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1. 发明授权

KR100630683B1 6Ｆ2 레이아웃을 갖는 디램 소자 失效
标题翻译： DRAM设备具有6F2布局
公开(公告)号：KR100630683B1
公开(公告)日：2006-10-02
申请号：KR1020040039977
申请日：2004-06-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 구두훈 , 이중현 , 여기성 , 조한구 , 우상균
IPC分类号： H01L27/108
CPC分类号： H01L27/10888 , H01L27/0207 , H01L27/10814
摘要： 본 발명의 6F
2 레이아웃을 갖는 디램 소자는, 제1 방향으로 길게 배치되는 워드라인들과 교차되도록 제2 방향으로 길게 배치되는 비트라인들을 갖는데, 아이솔레이션영역에 의해 한정되는 액티브영역 위로 워드라인들 중 하나의 워드라인만 지나가도록 배치되어 하나의 액티브영역에 하나의 단위셀이 구성된다. 또한 액티브영역은, 제1 방향으로 위쪽의 제1 비트라인과 제1 방향으로 아래쪽의 제2 비트라인 사이에서, 제2 방향과 나란하면서 제1 비트라인과 인접하는 제1 라인상에 배치되는 제1 액티브영역들, 및 제2 방향과 나란하면서 제2 비트라인과 인접하는 제2 라인상에 배치되는 제2 액티브영역들을 구비한다.

2. 发明公开

KR1020030067944A 반도체 노광 장치 无效
标题翻译：半导体曝光装置
公开(公告)号：KR1020030067944A
公开(公告)日：2003-08-19
申请号：KR1020020007694
申请日：2002-02-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 구두훈
IPC分类号： H01L21/027
摘要： PURPOSE: A semiconductor exposure apparatus is provided to be capable of freely varying the shape of an aperture loaded in the apparatus by using an LCD(Liquid Crystal Display) as the aperture. CONSTITUTION: A semiconductor exposure apparatus is provided with a light source(51), an aperture(53) for selectively transmitting the light irradiated from the light source, a mask(59), a reflective mirror(57) installed between the aperture and the mask for reflecting the light transmitted from the aperture to the mask, and a condensing lens(61) for irradiating the light supplied from the mask toward a wafer(W) while condensing the light. At this time, the aperture is capable of electrically and partially controlling the pass and stop of the light irradiated from the light source, so that the shape of the aperture loaded in the exposure apparatus is capable of being changed. Preferably, an active matrix type LCD device is used as the aperture.
摘要翻译：目的：提供一种半导体曝光装置，其能够通过使用LCD（液晶显示器）作为孔而自由地改变装载在装置中的孔的形状。构成：半导体曝光装置设置有光源（51），用于选择性地透射从光源照射的光的孔（53），掩模（59），反射镜（57），安装在孔和用于将从孔径传播的光反射到掩模的掩模，以及用于在冷凝光的同时将从掩模供给的光朝向晶片（W）照射的聚光透镜（61）。此时，光圈能够电和部分地控制从光源照射的光的通过和停止，从而能够改变装载在曝光装置中的光圈的形状。优选地，使用有源矩阵型LCD装置作为光圈。

3. 发明公开

KR1020060031429A 반도체 기억 소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：半导体存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060031429A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：KR1020040080460
申请日：2004-10-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 구두훈 , 조한구 , 문주태 , 우상균 , 백경윤 , 여기성
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： H01L27/10814 , H01L27/0207 , H01L27/10882 , H01L27/11502
摘要： 반도체 기억 소자 및 그 제조방법이 제공된다. 이 소자는 장축 및 단축을 가지는 막대형 제 1 및 제 2 활성영역들을 포함한다. 상기 제 1 활성영역들과 상기 제 2 활성영역들은 각각 단축 방향으로 일정 간격 이격되어 배열된다. 상기 제 2 활성영역들은 상기 제 1 활성영역들로 부터 장축방향으로 일정 간격 이격되어 배치되고 단축방향으로 상기 제 1 활성영역들에 대해 1/2 피치 이동하여 배치된다. 기존의 사선형 6F2 셀 구조와 달리 수평축 및 수직축 방향의 막대형 6F2 셀 구조를 가지기 때문에 레티클 제작시 세그먼트 분할에 따른 드로잉 시간에 비해 드로잉 시간을 현저히 감소시킬 수 있다.

4. 发明授权

KR100564578B1 비직교형 반도체 메모리 소자의 자기 정렬 콘택 패드형성방법 失效
标题翻译：非垂直半导体存储器件自对准接触焊盘的成形方法
公开(公告)号：KR100564578B1
公开(公告)日：2006-03-28
申请号：KR1020030067433
申请日：2003-09-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이은미 , 구두훈 , 이중현 , 여기성
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76897 , H01L23/485 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 비직교형 반도체 메모리 소자의 자기 정렬 콘택 패드 형성방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 SAC 패드 형성방법은 대각선형 또는 분리형 활성 영역을 가지는 비직교형 반도체 소자에 적용된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 먼저 대각선형 활성 영역을 가지는 반도체 기판 상에 열방향으로 신장된 다수의 게이트 라인 구조물을 형성하고, 그 결과물 상에 게이트 라인 구조물을 덮는 층간 절연막을 형성한다. 계속해서, 층간 절연막 상에 포토레지스트막을 형성한 다음, 바아 타입, 웨이브 타입 또는 리버스 액티브 타입의 패턴을 가진 포토마스크를 사용하여 노광 및 현상함으로써 포토레지스트막 패턴을 형성한다. 그리고, 포토레지스트막 패턴을 식각 마스크로 사용하여 층간 절연막을 식각함으로써 소오스/드레인 영역을 노출시키는 콘택 홀을 형성한 뒤에 콘택 홀을 도전 물질로 채움으로써 콘택 패드를 형성한다.
반도체, 메모리, 대각선형 활성 영역, 분리형 활성 영역, SAC

5. 发明公开

KR1020050114031A 트랜지스터의 리세스 채널을 위한 트렌치를 형성하는 방법및 이를 위한 레이아웃 失效
标题翻译：用于形成晶体管的通道的方法和布局
公开(公告)号：KR1020050114031A
公开(公告)日：2005-12-05
申请号：KR1020040039224
申请日：2004-05-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 구두훈 , 이시형 , 조한구 , 우상균 , 여기성
IPC分类号： H01L21/76
CPC分类号： H01L27/10876 , H01L21/3083 , H01L27/0207
摘要： 트랜지스터의 리세스 채널(recessed channel)을 위한 트렌치를 형성하는 방법 및 이를 위한 레이아웃(layout)을 제공한다. 본 발명의 일 관점에 따른 리세스 채널을 위한 레이아웃은 반도체 기판에 상호 간에 사선(diagonal) 방향으로 위치하게 다수 개가 배열되게 활성 영역들 중 적어도 어느 하나의 제1활성 영역을 측방향에서 가로질러 연장되되 제1활성 영역에 대해 사선 방향 위치에 평행한 다른 제2활성 영역을 가로지르게 연장되는 열린 영역(open region)이되, 제2활성 영역에 대해 사선 방향 위치에 평행하고 장축 방향의 끝단이 상호 간에 마주보는 다른 두 제3활성 영역 사이의 소자 분리 영역 부분에 미치지 않게 연장이 끊어지게 설정되고 상호 간에 불연속되게 다수 개가 배열되는 열린 영역들의 배열을 포함한다. 이러한 레이아웃을 이용하여 식각 마스크(etch mask)를 형성하고 이를 이용하여 반도체 기판을 식각하여 활성 영역에 리세스 채널을 위한 트렌치를 형성할 수 있다.

6. 发明授权

KR100431883B1 노광방법 및 투영 노광 장치 失效
标题翻译： 노광방법및투영노광장치
公开(公告)号：KR100431883B1
公开(公告)日：2004-05-17
申请号：KR1020010068657
申请日：2001-11-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박진준 , 구두훈
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/701 , G03F7/70108 , G03F7/70183
摘要： Methods and apparatus for varying the number and intensity of beams of a photo-lithographic light source for exposing photoresist material include beam dividers and beam focusing means. Methods include producing an incident light beam having uniform intensity distribution, refracting the incident light beam into a plurality of divergent beams, refracting the plurality of divergent beams into a plurality of parallel beams, and exposing an object with light of the plurality of parallel beams. Apparatus includes source of light beam having uniform intensity distribution, first refracting element for refracting the light beam into a plurality of divergent beams, second refracting element for refracting the plurality of divergent beams into a plurality of parallel beams, and means for exposing the object with light of the plurality of parallel beams. Variations in the separations of the refractive elements allows for the control of the size, shape, and dispersion patterns of resultant beams.
摘要翻译：用于改变用于曝光光致抗蚀剂材料的光刻光源的光束的数量和强度的方法和装置包括光束分离器和光束聚焦装置。方法包括产生具有均匀强度分布的入射光束，将入射光束折射成多个发散光束，将多个发散光束折射成多个平行光束，并用多个平行光束的光线曝光物体。装置包括具有均匀强度分布的光束源，用于将光束折射成多个发散光束的第一折射元件，用于将多个发散光束折射成多个平行光束的第二折射元件，以及用于使物体曝光多个平行光束的光。折射元件分离的变化允许控制合成光束的尺寸，形状和分散模式。

7. 发明公开

KR1020050005243A 스캐터링 바의 투과도를 변화시켜 패턴 크기를 제어하는방법 및 이에 이용되는 포토 마스크 无效
标题翻译：用于改变散射棒的传输程度以控制其相同尺寸的光栅的方法和用于将其形成的图案的变化大小和轮廓的轮廓等于通过将主图形转换为波形而形成的图案
公开(公告)号：KR1020050005243A
公开(公告)日：2005-01-13
申请号：KR1020030044254
申请日：2003-07-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장준영 , 구두훈 , 백경윤
IPC分类号： H01L21/027
摘要： PURPOSE: A method for varying a transmission degree of a scattering bar to control a pattern size is provided to vary the size and profile of a pattern on a wafer such that the pattern is formed by transcribing a main pattern shape to the wafer by making the transmission degree of a scattering bar introduced as an assist pattern to the periphery of a main pattern different from that of the main pattern when the transmission degree of the main pattern in a photomask is set at a predetermined transmission degree. CONSTITUTION: A photomask is introduced to a photolithography process to transcribe a pattern image to a wafer. The transmission degree of a scattering bar introduced to the periphery of a main pattern for embodying the pattern image is varied. The transmission degree of the scattering bar that varies the size and profile of a pattern formed on the wafer is varied to control the size of the pattern.
摘要翻译：目的：提供用于改变散射棒的透射度以控制图案尺寸的方法，以改变晶片上的图案的尺寸和轮廓，使得通过将主图案形状转印到晶片来形成图案，当将光掩模中的主图案的透射度设定为预定的透射度时，作为辅助图案引入的散射棒的透射度被传送到与主图案的主图案的外围不同的外围。构成：将光掩模引入到光刻工艺中以将图案图像转录到晶片。导入到用于体现图案图像的主图案的周边的散射棒的透射度是变化的。改变形成在晶片上的图案的尺寸和轮廓的散射棒的透射度被改变以控制图案的尺寸。

8. 发明公开

KR1020020008652A 페러데이 효과를 이용하여 노광량을 조절하는 노광장치 및그 방법 无效
标题翻译：用于控制曝光的曝光装置，其使用方法及其方法
公开(公告)号：KR1020020008652A
公开(公告)日：2002-01-31
申请号：KR1020000042580
申请日：2000-07-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 구두훈
IPC分类号： H01L21/027
摘要： PURPOSE: An exposure apparatus for controlling an exposure using a Faraday effect and a method for the same are provided to control continuously the amount of exposure within a short time by using a Faraday effect. CONSTITUTION: A light generation portion(100) is used for generating light with a wavelength of 248nm or 365nm. An exposure conversion portion(200) is formed with the first and the second polarization plate(211,212), a Faraday portion(220), a detector portion(230), a feedback controller portion(240), a selection portion(250), and a photo converter portion(260). The light generated from the light generation portion(100) passes the first polarization plate(211), a Faraday cell of the Faraday portion(220), and the second polarization plate(212). The Faraday portion(220) is formed with a Faraday cell(221), a tilt coil(222), and a voltage converter(223). The tilt coil(222) is installed in the Faraday cell(221) to change the polarized light. The detector portion(230) is used for detecting the light passing the second polarization plate(212). The feedback controller portion(240) is used for generating a control signal to the tilt coil(222). The selection portion(250) generates a signal according to intensity of light selected by a user. The photo converter portion(260) is used for recovering a characteristic of the light.
摘要翻译：目的：提供使用法拉第效应控制曝光的曝光装置及其方法，以通过使用法拉第效应在短时间内连续地控制曝光量。构成：光产生部分（100）用于产生波长为248nm或365nm的光。曝光转换部分（200）形成有第一和第二偏振板（211,212），法拉第部分（220），检测器部分（230），反馈控制器部分（240），选择部分（250）和光转换器部分（260）。从光产生部分（100）产生的光通过第一偏振板（211），法拉第部分（220）的法拉第单元和第二偏振板（212）。法拉第部分（220）形成有法拉第单元（221），倾斜线圈（222）和电压转换器（223）。倾斜线圈（222）安装在法拉第单元（221）中以改变偏振光。检测器部分（230）用于检测通过第二偏振板（212）的光。反馈控制器部分（240）用于产生到倾斜线圈（222）的控制信号。选择部分（250）根据用户选择的光的强度产生信号。光转换器部分（260）用于恢复光的特性。

9. 发明授权

KR101555230B1 나노임프린트 리소그래피를 이용한 미세 패턴의 형성 방법 有权
标题翻译：使用纳米压印光刻形成精细图案的方法
公开(公告)号：KR101555230B1
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：KR1020090006772
申请日：2009-01-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이정훈 , 여정호 , 박주온 , 김인성 , 구두훈 , 박진홍 , 박창민
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0002 , B29C43/003 , B29C2043/025 , B82Y10/00 , B82Y40/00
摘要： 향상된패턴분산도를가지는미세패턴의형성방법에있어서, 기판상에광경화성코팅막을형성한다. 패턴크기에관하여제1 분산도를갖는복수개의제1 패턴들을제1 면에구비하고적어도일부에광 감쇠부재를포함하는템플레이트의제1 면을광경화성코팅막에접촉시킨다. 템플레이트를통해광경화성코팅막에빛을조사하여제1 패턴들로부터전사되고제1 분산도보다낮은제2 분산도를갖는제2 패턴들을구비하는경화된코팅막을형성한다음, 템플레이트를경화된코팅막으로부터분리한다. 나노임프린트공정에사용되는템플레이트의패턴분산도를광 감쇠부재를통해보정함으로써패턴분산도가개선된미세패턴을제조할수 있다.

10. 发明授权

KR101552689B1 플래어 평가 방법 有权
标题翻译： FLARE EVLAUATION方法
公开(公告)号：KR101552689B1
公开(公告)日：2015-09-14
申请号：KR1020090030510
申请日：2009-04-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김인성 , 박주온 , 구두훈 , 이정훈 , 박창민
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/68 , G03F1/00 , G03F1/22
CPC分类号： G03F7/70941 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/44 , G03F1/70 , G03F7/70433
摘要： 본발명은플래어평가방법에관한것이다. 이방법은 EUV 노광장치에적용될수 있다. 이플레어평가방법은예비측정패턴을포함하는예비측정패턴마스크, 및예비측정패턴이형성된영역이개방된더미마스크을이용하여 DC 플레어기준데이터를추출하는단계, 불투명패드(opaque pad)와불투명패드의중심부에플레어의영향을측정하는측정패턴, 및불투명패드의외각에배치되어플래어를발생하게하는플래어패턴을포함하는복수의플래어게이지세트를제공하는단계, 및플래어게이지세트별로플래어패턴및 측정패턴에의한포토레지스트측정패턴의변화를검출하는단계를포함하되, 플래어게이지세트에따라플래어패턴의외반경은일정한비율로증가할수 있다.

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