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1. 发明公开

KR1020170047101A OPC 이용한 마스크 제조방법 및 반도체 소자 제조방법 审中-实审
标题翻译：使用OPC制造掩模的方法和用于制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020170047101A
公开(公告)日：2017-05-04
申请号：KR1020150147545
申请日：2015-10-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심우석 , 량원칭
IPC分类号： H01L21/033 , G03F1/36 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/36 , G06F17/5081 , G06F2217/12 , Y02P90/265
摘要： 본발명의기술적사상은계층구조를유지하면서더미패턴들을형성함으로써, TAT(Turn Around Time) 감소및 시스템의요구성능을낮출수 있는마스크제조방법및 반도체소자제조방법을제공한다. 그마스크제조방법은메인(main) 패턴에대한레이아웃(layout)을디자인하는단계; 상기레이아웃에대하여통합 OPC(Optical Proximity Correction)를수행하는단계; 상기통합 OPC를통해획득한디자인데이터를 MTO(Mask Tape-Out) 디자인데이터로서전달하는단계; 상기 MTO 디자인데이터에기초하여마스크데이터를준비하는단계; 및상기마스크데이터에기초하여마스크용기판상에노광을수행하는단계;를포함하고, 상기통합 OPC를수행하는단계에서, 계층구조(hierarchical structure)를유지하면서더미(dummy) 패턴을생성한다.
摘要翻译：本发明的技术思想提供掩模制造方法和半导体器件制造方法，其通过在保持分层结构的同时形成虚拟图案来减少系统的转弯时间（TAT）和所需性能。该掩模制造方法包括：设计用于主图案的布局; 在布局上执行集成的OPC（Optical Proximity Correction）; 将通过集成的OPC获取的设计数据作为掩模带出（MTO）设计数据传输; 根据MTO设计数据准备掩模数据; 然后，基于掩模数据对掩模容器板进行曝光，在进行一体化的OPC的情况下，在维持分层结构的同时生成虚拟图案。

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