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1. 发明授权

KR101715762B1 반도체 소자 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR101715762B1
公开(公告)日：2017-03-14
申请号：KR1020100077474
申请日：2010-08-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김용돈 , 이응규 , 배성렬 , 김수방 , 장동은
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L29/0653 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/1095 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/66681
摘要： 반도체소자가제공된다. 반도체소자는기판내에형성되고제1 도전형의도펀트로도핑된보디(body) 영역, 및보디영역상에배치된게이트패턴을포함한다. 게이트패턴은제1 방향으로연장하고균일한폭을갖는라인부(line portion) 및라인부의일단에서연장하는벤딩부(bending portion)를포함하되, 라인부아래의채널영역은제1 방향에수직한제2 방향으로제1 채널길이를갖고, 벤딩부아래의채널영역은제2 방향과다른방향으로제1 채널길이보다긴 제2 채널길이를갖는일부분을포함한다.
摘要翻译：半导体器件包括第一导电类型的主体区域和设置在身体区域上的栅极图案。栅极图案具有在第一方向上延伸并且具有均匀宽度的直线部分和从直线部分的一端延伸的弯曲部分。位于弯曲部分下方的通道区域的部分构成长度大于由位于直线部分下方的通道区域的部分构成的通道的长度的通道。

2. 发明公开

KR1020120015180A 반도체 소자 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020120015180A
公开(公告)日：2012-02-21
申请号：KR1020100077474
申请日：2010-08-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김용돈 , 이응규 , 배성렬 , 김수방 , 장동은
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L29/0653 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/1095 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/66681 , H01L29/66674 , H01L29/7801
摘要： PURPOSE: A semiconductor device is provided to offer a semiconductor device with high reliability by forming a length of a second channel under a bending part to be longer than that of a first channel under a line part. CONSTITUTION: A body region is doped with a first conductive dopant. Line parts(LP1,LP2) of a gate pattern are extended to a first direction and have an uniform width. Bending parts(BP1,BP2) of the gate pattern are extended in one end of the line parts. A channel region under the line part has a first channel length to a second direction which is vertical to the first direction. The channel region under the bending part has the second channel length which is longer than the first channel length in different direction from the second direction.
摘要翻译：目的：提供一种半导体器件，通过在弯曲部分下方形成比第一通道下方的第二通道更长的长度，提供具有高可靠性的半导体器件。构成：体区掺杂有第一导电掺杂剂。栅极图案的线部分（LP1，LP2）延伸到第一方向并且具有均匀的宽度。栅极图案的弯曲部分（BP1，BP2）在线部分的一端延伸。线部分下方的通道区域具有与第一方向垂直的第二方向的第一通道长度。弯曲部下方的通道区域具有比从第二方向不同的方向长于第一通道长度的第二通道长度。

3. 发明公开

KR1020060003427A 소자 분리 영역 아래에 불순물층을 형성하는 소자 분리방법 및 이에 의한 소자 분리 구조를 포함하는 반도체 소자 无效
标题翻译：具有形成薄膜层分离区的隔离方法及其半导体器件
公开(公告)号：KR1020060003427A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：KR1020040052308
申请日：2004-07-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김수방 , 이기직
IPC分类号： H01L21/76
摘要： 소자 분리 영역 아래에 불순물층을 형성하는 소자 분리 방법 및 이에 의한 소자 분리 구조를 포함하는 반도체 소자를 제시한다. 본 발명에 따르면, 또한, 소자 분리를 강화하기 위해서, 먼저, 서로 다른 도전형의 두 웰(well) 영역들을 포함하는 반도체 기판에 소자 분리 영역을 형성하고, 웰 영역들 중 어느 하나인 제1웰 영역에 트랜지스터의 소스/드레인 영역을 형성하기 위해 제1웰 영역과 반대 도전형의 불순물을 제1웰 영역에 선택적으로 이온 주입하되, 이온 주입 단계에서 불순물을 웰 영역들 중 다른 하나인 제2웰 영역에 속한 소자 분리 영역 아래로 선택적으로 함께 이온 주입하여 소자 분리 영역을 강화하기 위한 불순물층을 함께 형성한다.
소자 분리, LOCOS, STI, DDD, 이중 게이트 산화막

4. 发明公开

KR1020050030460A 반도체 장치의 스택 소자 분리 구조 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：堆叠隔离结构及其制造方法
公开(公告)号：KR1020050030460A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：KR1020030066953
申请日：2003-09-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김수방 , 김용환
IPC分类号： H01L21/76
摘要： An isolation structure of a semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to improve the degree of integration and to define securely an active region by forming a field oxide like a fine pattern with sufficient height. An isolation structure includes a semiconductor substrate(101), a plurality of isolation layers(102) selectively formed on the substrate, and a semiconductor layer. The semiconductor layer(104) is protruded from the substrate between the isolation layers. The isolation layer is an oxide layer, wherein the oxide layer is formed by using a thermal oxidation.
摘要翻译：提供了一种半导体器件的隔离结构及其制造方法，以提高集成度，并通过形成具有足够高度的精细图案的场氧化物，可靠地确定有源区。隔离结构包括半导体衬底（101），选择性地形成在衬底上的多个隔离层（102）和半导体层。半导体层（104）从隔离层之间的衬底突出。隔离层是氧化物层，其中通过使用热氧化形成氧化物层。

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