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1. 发明授权

KR101137735B1 표시장치, 표시장치의 제조 방법 및 마스크 有权
标题翻译：显示装置和制造显示装置的方法和用于绘制光电影片的掩模
公开(公告)号：KR101137735B1
公开(公告)日：2012-04-24
申请号：KR1020050047861
申请日：2005-06-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 채종철 , 김시열 , 김상갑 , 석준형 , 황보상우 , 장원기
IPC分类号： G02F1/136 , H01L21/31 , H01L29/786
摘要： A mask is provided. The mask includes a mask body, a first exposing part and a second exposing part. The first exposing part is on the mask body. The first exposing part includes a first light transmitting portion and second light transmitting portions. The first light transmitting portion exposes a portion of the photoresist film corresponding to the output terminal to a light of a first light amount. The second light transmitting portions exposes an adjacent portion of the photoresist film adjacent to the output terminal to a light of a second light amount smaller than the first light amount. The second exposing part is on the mask body. The second exposing part includes third light transmitting portions for partially exposing the photoresist film corresponding to the storage electrode to a light of a third light amount that is between the first and second light amounts.

2. 发明公开

KR1020080008734A 표시판, 표시 장치 및 이의 제조 방법 无效
标题翻译：显示面板，显示设备及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080008734A
公开(公告)日：2008-01-24
申请号：KR1020060068334
申请日：2006-07-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정창오 , 김상갑 , 석준형 , 김홍균 , 황인선 , 오민석 , 진홍기 , 정유광 , 최승하 , 이희국 , 김시열
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1335
CPC分类号： G02F1/133528 , G02F1/134336 , G02F2001/133548 , H01L27/12
摘要： A display panel, a display device and a manufacturing method thereof are provided to use an electrode of the display device as a polarizing panel, thereby removing the polarizing panel arranged at the rear of the display panel and simplifying the processes. A gate line is formed on a substrate. A gate insulating layer is formed on the substrate to cover the gate line. A data line is crossed with the gate line and includes a source electrode. A drain electrode(175) is located oppositely to the source electrode. Plural line patterns(193) are electrically connected with the drain electrode and polarizes the incidence light beam. The distance of line patterns is below 200 nanometer. The width of the line pattern is below 100 nanometer. An alignment layer is formed on the electrode. The electrode includes at least one among Al, Ag, Cu, Mo, Cr, Ta, Ti or alloy thereof. The gate insulating layer includes an opened pixel area.
摘要翻译：提供显示面板，显示装置及其制造方法以使用显示装置的电极作为偏振面板，从而去除布置在显示面板后部的偏振片，并简化了工艺。在基板上形成栅极线。栅极绝缘层形成在衬底上以覆盖栅极线。数据线与栅极线交叉并且包括源电极。漏电极（175）位于与源电极相对的位置。多个线图案（193）与漏电极电连接并使入射光束偏振。线条的距离低于200纳米。线图案的宽度低于100纳米。在电极上形成取向层。电极包括Al，Ag，Cu，Mo，Cr，Ta，Ti或其合金中的至少一种。栅极绝缘层包括开放的像素区域。

3. 发明公开

KR1020070062858A 디스플레이장치의 제조방법 无效
标题翻译：显示装置的制造方法
公开(公告)号：KR1020070062858A
公开(公告)日：2007-06-18
申请号：KR1020050122750
申请日：2005-12-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정호용 , 김시열 , 이우근
IPC分类号： H01L29/786
摘要： A method for manufacturing a display device is provided to minimize the generation of a ghost image due to the variation of a light leak current. A display panel is prepared, wherein the display panel includes a TFT with a gate electrode, a data electrode and a semiconductor layer. A data voltage is applied to the data electrode and a DC voltage is applied to the gate electrode(S50). The data voltage oscillates in a set reference level range. The DC voltage is different from the data voltage. The difference between the DC voltage and the data voltage is in a range of 20 to 30 V. The DC voltage is in a range of 25 to -30 V.
摘要翻译：提供一种用于制造显示装置的方法，以使由于漏光电流的变化引起的重影图像的产生最小化。准备显示面板，其中显示面板包括具有栅电极的TFT，数据电极和半导体层。将数据电压施加到数据电极，并向栅电极施加直流电压（S50）。数据电压在设定的参考电平范围内振荡。直流电压与数据电压不同。直流电压与数据电压的差在20〜30V的范围内。直流电压为25〜-30V的范围。

4. 发明公开

KR1020070055053A 표시 기판 无效
公开(公告)号：KR1020070055053A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：KR1020050113322
申请日：2005-11-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김상갑 , 김시열 , 오민석 , 진홍기 , 최승하 , 정유광
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/136295 , G02F2201/123
摘要： 표시 화면의 잔상을 개선하기 위한 표시 기판이 개시된다. 표시 기판은 제1 금속패턴으로 형성된 게이트 배선으로부터 연장된 게이트 전극과, 제2 금속패턴으로 형성된 소스 배선으로부터 연장된 소스 전극과, 제2 금속패턴으로 형성되고 소스 전극과 일정한 이격 거리를 갖는 드레인 전극과, 드레인 전극과 연결되어 드레인 전극과 화소 전극을 전기적으로 연결시키는 연결 패턴 및 연결 패턴의 하부에 형성되어 상기 연결 패턴을 커버하는 실딩 패턴을 포함한다. 실딩 패턴이 연결 패턴으로 조사되는 배면광을 차단시키므로 누설광 및 광 누설 전류의 발생이 감소된다. 이에 따라, 광 누설 전류로 인한 표시 화면의 잔상 발생을 개선할 수 있다.
광 누설 전류, 실딩 패턴, 4매 공정, 알루미늄 배선

5. 发明公开

KR1020070049278A 배선, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 기판과 그 제조 방법 无效
标题翻译：接线薄膜晶体管基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070049278A
公开(公告)日：2007-05-11
申请号：KR1020050106274
申请日：2005-11-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이제훈 , 김시열 , 김도현 , 김병범 , 정창오 , 이준영 , 배양호 , 강성욱
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L29/458 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L29/4908 , Y10T428/12903
摘要： 본 발명의 일 실시예에 따른 배선은 하부 구조물 상에 형성된 배리어막, 상기 배리어막 상에 형성된 구리 또는 구리 합금을 포함하는 구리 도전막, 상기 구리 도전막 상에 형성된 중간막, 및 상기 중간막 상에 형성된 캡핑막을 포함하거나, 또는 하부 구조물 상에 형성된 배리어막, 상기 배리어막 상에 형성된 제1 중간막, 상기 제1 중간막 상에 형성된 구리 또는 구리 합금을 포함하는 구리 도전막, 상기 구리 도전막 상에 형성된 제2 중간막, 및 상기 제2 중간막 상에 형성된 캡핑막을 포함한다.
박막 트랜지스터, 구리, 구리 질화물, 구리 산화물, 중간막

6. 发明公开

KR1020070038331A 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：薄膜晶体管阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070038331A
公开(公告)日：2007-04-10
申请号：KR1020050093539
申请日：2005-10-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김주한 , 강성욱 , 임순권 , 박홍식 , 김시열 , 이은국 , 배양호
IPC分类号： G02F1/1345
CPC分类号： G02F1/1345 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2202/10 , H01L21/306 , H01L27/124 , H01L29/786
摘要： 본 발명은 박막 트랜지스터 표시판은 기판 위에 형성되어 있는 화소 전극, 상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 상기 게이트선 위에 형성되어 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 데이터선 및 드레인 전극, 그리고 상기 데이터선 및 드레인 전극 일부 위에 형성되어 있는 보호막을 포함하고, 상기 게이트선은 상기 화소 전극과 동일한 층에 형성되어 있는 제1 막과 상기 제1 막 위에 형성되어 있는 제2 막을 포함한다. 이와 같이, 하나의 마스크를 이용하여 게이트선과 화소 전극이 형성되므로, 제조 공정이 단순해지고 제조 비용이 줄어든다.
박막트랜지스터표시판, 슬릿, 마스크, 감광막, 화소전극, 게이트선
摘要翻译：薄膜晶体管阵列面板包括形成在基板上的像素电极，形成在像素电极上的栅极线，形成在栅极线上的栅极绝缘膜，形成在栅极绝缘膜上的半导体，数据线和漏极形成在栅极绝缘膜上，以及形成在数据线和漏电极的部分上的钝化层。栅线包括形成在同一层上并具有与像素电极相同的材料的第一膜和形成在第一膜上的第二膜。

7. 发明公开

KR1020060131018A 박막 트랜지스터 표시판, 그 제조 방법 및 이를 포함하는액정 표시 장치 无效
标题翻译：薄膜晶体管阵列，其制造方法和包括其的液晶显示器
公开(公告)号：KR1020060131018A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：KR1020050050842
申请日：2005-06-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이영욱 , 김시열 , 김성진
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F2001/136231 , G02F2001/13625 , G02F2001/136295
摘要： A thin film transistor substrate, a method for manufacturing the same, and an LCD comprising the same are provided to widen the viewing angle and lower the driving voltage, by disposing a pixel electrode to overlap a common electrode above a substrate. A gate line having a gate electrode(124) is formed on a substrate(110), wherein the gate line is composed of three conductive layers. A common electrode(131) of a transparent conductor is formed on the substrate. A gate insulating layer(140) is formed on the gate line and the common electrode. A semiconductor layer(151) is formed on the gate insulating layer. A data line(161) having a source electrode(163) and a drain electrode facing the source electrode are formed on the semiconductor layer. A plurality of pixel electrodes(191) are connected to the drain electrode and overlap the common electrode. In the gate line, a first conductive layer is formed of the same material as the common electrode, a second conductive layer is formed of a fire-resistant metal material, and a third conductive layer is formed of aluminum.
摘要翻译：提供薄膜晶体管基板及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管基板的LCD以及包含该薄膜晶体管基板的液晶显示器，通过设置与基板上方的公共电极重叠的像素电极来扩大视角并降低驱动电压。具有栅极（124）的栅极线形成在基板（110）上，其中栅极线由三个导电层构成。在基板上形成透明导体的公共电极（131）。栅极绝缘层（140）形成在栅极线和公共电极上。在栅极绝缘层上形成半导体层（151）。在半导体层上形成具有源电极（163）和面对源电极的漏电极的数据线（161）。多个像素电极（191）连接到漏电极并与公共电极重叠。在栅极线中，第一导电层由与公共电极相同的材料形成，第二导电层由耐火金属材料形成，第三导电层由铝形成。

8. 发明公开

KR1020060123997A 박막 트랜지스터 표시판, 그 제조 방법 및 이를 포함하는액정 표시 장치 无效
标题翻译：薄膜晶体管阵列，其制造方法和包括其的液晶显示器
公开(公告)号：KR1020060123997A
公开(公告)日：2006-12-05
申请号：KR1020050045686
申请日：2005-05-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이영욱 , 김시열 , 김성진
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/136286 , G02F2001/136231 , G02F2201/12
摘要： A thin film transistor substrate, a method for manufacturing the same, and an LCD comprising the same are provided to reduce the number of manufacturing processes, by forming a semiconductor pattern, an ohmic contact pattern, and a data line using a single slit mask. A gate line having a gate electrode(124) is formed on a substrate(110). A common electrode(131) of a transparent conductor is formed on the substrate. A gate insulating layer(140), a semiconductor layer(150), and a conductive layer(170) are sequentially deposited on the gate line and the common electrode. The conductive layer and the semiconductor layer are etched to form a data line having a source electrode, a drain electrode facing the source electrode, and a semiconductor pattern below the data line and the drain electrode. A pixel electrode, which is connected to the drain electrode, is formed. The pixel electrode overlaps a portion of the common electrode.
摘要翻译：提供薄膜晶体管基板及其制造方法以及包括该薄膜晶体管基板的LCD，通过使用单个狭缝掩模形成半导体图案，欧姆接触图案和数据线来减少制造工艺的数量。具有栅极（124）的栅极线形成在基板（110）上。在基板上形成透明导体的公共电极（131）。栅极绝缘层（140），半导体层（150）和导电层（170）依次淀积在栅极线和公共电极上。蚀刻导电层和半导体层以形成具有源电极，面对源电极的漏电极和数据线和漏电极下方的半导体图案的数据线。形成与漏电极连接的像素电极。像素电极与公共电极的一部分重叠。

9. 发明公开

KR1020060114995A 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 无效
标题翻译：薄膜晶体管基板的制作方法
公开(公告)号：KR1020060114995A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：KR1020050037250
申请日：2005-05-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김상갑 , 김시열 , 최희환 , 오민석 , 진홍기
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/136286 , G02F2001/136231 , G02F2001/13625 , H01L27/1288
摘要： A method for manufacturing a thin film transistor substrate is provided to reduce the leakage of current, thereby suppressing afterimage on a display screen, by removing the lower metal layer of a data wiring through dry etching. A gate insulating layer(30), a semiconductor layer, a first data metal layer, a second data metal layer, and a third data metal layer are sequentially deposited on a substrate(10), where a gate line(22) is formed. The third and second data metal layers are selectively etched using a photoresist pattern formed on the third data metal layer. The first data metal layer and the semiconductor layer are selectively etched using the photoresist pattern. Herein, a portion of the photoresist pattern, which corresponds to a channel region of the semiconductor layer, is removed. The third and second data metal layers are etched selectively using the remaining photoresist pattern. The first data metal layer is selectively removed using the remaining photoresist pattern, thereby exposing the channel region of the semiconductor layer.
摘要翻译：提供一种制造薄膜晶体管基板的方法，通过通过干蚀刻去除数据布线的下金属层，减少电流泄漏，从而抑制显示屏幕上的残影。栅极绝缘层（30），半导体层，第一数据金属层，第二数据金属层和第三数据金属层被顺序地沉积在形成栅极线（22）的基板（10）上。使用形成在第三数据金属层上的光致抗蚀剂图案来选择性地蚀刻第三和第二数据金属层。使用光致抗蚀剂图案选择性地蚀刻第一数据金属层和半导体层。这里，除去对应于半导体层的沟道区的光致抗蚀剂图案的一部分。使用剩余的光致抗蚀剂图案选择性地蚀刻第三和第二数据金属层。使用剩余的光致抗蚀剂图案选择性地去除第一数据金属层，从而暴露半导体层的沟道区。

10. 发明公开

KR1020060098018A ＴＦＴ기판의 제조 방법 无效
标题翻译： TFT基板制作方法
公开(公告)号：KR1020060098018A
公开(公告)日：2006-09-18
申请号：KR1020050019202
申请日：2005-03-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황보상우 , 김시열 , 김병준 , 양성훈 , 지로트라쿠날사티압후산
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L29/66765
摘要： 데이터 배선과 그 하부에 위치하는 반도체 패턴이 균일한 프로파일을 가질 수 있는 TFT 기판의 제조 방법이 제공된다. TFT 기판의 제조 방법은, 반도체층과 도전체층이 적층되어 있는 기판 상에 제1 두께 영역과 제1 두께 영역 양측에 제1 두께보다 두꺼운 제2 두께 영역으로 이루어진 식각마스크를 형성하는 단계와, 식각마스크를 사용하여 도전체층과 반도체층을 식각하여 도전체 패턴과 그 하부에 언더컷된 반도체 패턴을 형성하는 단계와, 식각마스크의 제1 두께 영역을 제거하고 제2 두께 영역의 외측 일부를 부분제거하는 단계와, 부분제거된 식각마스크를 사용하여 도전체층 패턴을 식각하여 이격된 두개의 도전체 패턴으로 분리하는 단계를 포함한다.
LCD, 반도체 패턴, 등방성 식각, 건식 식각

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