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    • 6. 发明授权
    • 전이금속박막형상 제어에 의한 탄소나노튜브의 수직 성장방법
    • 通过改变过渡金属薄膜的形态,垂直排列碳纳米管的生长方法
    • KR100513713B1
    • 2005-09-07
    • KR1020000025333
    • 2000-05-12
    • 삼성에스디아이 주식회사
    • 이영희이병수최영철김종민최원봉이내성
    • H01L21/20B82Y40/00
    • 본 발명은 전이금속박막의 표면형상을 제어함에 의해 수직으로 성장되는 탄소나노튜브의 직경, 밀도, 길이를 마음대로 조절할 수 있는 전이금속박막의 표면형상을 제어에 의한 탄소나노튜브 성장 방법을 기재한다. 본 발명에 따른 전이금속박막형상 제어에 의한 탄소나노튜브의 수직 성장 방법은, (가) 형성되는 결정의 형상과 크기를 원하는 모양과 크기로 조절하면서 상기 기판 상에 전이금속박막을 증착하는 단계; 및 (나) 상기 증착된 전이금속박막 상에 탄소나노튜브를 성장시키는 단계;를 포함한다. 먼저, (가) 단계의 기판 준비 방법은 일반적으로 sputter를 이용하는 경우 sputtering power 밀도를 조절하거나 증착온도 또는 열처리 온도를 변화시켜 Ni, Co, Fe 혹은 그들 혼합물의 grain 크기 및 밀도를 조절한다. 다음에, (나) 단계의 탄소나노튜브의 합성 증착은 실리콘기판이나 유리기판 위에 증착된 전이금속박막을 반응로 안으로 옮겨 플라즈마화학기상증착법이나 열화학증착법으로 메탄가스, 아세틸렌가스, 에틸렌가스, 프로판가스등의 탄화수소가스를 반응로 내에 흘려줌으로써, 상기 촉매금속막 위에 탄소나노튜브를 성장시킨다.
    • 8. 发明公开
    • 전계방출소자
    • 现场发射
    • KR1020040061657A
    • 2004-07-07
    • KR1020020087941
    • 2002-12-31
    • 삼성에스디아이 주식회사
    • 이항우김종민안필수
    • H01J1/30
    • H01J29/467H01J31/127
    • PURPOSE: A field emitter is provided to achieve improved quality of screen by effectively preventing distortions of mesh grid. CONSTITUTION: A field emitter comprises an anode plate(200) having an inner surface on which an anode electrode(220) and a phosphor layer(230) are formed; a cathode plate(100) having an inner surface on which a plurality of electron emitting sources(140) for emitting electrons in correspondence to the phosphor layer and a gate electrode having gate holes(150a) for passage of the electrons are formed; a mesh grid(400) interposed between the cathode plate and the anode plate, and which has a plurality of electron control holes(400a) formed in the region corresponding to the gate holes; a spacer(300) interposed between the anode plate and the mesh grid, and which supports the mesh grid; and insulating layers(401,402) formed at both side surfaces of the mesh grid, and which have windows(401a,402a) for exposing the electron control holes.
    • 目的:提供场发射器,通过有效防止网格变形来提高屏幕质量。 构成:场发射器包括阳极板(200),其具有形成有阳极电极(220)和荧光体层(230)的内​​表面; 形成具有内表面的阴极板(100),在该内表面上形成有与荧光体层相对应地发射电子的多个电子发射源(140)和具有用于电子通过的栅极孔(150a)的栅电极; 插入在所述阴极板和所述阳极板之间的网格(400),并且在与所述栅极孔对应的区域中形成有多个电子控制孔(400a) 插入在所述阳极板和所述网格之间并且支撑所述网格的间隔件(300); 以及形成在网状网格的两个侧面的绝缘层(401,402),并且具有用于暴露电子控制孔的窗口(401a,402a)。
    • 9. 发明公开
    • 전자 방출 특성을 향상시킬 수 있는 에미터 배열 구조를갖는 전계 방출 표시 장치
    • 具有发射极阵列的场发射显示器,用于改善电子发射特性
    • KR1020040055095A
    • 2004-06-26
    • KR1020020081696
    • 2002-12-20
    • 삼성에스디아이 주식회사
    • 이천규이상조이병곤안상혁오태식김종민
    • H01J1/30C01B31/02
    • H01J29/04H01J9/025H01J29/467H01J29/481H01J31/127H01J1/30C01B32/05
    • PURPOSE: A field emission display is provided to achieve improved field emission characteristics by enhancing the arrangement of emitters on a cathode electrode. CONSTITUTION: A field emission display comprises a rear substrate(2); a plurality of gate electrodes(6) formed into a predetermined pattern on the rear substrate; an insulating layer(8) formed on the rear substrate in such a manner that the insulating layer covers the gate electrodes; a plurality of cathode electrodes(10) formed into a predetermined pattern on the insulating layer; an emitter(12) electrically contacts the cathode electrode; a front substrate(4) spaced apart from the rear substrate, and which cooperates with the rear substrate so as to form a vacuum container; an anode electrode(16) formed on the surface of the front substrate opposed to the rear substrate; and a phosphor layer(18) formed into a predetermined pattern on the anode electrode. The cathode electrodes have emitter accommodating portions formed by removing certain parts of the cathode electrodes. A barrier(10b) is formed between the emitter accommodating portions. The emitter is disposed in the emitter accommodating portion and electrically contacts the cathode electrode.
    • 目的:提供场致发射显示器,以通过增强阴极电极上发射体的布置来实现改进的场发射特性。 构成:场发射显示器包括后基板(2); 在后基板上形成为规定图案的多个栅极电极; 绝缘层(8),其以所述绝缘层覆盖所述栅电极的方式形成在所述后基板上; 在所述绝缘层上形成为规定图案的多个阴极电极(10) 发射极(12)与阴极电接触; 与后基板间隔开的前基板(4),与后基板配合形成真空容器; 形成在所述前基板的与所述后基板相对的表面上的阳极电极; 以及在阳极上形成为规定图案的荧光体层(18)。 阴极电极具有通过去除阴极电极的某些部分而形成的发射体容纳部分。 在发射体容纳部之间形成有隔壁(10b)。 发射极设置在发射器容纳部分中并与阴极电接触。