 2010-08-10
    • 삼성전자주식회사
    • 오승경김형근백호선정석호
    • H01L33/50
    • H01L33/507H01L33/502H01L33/52H01L33/58
    • PURPOSE: A light emitting device package is provided to prevent the re-absorption of a fluorescent substance by forming the distance between a light-emitting device chip and a photo converter by 2-17times of the height of the light-emitting device chip. CONSTITUTION: A main body member(110) comprises a cavity(112). A light-emitting device chip(120) is mounted within the cavity. A photo converter(140) is formed in order to cover the cavity. The photo converter comprises a fluorescent layer more than a first floor. The distance between the photo converter and the light-emitting device chip is 2-17times of the height of the light-emitting device chip. A lens part is arranged on the upper side of the main body member. An UV reflective part reflects UV light emitted from the light-emitting device chip.
    • 目的:提供发光器件封装,以通过将发光器件芯片和光电转换器之间的距离设置为发光器件芯片的高度的2-17倍来防止荧光物质的再吸收。 构成:主体构件(110)包括空腔(112)。 发光器件芯片(120)安装在腔内。 形成光转换器(140)以覆盖空腔。 光转换器包括多于一层的荧光层。 光转换器与发光元件芯片之间的距离是发光元件芯片的高度的2-17倍。 透镜部配置在主体部件的上侧。 UV反射部反射从发光元件芯片发出的紫外线。
    • 7. 发明授权
    • 발광소자 및 그 제조방법
    • 发光装置及其制造方法
    • KR101766298B1
    • 2017-08-08
    • KR1020110029029
    • 2011-03-30
    • 삼성전자주식회사
    • 백호선김학환오승경
    • H01L33/36
    • H01L33/0079H01L33/007H01L33/0075H01L33/22H01L33/382H01L33/385H01L33/44H01L33/505H01L33/62H01L2933/0016
    • 발광소자및 그제조방법이개시되어있다. 개시된발광소자는제1 N형화합물반도체층, 활성층및 P형화합물반도체층을포함하는화합물반도체구조물; 상기 P형화합물반도체층의상면에마련되어, 상기 P형화합물반도체층과전기적으로연결되는 P형전극층; 상기화합물반도체구조물과상기 P형전극층의양단에마련된복수의절연벽; 상기복수의절연벽의상하부를관통하도록형성된복수의 N형전극층; 및상기복수의 N형전극층각각에대응되는복수의 N형전극연결층과, 상기 P형전극층에대응하는 P형전극연결층이분리형성된도전성기판을포함한다. 상기도전성기판은, 상하부를관통하는복수의홀과, 상기복수의홀에각각절연물질이채워져상기 P형전극연결층과상기 N형전극연결층을분리하는복수의분리격벽을포함한다.
    • 公开了一种发光器件及其制造方法。 所公开的发光器件包括:化合物半导体结构,其包括第一N型化合物半导体层,有源层和P型化合物半导体层; 设置在所述P型化合物半导体层的上表面上并且电连接到所述P型化合物半导体层的P型电极层; 多个绝缘壁,设置在化合物半导体结构和P型电极层的两端; 形成为贯穿多个绝缘壁的上部和下部的多个N型电极层; 以及与所述多个N型电极层对应的多个N型电极连接层以及在其上分别形成与所述P型电极层对应的P型电极连接层的导电基板。 导电衬底包括贯穿上部和下部的多个孔以及通过用绝缘材料填充多个孔来分隔P型电极连接层和N型电极连接层的多个分隔壁。
    • 8. 发明公开
    • 발광다이오드 패키지 및 이를 이용한 발광소자
    • 使用其的发光二极管封装和发光器件
    • KR1020150095430A
    • 2015-08-21
    • KR1020140016713
    • 2014-02-13
    • 삼성전자주식회사
    • 김정진권용민손민영오승경
    • H01L33/54
    • H01L33/505H01L24/97H01L33/54H01L2224/16225H01L2924/181H01L2924/1815H01L2933/0041H01L2924/00012
    • 본 발명은 발광다이오드 패키지 및 이를 이용한 발광소자에 대한 것으로서, 제1 및 제2 전극구조를 구비하는 패키지 본체; 제1 및 제2 전극이 형성된 일면을 가지며 상기 패키지 본체의 제1 및 제2 전극구조에 실장된 발광다이오드 칩; 상기 발광다이오드 칩의 상면에 배치되며 실질적으로 일정한 두께로 형성된 시트형상의 파장변환층; 및 상기 발광다이오드 칩 및 상기 파장변환층을 둘러 싸도록 배치되는 봉지부;를 포함하며,상기 봉지부는 상기 파장변환층과 실질적으로 평행한 상면을 가지며, 상기 봉지부의 각 측면에는 상기 상면을 향하는 복수개의 측면경사부가 형성되어, 색품질이 향상되는 효과가 있다.
    • 本发明涉及一种发光二极管封装以及使用其的发光器件。 本发明包括:具有第一和第二电极结构的封装体; 发光二极管芯片,其具有形成有第一和第二电极的一个表面,并且安装在封装主体的第一和第二电极结构上; 以及波长转换层,其设置在厚度均匀的片材形式的发光二极管的上表面上; 以及封装单元,其设置成围绕发光二极管芯片和波长转换层。 封装单元具有实质上平行于波长转换层的上表面和朝向封装单元两侧上表面的多个侧角部分,从而提高了颜色质量。
    • 9. 发明公开
    • LED 패키지용 렌즈 제조 방법
    • LED封装制造透镜的方法
    • KR1020110130847A
    • 2011-12-06
    • KR1020100050374
    • 2010-05-28
    • 삼성전자주식회사
    • 김학환백호선오승경김형근
    • H01L33/58H01L33/48
    • H01L24/97H01L2224/48091H01L2924/00014
    • PURPOSE: A method of manufacturing lens for an LED package is provided to obtain a plurality of LED packages at the same time by manufacturing lens and cutting it into a unit. CONSTITUTION: In a method of manufacturing lens for an LED package, a wafer(10) for the LED package having a plurality of LED element areas is provided. The wafer for the LED package comprises a semiconductor wafer(12) and a bonding substrate(11). A mold(16) has a concave part(16a) corresponding to the shape of a lens to be formed in each LED element area. A release film(14) having unevenness pattern is arranged in the concave part of the mold. An unevenness pattern(14a) is formed in the surface of the molded lens.
    • 目的:提供一种制造用于LED封装的透镜的方法,以通过制造透镜并将其切割成一个单元同时获得多个LED封装。 构成:在制造用于LED封装的透镜的方法中,提供了具有多个LED元件区域的用于LED封装的晶片(10)。 用于LED封装的晶片包括半导体晶片(12)和接合衬底(11)。 模具(16)具有与要形成在每个LED元件区域中的透镜的形状相对应的凹部(16a)。 具有凹凸图案的剥离膜(14)设置在模具的凹部中。 在模制透镜的表面中形成凹凸图案(14a)。