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热词
    • 4. 发明公开
    • 오버 슈트 전압의 산출 방법 및 그를 이용한 게이트 절연막열화분석방법
    • 用于制造在晶体管上提供的过电压电压的方法和使用其的门绝缘降解分析
    • KR1020100037807A
    • 2010-04-12
    • KR1020080097096
    • 2008-10-02
    • 삼성전자주식회사
    • 김성수신만영안장혁김성은이남형조용상
    • G01R19/30G01R31/26H01L21/66
    • G01R31/2623
    • PURPOSE: A method for producing an overshoot voltage supplied to a transistor and a gate insulation degradation analysis used the same are provided to easily calculate an overshoot voltage by using a time of supplying an input voltage and overvoltage out of the input voltage. CONSTITUTION: A first extraction value is corresponded to the multiply of acceleration elements. The acceleration elements are obtained in a test of the transistor. The transistor is formed on the wafer. The Transistor is employed in the circuit. The voltage out of the input voltage is received from the circuit. The time of supplying the voltage is calculated. A second extraction value is obtained by dividing the first extraction value with the supply time. The overshoot voltage is obtained by multiplying the second extraction value with the input value(S22).
    • 目的:提供用于产生提供给晶体管的过冲电压的方法和使用其的栅极绝缘劣化分析,以便通过使用从输入电压提供输入电压和过电压的时间来容易地计算过冲电压。 构成:第一提取值对应于加速度元素的乘法。 在晶体管的测试中获得加速元件。 晶体管形成在晶片上。 晶体管用于电路。 从电路接收输入电压的电压。 计算供电时间。 通过将第一提取值与供给时间相除来获得第二提取值。 通过将第二提取值与输入值相乘来获得过冲电压(S22)。
    • 6. 发明公开
    • 시스템 온 칩의 테스트 시스템 및 그것의 테스트 방법
    • SOC测试系统及其测试方法
    • KR1020150096612A
    • 2015-08-25
    • KR1020140069370
    • 2014-06-09
    • 삼성전자주식회사
    • 신만영안장혁
    • G06F11/36G06F11/273
    • 본 발명에 따른 복수의 시스템 온 칩들을 테스트하는 테스트 시스템은, 제공받은 테스트 케이스에 따라 장착되는 시스템 온 칩들 각각을 테스트하는 복수의 테스트 유닛들, 상기 테스트 유닛들 각각에 상기 테스트 케이스에 대응하는 레벨의 직류 전압을 공급하는 파워 서플라이, 상기 테스트 유닛들 각각에 상기 테스트 케이스에 따른 온도 제어 신호를 제공하고 상기 테스트 유닛들 각각으로부터 제공되는 상기 시스템 온 칩들 각각의 측정 온도를 모니터링하는 온도 제어부, 그리고 상기 복수의 테스트 유닛들 각각에서 테스트되는 상기 복수의 시스템 온 칩들 각각 구동 전압, 전류, 구동 주파수를 측정하여 분석하는 분석기를 포함하되, 상기 복수의 테스트 유닛들 각각은 상기 복수의 시스템 온 칩들 중 장착된 어느 하나에 대한 상기 테스트 케이스� � 적용하여 테스트하고, 상기 테스트 결과를 참조하여 상기 어느 하나의 시스템 온 칩에서 구동되는 소프트웨어의 불량 여부를 결정한다.
    • 根据本发明的测试芯片上的多个系统的测试系统包括测试沿着提供的测试用例安装的芯片上的每个系统的多个测试单元; 向每个测试单元提供与测试用例对应的电平的直流电压的电源; 温度控制部,其向所述测试单元提供所述测试用例上的温度控制信号;以及监视从每个测试单元提供的每个芯片系统的测量温度; 以及通过测量在每个测试单元上测试的每个片上系统的驱动电压,电流和驱动频率来分析的分析器,其中每个测试单元对安装在所述多个系统中的任何一个芯片上的任何人应用和测试所述测试用例,并且确定 参考测试结果的任何一个芯片上的驱动软件的缺陷。
    • 8. 发明公开
    • 전자 시스템의 결함 분석 방법
    • 分析电子系统故障的方法
    • KR1020160061237A
    • 2016-05-31
    • KR1020150063622
    • 2015-05-07
    • 삼성전자주식회사이화여자대학교 산학협력단
    • 안장혁박지현최병주
    • G06F11/30
    • 전자시스템의결함분석방법에서, 하드웨어를액세스하는시스템콜이, 상기시스템콜을실행하는코드및 모니터링정보를획득하는코드를포함하는후킹시스템콜로대체되고, 상기시스템콜을대신하여상기후킹시스템콜이호출될때, 상기후킹시스템콜을실행하여시스템콜 실행정보및 하드웨어성능정보를포함하는상기모니터링정보가획득되며, 상기모니터링정보에기초하여상기전자시스템의결함을분석하도록상기모니터링정보가기록된다. 이에따라, 결함검출을위한전용하드웨어없이하드웨어및/또는소프트웨어결함이효율적으로분석될수 있다.
    • 在用于分析电子系统的故障的方法中,通过包括执行系统呼叫的代码和获取监视信息的代码的挂接系统调用代替访问硬件的系统调用,所述监视信息包括系统调用执行信息和硬件性能 当呼叫系统呼叫而不是系统呼叫时执行挂机系统呼叫获得信息,并且记录监视信息以基于监视信息分析电子系统的故障。 因此,可以有效地分析硬件和/或软件的故障,而不需要用于检测故障的专用硬件。