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1. 发明授权

KR102219096B1 성능 개선을 위한 패턴 구조가 적용된 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR102219096B1
公开(公告)日：2021-02-24
申请号：KR1020140101221
申请日：2014-08-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조근휘 , 박성일 , 홍병학 , 후카이,토시노리 , 김문현 , 김웅기 , 박수혜 , 김동원 , 하대원
IPC分类号： H01L29/78
摘要： 성능개선을위한패턴구조가적용된반도체장치가제공된다. 상기반도체장치는, 소자분리막을사이에두고제1 방향으로이격된제1 및제2 액티브영역, 제1 액티브영역상에제1 방향과교차하는제2 방향으로연장되어형성되는제1 노말게이트, 일부는소자분리막의일단과오버랩되고나머지일부는제1 액티브영역과오버랩되고, 제1 노말게이트와제1 방향으로이격되어형성된제1 더미게이트, 일부는소자분리막의타단과오버랩되고나머지일부는제2 액티브영역과오버랩되어형성되는제2 더미게이트, 제1 노말게이트와제1 더미게이트사이의소오스또는드레인영역상에형성되는제1 노말소오스또는드레인콘택; 및소자분리막상에제1 및제2 더미게이트와비오버랩되어형성되고, 제1 노말소오스또는드레인콘택과다른크기를가지는더미콘택을포함한다.

2. 发明公开

KR1020160017855A 성능 개선을 위한 패턴 구조가 적용된 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：适用于性能改进的图案结构的半导体器件
公开(公告)号：KR1020160017855A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：KR1020140101221
申请日：2014-08-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조근휘 , 박성일 , 홍병학 , 후카이,토시노리 , 김문현 , 김웅기 , 박수혜 , 김동원 , 하대원
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7845 , H01L21/28123 , H01L21/82385 , H01L21/823871 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/0649 , H01L29/42356 , H01L29/66545 , H01L29/785 , H01L29/7831 , H01L29/7834
摘要： 성능개선을위한패턴구조가적용된반도체장치가제공된다. 상기반도체장치는, 소자분리막을사이에두고제1 방향으로이격된제1 및제2 액티브영역, 제1 액티브영역상에제1 방향과교차하는제2 방향으로연장되어형성되는제1 노말게이트, 일부는소자분리막의일단과오버랩되고나머지일부는제1 액티브영역과오버랩되고, 제1 노말게이트와제1 방향으로이격되어형성된제1 더미게이트, 일부는소자분리막의타단과오버랩되고나머지일부는제2 액티브영역과오버랩되어형성되는제2 더미게이트, 제1 노말게이트와제1 더미게이트사이의소오스또는드레인영역상에형성되는제1 노말소오스또는드레인콘택; 및소자분리막상에제1 및제2 더미게이트와비오버랩되어형성되고, 제1 노말소오스또는드레인콘택과다른크기를가지는더미콘택을포함한다.
摘要翻译：提供了应用图案结构以提高性能的半导体器件。半导体器件包括：跨器件分离膜沿第一方向分离的第一和第二有源区; 在与第一方向交叉的第二方向上在第一有源区域上延伸的第一正常栅极; 第一伪栅极，其具有与器件分离膜的端部重叠的部分，其另一部分与第一有源区域重叠，并且通过在第一方向上与第一正常栅极分离形成; 第二伪栅极，具有与器件分离膜的另一端重叠的部分，并且另一端与第二有源区域重叠; 形成在第一正常栅极和第一虚拟栅极之间的源极或漏极区域上的第一正常源极或漏极接触; 以及通过与第一和第二伪栅极不重叠而形成的虚拟接触，并且具有与第一正常源极或漏极接触件不同的尺寸。

3. 发明公开

KR1020160122908A 반도체 소자 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160122908A
公开(公告)日：2016-10-25
申请号：KR1020150052551
申请日：2015-04-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박수혜 , 김윤해 , 배덕한 , 장재란 , 전휘찬
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/66
CPC分类号： H01L27/088 , H01L21/823475 , H01L23/485 , H01L27/0207 , H01L27/092
摘要： 본발명은전계효과트랜지스터를포함하는반도체소자에관한것으로, 보다구체적으로그의상부에활성패턴들을포함하는기판; 상기활성패턴들을가로지르며상기기판의상면에평행한제1 방향으로연장되는게이트전극들; 상기게이트전극들사이의상기활성패턴들의상부들에각각형성된소스/드레인영역들; 상기게이트전극들사이에서상기소스/드레인영역들과각각전기적으로연결되는제1 콘택들및 제2 콘택들을포함할수 있다. 이때, 각각의상기제1 콘택들의콘택중심선은, 상기각각의제1 콘택들과대응하는게이트중심선과제1 거리만큼이격되고, 각각의상기제2 콘택들의콘택중심선은, 상기각각의제2 콘택들과대응하는게이트중심선과제2 거리만큼이격되며, 상기제1 거리와상기제2 거리는서로다를수 있다.
摘要翻译：包括场效应晶体管的半导体器件技术领域本发明涉及一种包括场效应晶体管的半导体器件，并且更具体地，涉及一种包括衬底的半导体器件，栅电极，在第一方向上延伸穿过有源图案并平行于衬底的上表面; 各自形成在栅电极之间的有源图案的顶部上的源极/漏极区; 并且第一和第二触点分别电连接到栅电极之间的源/漏区。此时，每一个所述第一接触的接触中心线间隔开的由与相应的第一接触，每个所述每个第二触头的第二接触的接触中心线对应栅极中心线任务1的距离第一距离和第二距离可以彼此不同。

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