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1. 发明公开

KR1020100104325A 단말 장치 및 단말 장치의 중계 노드 선택 방법 有权
标题翻译：终端设备和选择终端继电器节点的方法
公开(公告)号：KR1020100104325A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：KR1020090022661
申请日：2009-03-17
申请人： 삼성전자주식회사 , 고려대학교 산학협력단
发明人： 서정훈 , 김성진 , 고영채 , 황규성
IPC分类号： H04L12/28 , H04B7/02
CPC分类号： H04L25/24 , H04L45/22 , H04L69/14 , H04W40/16
摘要： PURPOSE: A terminal device and a method for selecting a relay node of the terminal device are provided to reduce the system complexity by sequentially checking channel state information for plural relay nodes in a cooperative communication system. CONSTITUTION: A sequence setting unit(211) sets a test sequence for plural relay nodes, and a measurement unit(212) measures an output SNR(Signal to Noise Ratio) for a high relay node based on the test sequence. If the output SNR is larger than the threshold value, a selection unit(213) selects the high relay node as a relay node which performs the cooperative communication.
摘要翻译：目的：提供一种用于选择终端设备的中继节点的终端设备和方法，以通过在协作通信系统中顺序地检查多个中继节点的信道状态信息来降低系统复杂度。构成：序列设定部（211）设定多个中继节点的测试序列，测定部（212）根据测试顺序测定高中继节点的输出SNR（信噪比）。如果输出SNR大于阈值，则选择单元（213）选择高中继节点作为执行协作通信的中继节点。

2. 发明公开

KR1020100049273A 슬라이딩 장치 및 이를 구비하는 휴대용 통신 장치 无效
标题翻译：具有相同的滑动装置和便携式通信装置
公开(公告)号：KR1020100049273A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：KR1020080108372
申请日：2008-11-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 안성호 , 진재철 , 서정훈 , 심선희 , 조영인
IPC分类号： H04B1/38
CPC分类号： H04M1/0237
摘要： PURPOSE: A sliding device and a portable communication device including the same are provided to extend the lifetime of spring using compression and extension springs altogether for sliding. CONSTITUTION: A rotary supporting member(130) comprises the first accommodation space and is fixed and coupled to the body housing. A sliding member comprises the second accommodation space and is fixed and coupled to the sliding housing. The sliding member is combined with the rotary supporting member to slide in the sliding of the sliding housing. A pair of compressive springs(150) is included in the first accommodation space and provides the compressive force for the sliding. A pair of extension springs(160) is included in the second accommodation space and provides the tensile force for the sliding.
摘要翻译：目的：提供一种滑动装置和包括该滑动装置的便携式通信装置，以通过使用压缩和拉伸弹簧来延伸弹簧的寿命来滑动。构成：旋转支撑构件（130）包括第一容纳空间并且固定并联接到主体壳体。滑动构件包括第二容纳空间并且固定并联接到滑动壳体。滑动构件与旋转支撑构件组合以在滑动壳体的滑动中滑动。一对压缩弹簧（150）包括在第一容纳空间中并提供用于滑动的压缩力。一对延伸弹簧（160）包括在第二容纳空间中并提供用于滑动的张力。

3. 发明公开

KR1020090118802A 다중 입출력 통신 시스템을 위한 교란 벡터를 이용한 디코더 및 디코딩 방법 有权
标题翻译：多输入多输出通信系统使用PERTURBATION VECTOR的解码器和解码方法
公开(公告)号：KR1020090118802A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：KR1020080090726
申请日：2008-09-16
申请人： 삼성전자주식회사 , 퍼듀 리서치 파운데이션
发明人： 서정훈 , 알루코오바다밀로아 , 김성진 , 러브데이비드제이. , 크로그마이어제임스.브이.
IPC分类号： H04B7/04
CPC分类号： H04B7/0452 , H04L25/03235 , H04L25/03242 , H04L25/03254 , H04L25/03318 , H04L25/03331 , H04L25/03891 , H04L25/03968 , H04L2025/03426 , H04L2025/03624
摘要： PURPOSE: A decoder using perturbation vector for a multiple input multiple output communication system and a decoding method thereof are provided to use a pre perturbation decoder or a post perturbation vector perturbing estimation values of a receiving vector or a transmitting symbol, thereby improving decoding performance. CONSTITUTION: A post perturbation decoder includes a spatial filter(210), a post perturbation vector provider(220), a candidate extractor(230) and a determiner(240). The spatial filter performs spatial filtering of a received vector. The post perturbation vector provider provides post perturbation vectors. The candidate extractor perturbs an estimation value of a transmission symbol vector through the post perturbation vectors. The candidate extractor extracts candidates of the transmission symbol vector. The determiner performs determination based on the candidates of the transmission symbol vector.
摘要翻译：目的：提供一种使用用于多输入多输出通信系统的扰动向量的解码器及其解码方法，以利用接收向量或发送符号的预扰动解码器或后置扰动向量扰动估计值，从而提高解码性能。构成：后置扰动解码器包括空间滤波器（210），后置扰动矢量提供器（220），候选提取器（230）和确定器（240）。空间滤波器对接收的矢量执行空间滤波。后扰动向量提供者提供后置扰动向量。候选提取器通过后置扰动向量扰乱传输符号向量的估计值。候选提取器提取发送符号向量的候选。确定器基于发送符号向量的候选来执行确定。

4. 发明授权

KR100861931B1 패킷 수집에 적합한 버퍼 디스크립터 구성 장치 및 방법 有权
标题翻译：缓冲描述符构成装置和分组聚合方法
公开(公告)号：KR100861931B1
公开(公告)日：2008-10-09
申请号：KR1020050049624
申请日：2005-06-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이동준 , 서정훈 , 장경훈 , 김영수 , 이태진 , 안현기
IPC分类号： H04L12/879
CPC分类号： H04L47/2441 , H04L49/90 , H04L49/901 , H04L49/9042 , H04L49/9094
摘要： 패킷 수집(Packet Aggregation)을 위한 버퍼 장치 및 방법은, 상기 패킷들의 위치정보를 비트맵으로 구성하고 있는 수집 생성기와, 상기 패킷들의 위치 정보를 이용하여 패킷을 수집하는 수집 제어기에서, 비트맵으로 구성된 프레임 디스크립터(Frame Descriptor)들의 위치정보를 이용하여 패킷들을 수집하는 과정과, 상기 수집된 패킷들을 하나의 수집 PSDU(PHY Service Data Unit)으로 구성하여 목적지로 전송하는 과정과, 상기 전송한 결과를 상기 프레임 디스크립터의 상태 정보에 기록하는 과정을 포함하여, 수집(Aggregation)시 TID(Traffic ID) 검색에 따른 오버헤드가 줄기 때문에 상기 수집에 따른 검색 시간을 단축할 수 있고, 상기 비트맵을 통하여 같은 종류의 트래픽은 상기 TID가 같기 때문에 대략적인 지연 시간 예상이 가능하므로 상기 TID별로 선택적인 프레임의 폐기가 가능하여 QoS를 향상 시킬 수 있는 이점이 있다.
패킷 수집(Packet Aggregation), 버퍼 디스크립터(Buffer Descriptor), 프레임 디스크립터(Frame Descriptor), 비트맵(Bitmap)

5. 发明授权

KR100850912B1 무선통신시스템에서 전력 절약 장치 및 방법 有权
标题翻译：无线通信系统中省电的装置和方法
公开(公告)号：KR100850912B1
公开(公告)日：2008-08-07
申请号：KR1020050051186
申请日：2005-06-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장경훈 , 김영수 , 서정훈 , 이동준 , 박종호 , 이태진
IPC分类号： H04L12/28
CPC分类号： H04W52/0216 , H04W52/0232 , Y02D70/142
摘要： 본 발명은 무선통신시스템에서 전력 절약 장치 및 방법에 관한 것으로, 접속점(Access Point)이, 슬립모드인 단말기들로 전송할 프레임들을 슬립모드용 버퍼에 버퍼링하는 과정과, 단말기(station)가, 웨이크업시, 웨이크업을 통보하는 제1 제어정보 프레임을 상기 접속점으로 전송하는 과정과, 상기 접속점이, 상기 제1 제어정보 프레임에 응답하는 요청송신시간을 포함하는 제2 제어정보 프레임을 상기 단말기로 전송하는 과정과, 상기 단말기가, 상기 제2 제어정보 프레임에 응답하는 제3 제어정보 프레임을 생성하고, 상기 제3 제어정보 프레임과 송신 프레임들을 제1 프로토콜 유닛으로 집성(aggregation)하여 상기 접속점으로 전송하는 과정과, 상기 접속점이, 상기 제3 제어정보 프레임에 응답하는 제4 제어정보 프레임을 생성하고, 상기 제4 제어정보 프레임과 상기 단말기의 버퍼링 프레임들을 제2 프로토콜 데이터 유닛으로 집성(aggregation)하여 상기 단말기로 전송하는 과정을 포함한다.
전력절약모드, 무선랜, 슬립모드, 집성(Aggregation)

6. 发明授权

KR100799703B1 막 형성 방법 및 반응 부산물의 제거 방법 失效
标题翻译：形成层的方法和去除工艺的副产物的方法
公开(公告)号：KR100799703B1
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：KR1020050102949
申请日：2005-10-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서정훈 , 홍진기 , 최윤호 , 권현철 , 이은택 , 김진호
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/76841 , C23C16/4405 , C23C16/45508 , H01L21/28556
摘要： 막 형성 방법은 제1 웨이퍼에 티타늄 막 및 티타늄 질화막을 순차적으로 형성한다. 상기 티타늄 질화막 형성시 챔버의 내부에 흡착된 반응 부산물을 제거한다. 이후 제2 웨이퍼에 대해 티타늄 막 형성, 티타늄 질화막 형성 및 반응 부산물 제거를 반복하여 수행한다. 따라서 막 형성시 티타늄 질화막 형성에 따른 반응 부산물의 리프팅을 방지할 수 있다.

7. 发明公开

KR1020080002547A 폐 루프 방식의 다중 안테나 시스템에서 데이터송/수신장치 및 방법 有权
标题翻译：用于在闭环多天线系统中发送/接收数据的装置和方法
公开(公告)号：KR1020080002547A
公开(公告)日：2008-01-04
申请号：KR1020060061434
申请日：2006-06-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 주용싱 , 김성진 , 김호진 , 서정훈 , 박창순
IPC分类号： H04B7/04 , H04B7/02
CPC分类号： H04B7/0632 , H04B7/0404 , H04B7/0417 , H04B7/0452 , H04B17/309 , H04B7/0639
摘要： A data transmitting/receiving device in a closed loop-type multi-antenna system and a method thereof are provided to enable a receiving device to configure feedback information by only common channel quality information and optimal channel quality information, thereby reducing the amount of feedback information. Channel quality information on each data stream is obtained through channel estimation for a receiving signal(310). At least one piece of channel quality information is selected by good sequence from the obtained channel quality information(312). Common channel quality information is calculated by using the obtained channel quality information(314). Indexes of the common channel quality information, the one channel quality information, data streams corresponding to the one channel quality information are transmitted to a transmission side as feedback information(316).
摘要翻译：提供一种闭环型多天线系统中的数据发送/接收装置及其方法，以使得接收装置仅通过公共信道质量信息和最佳信道质量信息来配置反馈信息，从而减少反馈信息量。通过对于接收信号（310）的信道估计获得关于每个数据流的信道质量信息。从获得的信道质量信息（312）中以良好的顺序选择至少一条信道质量信息。通过使用获得的信道质量信息（314）来计算公共信道质量信息。将公共信道质量信息，一个信道质量信息，与一个信道质量信息对应的数据流的索引作为反馈信息发送到发送侧（316）。

8. 发明授权

KR100761757B1 막 형성 방법 失效
标题翻译：形成层的方法
公开(公告)号：KR100761757B1
公开(公告)日：2007-09-28
申请号：KR1020060077748
申请日：2006-08-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서정훈 , 이은택 , 김수환
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C23C16/08 , C23C16/34 , C23C16/4405 , C23C16/45565 , C23C16/4557
摘要： A layer forming method is provided to prevent powder from being produced on a stage and a showerhead by maintaining the showerhead at low temperature. A stage with a first protective layer is maintained at a first temperature, while a showerhead is maintained at a second temperature lower than the first temperature(S110). A second protective layer is formed in a chamber provided with the stage and the showerhead(S120). A layer is formed on a wafer in the chamber. When the layer is formed, by-products are removed from the inner surface of the chamber(S150). While the by-products are removed, the stage is maintained at the first temperature, while the showerhead is maintained at the second temperature.
摘要翻译：提供了一种层形成方法，以通过将喷头保持在低温下来防止粉末在舞台和喷头上产生。具有第一保护层的台阶保持在第一温度，而喷头保持在比第一温度低的第二温度（S110）。在设置有台架和喷头的室中形成第二保护层（S120）。在室中的晶片上形成层。当层形成时，从室的内表面除去副产物（S150）。当除去副产物时，将阶段保持在第一温度，而喷头保持在第二温度。

9. 发明公开

KR1020070038197A 반도체 소자의 제조에 사용되는 박막 형성 장치 无效
标题翻译：形成薄膜层的装置
公开(公告)号：KR1020070038197A
公开(公告)日：2007-04-10
申请号：KR1020050093220
申请日：2005-10-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서정훈 , 홍진기 , 최윤호 , 김진호 , 이은택
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/455 , C23C16/4401 , C23C16/513
摘要： 반도체 소자의 제조에 사용되는 박막 형성 장치에 관한 것으로서, 펄싱 타입으로 제공되는 소스 물질들을 이용하여 반도체 기판 상부에 박막을 적층하기 위한 반응 공간을 갖는 반응 챔버를 포함한다. 그리고, 상기 반응 챔버의 반응 공간 내부에 잔류하는 반응 부산물을 제거하기 위한 라디칼 형태의 물질을 생성하는 리모트 플라즈마 생성기를 포함한다. 이때, 상기 소스 물질들은 제1 제공 라인을 통하여 제공되고, 상기 라디칼 형태의 물질은 제2 제공 라인을 통하여 제공된다. 그리고, 상기 박막 형성 장치는 상기 제1 제공 라인과 인접하게 배치되는 시점 이전에 위치하는 제2 제공 라인에 연결되고, 상기 제1 제공 라인으로부터 상기 반응 챔버의 반응 공간으로 상기 소스 물질들을 제공할 때 상기 소스 물질들이 상기 제2 제공 라인으로 역류하는 것을 방지하기 위한 물질을 제공하는 제3 제공 라인을 포함한다.

10. 发明公开

KR1020070007498A 반도체 장치의 금속 실리사이드 콘택 형성 방법 无效
标题翻译：在半导体器件中形成金属硅化物接触的方法
公开(公告)号：KR1020070007498A
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：KR1020050062156
申请日：2005-07-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김현영 , 구경범 , 서정훈 , 김진호 , 홍진기
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/24
CPC分类号： H01L21/76889 , H01L21/28556 , H01L21/76814 , H01L21/76846
摘要： A method for fabricating a metal silicide contact of a semiconductor device is provided to control fitting generation upon fabricating a metal silicide and to prevent an overgrowth of the metal silicide by depositing a titanium layer in the state of curing defect sites. An insulating layer(102) is formed on a semiconductor substrate(100) having a conductive region on a surface thereof. The insulating layer is etched to form a contact hole(104) exposing the conductive region. The surface of the semiconductor substrate is processed by SiH4 gas. A titanium layer(108) is formed on a sidewall and a bottom surface of the contact hole, at the same time a metal silicide(110) is formed on an interface of the titanium layer and the semiconductor substrate. A titanium nitride layer(112) is formed on the titanium layer. A metal layer(114) is formed on the titanium nitride layer.
摘要翻译：提供了一种用于制造半导体器件的金属硅化物接触的方法，以在制造金属硅化物时控制拟合生成，并且通过在固化缺陷部位的状态下沉积钛层来防止金属硅化物的过度生长。在其表面上具有导电区域的半导体衬底（100）上形成绝缘层（102）。蚀刻绝缘层以形成暴露导电区域的接触孔（104）。半导体衬底的表面由SiH 4气体处理。在接触孔的侧壁和底面上形成钛层108，同时在钛层和半导体衬底的界面上形成金属硅化物110。在钛层上形成氮化钛层（112）。在氮化钛层上形成金属层（114）。

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