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1. 发明授权

KR101171190B1 표시장치의 제조방법과 이에 사용되는 몰드 有权
标题翻译： DSPLAY器件及其模具的制造方法
公开(公告)号：KR101171190B1
公开(公告)日：2012-08-06
申请号：KR1020050104511
申请日：2005-11-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장재혁 , 홍문표 , 노남석
IPC分类号： G02F1/1333
CPC分类号： G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/2014 , H01L29/78633
摘要： 본 발명은 표시장치의 제조방법 및 이에 사용되는 몰드에 관한 것이다. 본 발명에 따른 표시장치의 제조방법은, 베이스기판을 마련하는 단계와; 베이스기판 상에 베이스기판의 적어도 일부를 노출시키는 소정패턴의 개구가 마련된 마스터층을 형성하는 단계와; 마스터층과 개구에 의해 노출된 베이스기판의 표면을 처리한 후 개구 내부로 광차단물질을 제팅하며, 표면처리를 통하여 마스터층과 광차단물질 간의 계면장력의 차이를 증가시키는 단계와; 베이스기판과 마스터층 상에 몰드재료층를 형성하고, 몰드재료층과 광차단물질을 경화시켜 광차단막이 마련된 몰드를 제조하는 단계와; 몰드를 마스터층으로부터 분리시킨 후, 감광막이 형성된 절연기판 상에 몰드를 배치하고 상호 가압하며, 노광하는 단계; 및 몰드를 분리시킨 후, 감광막을 현상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 몰딩 후 남아있는 잔막을 효과적으로 제거할 수 있는 표시장치의 제조방법이 제공된다.

2. 发明授权

KR100890024B1 액정 표시 장치 有权
标题翻译：液晶显示屏
公开(公告)号：KR100890024B1
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：KR1020020056872
申请日：2002-09-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 노남석 , 채종철 , 신경주
IPC分类号： G02F1/1343
CPC分类号： G02F1/134336 , G02F1/133514 , G02F1/136286 , G02F2201/52 , G09G3/3607 , G09G3/3614 , G09G2300/0452
摘要： 본 발명에서는, 행 방향으로는 적색, 청색, 녹색 화소가 순차적으로 배열되어 있으며, 열 방향으로는 적색 및 녹색 화소는 교대로 배열되어 있고 청색 화소는 동일하게 배열되어 있어 서로 이웃하는 두 화소 행에서 이웃하는 두 청색 화소를 중심으로 이웃하는 적색 및 녹색의 네 화소는 서로 마주하도록 배치되어 있고, 화소 전극과 기준 전극은 절개부를 가지며, 화소의 가로 대 세로의 비는 2:3인 액정 표시 장치를 마련한다. 이렇게 하면, 펜타일 매트릭스 구동을 통하여 보다 높은 해상도의 화상을 표현할 수 있으며 동시에 상하 전극의 절개부에 의하여 액정 분자의 배열을 조절함으로써 광시야각을 확보할 수 있다.
화소, 펜타일, 렌더링, 반전

3. 发明授权

KR100878242B1 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
公开(公告)号：KR100878242B1
公开(公告)日：2009-01-13
申请号：KR1020020062409
申请日：2002-10-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 홍문표 , 노남석 , 최희환 , 송근규
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L29/4908 , G02F1/1368 , H01L27/0248 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/458
摘要： A gate wire including a gate line and a gate electrode is formed on a substrate and a gate insulating layer is formed on the substrate. A semiconductor pattern and an etching assistant pattern are formed on the gate insulating layer and a source/drain conductor pattern and an etching assistant layer are formed on the semiconductor pattern and the etching assistant pattern. A data wire including a data line and source and drain electrodes separated from each other is formed by removing the etching assistant layer and partly removing the source/drain conductor pattern. A pixel electrode connected to the drain electrodes is formed.

4. 发明公开

KR1020080061590A 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 无效
标题翻译：薄膜晶体管基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080061590A
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：KR1020060136500
申请日：2006-12-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황태형 , 신성식 , 노남석 , 김상일
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/1288
摘要： A TFT substrate and a manufacturing method thereof are provided to improve characteristics of a TFT and reduce a size of the TFT by using single crystal silicon as a semiconductor layer, thereby improving an aperture ratio and transmittance. A TFT(Thin Film Transistor) substrate comprises first and second substrates. The first substrate includes a pixel area(150) and a TFT area(160). The second substrate includes a TFT and is attached to the TFT area. The first substrate comprises a pixel electrode(20), a passivation layer, a first drain electrode(41), a gate line(50) and a data line(60). The second substrate comprises a semiconductor layer, ohmic contact layers(93,95), an insulating layer, a second drain electrode(75), a source electrode(73), a gate electrode(71), a gate connection unit(79), a connection unit(110) and a data connection unit(120). The semiconductor layer includes single crystal silicon.
摘要翻译：提供TFT基板及其制造方法以通过使用单晶硅作为半导体层来改善TFT的特性并减小TFT的尺寸，从而提高开口率和透射率。 TFT（薄膜晶体管）基板包括第一和第二基板。第一基板包括像素区域（150）和TFT区域（160）。第二基板包括TFT并且附接到TFT区域。第一衬底包括像素电极（20），钝化层，第一漏电极（41），栅线（50）和数据线（60）。第二基板包括半导体层，欧姆接触层（93,95），绝缘层，第二漏电极（75），源电极（73），栅极电极（71），栅极连接单元（79），连接单元（110）和数据连接单元（120）。半导体层包括单晶硅。

5. 发明公开

KR1020080046960A 전기 영동 표시 장치 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：电泳显示器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080046960A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：KR1020060116696
申请日：2006-11-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 반병섭 , 신성식 , 노남석
IPC分类号： G02F1/167 , G02F1/136
CPC分类号： G02F1/167 , G02F2001/1676 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G02F2201/42 , G02F2201/50 , H01L29/786
摘要： An electro-phoretic display and a manufacturing method thereof are provided to express the color with high brightness and clearness, thereby enhancing the display performance. A TFT(Thin Film Transistor) display panel(100) includes a TFT. A pixel electrode is connected with the TFT electrically. A color filter is formed between an insulating substrate and the pixel electrode. A partition is formed on the pixel electrode and partitions the pixel electrodes. A common electrode display panel(200) is contacted closely on the partition and includes a common electrode. Electro-phoretic members(300,301) are arranged at the pixel areas encompassed by the pixel electrode, partition and common electrode. A light source member(400) irradiates the light beam toward the electro-phoretic members at the rear of the common electrode display panel. The pixel area includes the first and second pixel areas. The pixel electrode includes the first pixel electrode having an incision portion overlapped with a portion of the first pixel area. The second pixel electrode is overlapped with a portion of the second pixel area.
摘要翻译：提供一种电泳显示器及其制造方法，以高亮度和清晰度表达颜色，从而提高显示性能。 TFT（薄膜晶体管）显示面板（100）包括TFT。像素电极与TFT电连接。在绝缘基板和像素电极之间形成滤色器。在像素电极上形成分隔并分隔像素电极。公共电极显示面板（200）在隔板上紧密接触并且包括公共电极。电极构件（300,301）布置在由像素电极，隔板和公共电极包围的像素区域处。光源构件（400）将光束照射到公共电极显示面板的后方的电泳构件。像素区域包括第一和第二像素区域。像素电极包括具有与第一像素区域的一部分重叠的切口部分的第一像素电极。第二像素电极与第二像素区域的一部分重叠。

6. 发明授权

KR100746557B1 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 失效
标题翻译：制造液晶显示装置薄膜晶体管的方法
公开(公告)号：KR100746557B1
公开(公告)日：2007-08-06
申请号：KR1020030063946
申请日：2003-09-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서종현 , 홍문표 , 노남석
IPC分类号： G02F1/136
摘要： 내식성이 우수한 알루미늄 배선을 포함하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조방법이 개시되어 있다. 이는 기판상에 알루미늄막을 형성하고, 이의 상부에 알루미늄 복합 산화물층을 형성하여 얻어진다. 상기한 알루미늄 복합 산화물층은 Zr, W, Cr 및 Mo 중 적어도 하나의 금속 원소를 포함하는 코팅 용액에 알루미늄막이 형성된 기판을 침지시키는 것에 의해 형성가능하다. 단순한 침지 방식에 의해 알루미늄막 상에 방식 특성이 우수한 보호막을 형성할 수 있기 때문에 알루미늄 배선에서 발생하기 쉬운 각종 결함 문제를 예방할 수 있게 된다. 따라서 이러한 알루미늄 배선을 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판에 적용시 우수한 특성을 갖는 제품의 제조가 가능하다.

7. 发明授权

KR100695300B1 배선의 구조 및 그 형성 방법과 이를 이용한 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：线的结构和制造方法以及薄膜晶体管基板及使用其制造基板的方法
公开(公告)号：KR100695300B1
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：KR1020000058865
申请日：2000-10-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 노남석
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 본 발명은 배선 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판에 관한 것으로, 물리적 또는 화학적 특성이 우수하고 저저항을 가지는 배선을 형성하기 위하여, Ag 계열의 배선을 이용한다. 구체적으로는, 기판 위에 완충용 도전층을 증착한 후, 완충용 도전층 위에 Ag 계열의 도전층을 증착한 다음, 완충용 도전층과 Ag 계열의 도전층을 식각하여 Ag 계열 도전층을 포함하는 배선의 구조를 완성한다. 그리고, 이러한 배선의 구조를 박막 트랜지스터 기판에 적용하여, 기판 위에 Ag 계열의 금속 물질층을 포함하는 이중층 구조의 게이트 배선을 형성한 후, 게이트 배선을 덮는 게이트 절연막을 형성한다. 이어, 게이트 절연막 위에 반도체층 및 게이트선에 교차하는 데이터선, 반도체의 일부분에 접촉되는 소스 전극, 소스 전극에 대응되어 반도체층의 다른 부분에 접촉되는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선을 형성한 다음, 데이터 배선 및 반도체층을 덮는 보호막을 형성한다. 이어, 보호막에 드레인 전극을 노출시키는 접촉 구멍을 형성한 후, 드레인 전극에 연결되는 화소 전극을 형성한다.
Ag 계열, 저저항 배선, Mo 계열, 접착 특성, 대면적

8. 发明公开

KR1020070014862A 영상신호 처리장치, 액정표시장치 및 그 구동방법 无效
标题翻译：图像信号处理装置，液晶显示及其驱动方法
公开(公告)号：KR1020070014862A
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：KR1020050069842
申请日：2005-07-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 노남석 , 홍문표
IPC分类号： G09G3/36 , G09G3/20
CPC分类号： G09G5/005 , G09G3/2003 , G09G3/3648 , G09G5/006 , G09G2320/0276 , G09G2340/02 , G09G2340/06 , G09G2360/02
摘要： An image signal processing device, a liquid crystal display device and a driving method thereof are provided to reduce power consumption of the image signal processing device by decreasing capacitance of a storage part. An LCD(Liquid Crystal Display) device includes an LCD panel, an interface(120), a signal converter(130), a buffer(140), and a system controller(110). The interface receives an image signal from the outside. The signal converter includes an RGBW logic and a rendering logic. The RGBW logic converts the image signal into an RGBW image signal. The rendering logic renders the RGBW image signal. The buffer stores the RGBW image signal. The system controller controls the buffer, so that the buffered RGBW image signal is delivered to the LCD panel.
摘要翻译：提供图像信号处理装置，液晶显示装置及其驱动方法，以通过减小存储部分的电容来降低图像信号处理装置的功耗。 LCD（液晶显示器）装置包括LCD面板，接口（120），信号转换器（130），缓冲器（140）和系统控制器（110）。接口从外部接收图像信号。信号转换器包括RGBW逻辑和渲染逻辑。 RGBW逻辑将图像信号转换为RGBW图像信号。渲染逻辑渲染RGBW图像信号。缓冲器存储RGBW图像信号。系统控制器控制缓冲器，使缓冲的RGBW图像信号传送到LCD面板。

9. 发明授权

KR100635949B1 저저항 배선 구조 및 그의 제조 방법과 이를 포함하는박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：线结构及其制造方法以及包括线结构的薄膜晶体管基板及其制造方法
公开(公告)号：KR100635949B1
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：KR1020000052183
申请日：2000-09-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 노남석
IPC分类号： H01L21/3213
摘要： 절연 기판 위에 몰리브덴 합금층과 은 합금층의 이중층으로 이루어진 게이트 배선을 형성하고, 게이트 배선 위에 게이트 절연막을 형성한다. 게이트 절연막 위에 반도체층을 형성하고, 몰리브덴 합금층과 은 합금층의 이중층으로 이루어지는 데이터 배선을 형성한다. 데이터 배선 위에 보호막을 형성하고 보호막 위에 투명 전극을 형성한다. 여기서 게이트 배선과 데이터 배선은 각각 인산, 질산, 초산 및 초순수의 혼합물로 이루어진 식각제를 사용하여 한 번의 식각 공정을 통하여 패터닝한다. 이렇게 하면, 알루미늄 보다도 저항이 작고 내식성이 우수한 Ag 합금을 사용하여 배선을 형성할 수 있고, 접착성을 보완하기 위하여 Mo 합금층을 게재하더라도 이들 두 금속막은 한 번의 식각 공정을 통하여 패터닝할 수 있으므로 공정 간소화에 유리하다.
Ag, Mo, 저항, 접착성, 식각제

10. 发明授权

KR100502796B1 인듐 틴 옥사이드용 식각액 및 이를 이용한액정 표시 장치의제조 방법 失效
标题翻译：铟锡氧化物蚀刻剂及其制造方法
公开(公告)号：KR100502796B1
公开(公告)日：2005-10-24
申请号：KR1019980008223
申请日：1998-03-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 노남석 , 홍문표 , 최필모 , 김대옥
IPC分类号： G02F1/135
摘要： 본 발명에 따른 ITO용 식각액은 염산(HCl), 초산(CH
3 COOH), 질산(HNO
3 ) 및 탈염수(H
2 O)로 이루어져 있다. 여기서, 경시 변화를 줄이기 위하여 최대 37%의 초산을 함유하는 것이 바람직하며 몰리브덴 합금으로 이루어진 배선을 침식시키지 않도록 하기 위하여는 0.2 내지 0.6vol%로 함유하는 것이 바람직하다.

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