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    • 3. 发明授权
      KR100659391B1 공중합체, 버퍼막용 고분자 수지 조성물, 이를 이용한 패턴형성 방법 및 이를 이용한 커패시터 제조 방법 失效
    • 공중합체, 버퍼막용 고분자 수지 조성물, 이를 이용한 패턴형성 방법 및 이를 이용한 커패시터 제조 방법
    • 공중합체，버퍼막용고분자수지조성물，이를이용한패턴형형성방법및이를이용한커패시터제조방
    • KR100659391B1
    • 2006-12-19
    • KR1020050076529
    • 2005-08-20
    • 삼성전자주식회사
    • 안선열 , 강경림 , 김태성 , 김영호 , 이정훈
    • C08L33/12
    • Provided are a polymer resin composition for a buffer film which can be developed without exposure and can be cured at a temperature lower than the baking temperature of photoresist, a copolymer used in the composition, a method for forming a pattern by using the composition, and a method for preparing the capacitor of a semiconductor device by using the composition. The polymer resin composition comprises 75-93 wt% of a copolymer which comprises a benzyl methacrylate monomer, a methacrylic acid monomer and a hydroxyethyl methacrylate monomer; 1-7 wt% of a crosslinking agent; 0.01-0.5 wt% of a thermal acid generator; 0.01-1 wt% of a surfactant; and the balance of a solvent. The copolymer comprises 61-75 wt% of a benzyl methacrylate monomer; 8-15 wt% of a methacrylic acid monomer; and 17-24 wt% of a hydroxyethyl methacrylate monomer, and has a polystyrene-reduced weight average molecular weight of 6,700-7,500 and a number average molecular weight of 2,600-3,200. Preferably the copolymer is represented by the formula, wherein L, M and N are a positive integer.
    • 本发明提供一种缓冲膜用聚合物树脂组合物，其可以在没有曝光的情况下进行显影，并且可以在低于光刻胶的烘烤温度的温度下固化，该组合物中使用的共聚物，使用该组合物形成图案的方法，以及 通过使用该组合物来制备半导体器件的电容器的方法。 所述聚合物树脂组合物包含75-93重量％的包含甲基丙烯酸苄酯单体，甲基丙烯酸单体和甲基丙烯酸羟乙酯单体的共聚物; 1-7重量％的交联剂; 0.01-0.5重量％的热酸产生剂; 0.01-1重量％的表面活性剂; 和余量的溶剂。 该共聚物包含61-75重量％的甲基丙烯酸苄酯单体; 8-15重量％的甲基丙烯酸单体; 和17-24重量％的甲基丙烯酸羟乙酯单体，并且具有6,700-7,500的聚苯乙烯折合重均分子量和2,600-3,200的数均分子量。 优选该共聚物由下式表示，其中L，M和N是正整数。
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    • 8. 发明公开
      KR1020010092087A 웨이퍼의 치수인자 측정방법 및 그 장치 失效
    • 웨이퍼의 치수인자 측정방법 및 그 장치
    • 用于测量波形尺寸参数的方法和装置
    • KR1020010092087A
    • 2001-10-24
    • KR1020000014024
    • 2000-03-20
    • 삼성전자주식회사
    • 안정훈 , 조규철 , 강경림 , 심태헌
    • H01L21/66
    • PURPOSE: A method and an apparatus for measuring a dimensional parameter of a wafer are provided to measure accurately a dimensional parameter of a wafer by using an electric measuring method and an optical measuring method. CONSTITUTION: An electric measuring unit(350) measures a dimensional parameter of a wafer transferred from a wafer positioning unit(340) by an electric measuring method using a capacitance. An optical measuring unit(360) measures the dimensional parameter of the wafer transferred from the electric measuring unit(350) by an optical method using a laser beam. The electric measuring unit(350) measures a mean value of center thickness and total thickness of the wafer, a total thickness variation of the wafer, a total indicate reading of the wafer, and a site total indicate reading of the wafer. The optical measuring unit(360) measures a total warp rate of the dimensional parameter of the wafer. A control unit(310) controls the electric measuring unit(350) and the optical measuring unit(360) and displays measured data. A wafer loading unit(320) loads the wafer on a dimensional parameter measuring unit(300). The wafer positioning unit(340) fits the wafer in a reference position. A wafer unloading unit(340) unloads the wafer.
    • 目的：提供一种用于测量晶片的尺寸参数的方法和装置，以通过使用电测量方法和光学测量方法来精确地测量晶片的尺寸参数。 构成：电测量单元（350）通过使用电容的电测量方法测量从晶片定位单元（340）传送的晶片的尺寸参数。 光学测量单元（360）通过使用激光束的光学方法测量从电测量单元（350）传送的晶片的尺寸参数。 电测量单元（350）测量晶片的中心厚度和总厚度的平均值，晶片的总厚度变化，晶片的总指示读数以及晶片的位置总指示读数。 光学测量单元（360）测量晶片的尺寸参数的总翘曲率。 控制单元（310）控制电测量单元（350）和光学测量单元（360）并显示测量数据。 晶片加载单元（320）将晶片装载在尺寸参数测量单元（300）上。 晶片定位单元（340）将晶片适配在参考位置。 晶片卸载单元（340）卸载晶片。
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    • 9. 发明公开
      KR1020000060602A 반도체 웨이퍼 제조 방법 无效
    • 반도체 웨이퍼 제조 방법
    • 制造半导体波形的方法
    • KR1020000060602A
    • 2000-10-16
    • KR1019990009060
    • 1999-03-17
    • 삼성전자주식회사
    • 박재근 , 조규철 , 강경림 , 허태열
    • H01L21/02
    • PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor wafer is provided to improve the flatness on the back surface of the wafer by polishing the back surface of the etched wafer in order to have confidence in contamination of a total wafer and improve the productivity. CONSTITUTION: First of all, a wafer sliced with a certain thickness of 0.5 ¯ 0. 8 mm is polished keeping its diameter with 200 ¯ 300 mm. To improve the flatness and get over the damage on the surface, the wafer is supposed to be grinded with a slurry including abrasives. And then, the surface is grinded with finer abrasives one more time. Because fine cracks remain on the surface, the wafer is etched with chemical mixture solution and is heated at 700°C. To get a very flat surface of the wafer, both the front and back surfaces are grinded with abrasives which are much finer than the above under the condition on which pressure, heat and grinding temperature are precisely controlled. And then, the wafer is cleaned to remove the remained abrasives and the chemical solution on the surfaces. Consequently, as flatness of the back surface is improved, the contamination on the back surface is reduced and the productivity is improved.
    • 目的：提供一种制造半导体晶片的方法，以通过抛光蚀刻晶片的背面来提高晶片背面的平整度，以便有可能对整个晶圆的污染提高生产率。 构成：首先，将切片厚度为0.5〜0.8mm的晶片抛光，其直径为200〜300mm。 为了提高平整度并且超过表面的损伤，晶片应该用包括研磨剂的浆料进行研磨。 然后，再次用更细的磨料研磨表面。 由于细小的裂纹残留在表面上，晶片被化学混合溶液蚀刻，并在700℃下加热。 为了获得晶片的非常平坦的表面，在压力，热和研磨温度被精确控制的条件下，前表面和后表面都被研磨成比上述更细的磨料。 然后，清洁晶片以除去残留的磨料和表面上的化学溶液。 因此，由于后表面的平坦度得到改善，背面的污染降低，生产率提高。
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